Рассмотрены физические процессы, протекающие в катодных материалах. при воздействии ионизирующих излучений. Приведены экспериментальные результаты по влиянию ионизирующих излучений на технологические процессы формирования эмиссионных покрытий различных типов катодов электровакуумных приборов
Тhе physical processes proceeding in cathodic materials under ionizing radiation influence arе considered. The experimental results about ionizing radiation influence on tehnological processes of different emissive coatings formation on electrovacuum device cathods are presented
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
Выпуск
Другие статьи выпуска
В Лаборатории стандартов частоты ОКРФ ФИ РАН (г. Троицк, Моск. обл.) разрабатывается новое поколение оптических стандартов частоты (ОСЧ) с точностью до 10-15. Сделан принципиально важный шаг в решении этой проблемы на базе инжекционных лазеров
Проанализировано состояние исследований, разработок и номенклатуры промышленного выпуска отечественных лазеров средней мощности, ориентированных, прежде всего, на применение в прогрессивных термических технологиях
Экспериментально и теоретически исследован процесс изотопически селективной фотоионизации (AVLIS процесс) в парах иттербия. Определены оптимальная схема ионизации и динамика процесса.
Численно промоделирован процесс селективной фотоионизации 168 изотопа Yb. Определены производительность и селективность процесса. Показано, что наибольшей эффективности ионизации можно достичь, разбив процесс на две части: первая - когерентное возбуждение атомов выделяемого изотопа, вторая - их фотоионизация. При этом можно повысить как эффективность ионизации среды, так и получить высокую степень изотопической селективности процесса
Введено понятие простейшей однородной среды. Дано определение повышенной ее живучести. Утверждается, что для достижения указанной живучести рассматриваемую среду необходимо строить на элементах с определенной спецификой. Рассмотрены и проанализированы варианты использования в этих целях элементов трех разных типов
В рамках теории многократного рассеяния электронов с использованием метода локального когерентного потенциала рассчитаны парциальные и полные плотности электронных состояний и энергия Ферми интерметаллидов системы титан – медь (Ti - Cu). Показано, что повышенная хрупкость интерметалидов системы Ti – Cu обусловлена появлением ионной и ковалентной составляющих на фоне металлической связи. Потеря интерметаллидами металличности является прямым следствием трансформации электронного обмена между атомами титана и меди, в результате которого атомы титана приобретают донорные свойства, а атомы меди - акцепторные
Определен химический состав поверхностных слоев деталей на различных стадиях обработки
Рассмотрена возможность использования магнитных полей Земли и Солнца для проверки предсказаний теории [1, 2] о влиянии векторного магнитного потенциала на скорость β-рacпада. В xoдe долговременных измерений числа распадов β-препаратов зафиксированы отклонения от среднего (невозмущенного) уровня порядка (З-6) о. Приведен анализ полученных результатов, которые укладываются в рамки гипотезы [1, 2]
Обсуждаются методы формирования сверхтонких ВТСП-пленок и многослойных структур на их основе. Приведен краткий обзор результатов, полученных до последнего времени. Подчеркивается вывод о квазидвумерной сверхпроводимости купратных ВТСП
Изложена общая теория плазменных источников малой мощности, основанных на высокочастотном (ВЧ) методе нагрева и поддержания плазмы. Частота ВЧ-поля лежит между ионной и электронной ленгмюровскими и циклотронными частотами во внешнем продольном магнитном поле, параллельном скорости истечения плазмы. В этих условиях процессы проникновения и поглощения ВЧ-поля в плазму определяются чисто электронной компонентой плазмы. Вместе с тем длина волны ВЧ-поля в вакууме намного превосходит геометрические размеры источника, что позволяет использовать квазистатическое (неволновое) приближение. Рассмотрены примеры цилиндрического и плоского источников плазмы, а также экспериментальной реализации такого источника
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400