Представлен метод бесконтактного определения концентрации носителей заряда в сильнолегированных подложках n+-InSb на основе анализа спектров пропускания в среднем инфракрасном диапазоне (3–5 мкм) при температуре 77 К. Разработана физическая модель комплексной диэлектрической функции, учитывающая эффект Бурштейна–Мосса, поглощение на свободных носителях, хвост Урбаха и плазмонфононные эффекты, что позволяет корректно описать оптические свойства материала в условиях сильного вырождения. Решена обратная задача: путём сопоставления рассчитанных и экспериментальных спектров пропускания восстановлены значения концентрации носителей для двух образцов. Полученные результаты согласуются с данными электрофизических измерений по методу Ван-дер-Пау (расхождение не более 2 %), что подтверждает достоверность предложенного подхода. Метод перспективен для неразрушающего контроля концентрации носителей заряда в подложках n+-InSb в производственных условиях.
A non-contact method for determining the carrier concentration in heavily doped n⁺-InSb substrates is presented, based on the analysis of transmittance spectra in the mid-infrared range (3–5 m) at a temperature of 77 K. A physical model of the complex dielectric function has been developed, taking into account the Burstein–Moss effect, free-carrier absorption, the Urbach tail, and plasmon-phonon interactions, enabling an accurate description of the material’s optical properties under conditions of strong degeneracy. The inverse problem was solved by comparing calculated and experimental transmittance spectra to reconstruct the carrier concentrations for two samples. The obtained results are in good agreement with data from electrical measurements using the van der Pauw method (deviation within 2 %), confirming the reliability of the proposed approach. The method is promising for non-destructive monitoring of carrier concentration in n⁺-InSb substrates under industrial production conditions.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика