ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Исследование распределения концентрации свободных электронов вдоль оси монокристалла GaAs, легированного теллуром (2024)

Читать онлайн

Исследовано распределение концентрации свободных электронов вдоль оси для двух монокристаллов n-GaAs, выращенных методом Чохральского и легированных теллуром. Значение концентрации свободных электронов определялось двумя методами: традиционным холловским с использованием четырёхконтактной геометрии (метод Ван дер Пау) и с помощью разработанного авторами оптического метода, основанного на анализе спектров инфракрасного отражения. Все измерения проводились при комнатной температуре. Показано, что зависимости холловской и оптической концентраций свободных электронов от координаты вдоль оси монокристалла описываются линейными функциями. Соответственно, значения реального коэффициента распределения теллура в слитке могут заметно отличаться от общепринятого (табличного). Установлено, что холловская концентрация превышает оптическую, то есть приповерхностные слои исследованных образцов обеднены свободными электронами (по сравнению с объёмом), причём расхождение между значениями холловской и оптической концентраций увеличивается вдоль оси слитка.

The distribution has been investigated of free electron concentration along the axis for two nGaAs single crystal ingots, grown by Cz method and doped with tellurium. Free electron concentration values have been determined using two methods: by traditional Hall effect with four-contact geometry (Van der Pau method) and with the help of developed by authors optical method, based upon infrared reflectivity spectra analysis. All measurements have been carried
out at room temperature.

Ключевые фразы: арсенид галлия, теллур, распределение концентрации свободных элек- тронов вдоль оси слитка, метод ван дер пау, спектры инфракрасного отражения
Автор (ы): Комаровский Никита Юрьевич
Соавтор (ы): Белов Александр, Ларионов Никита Александрович, Кладова Евгения Исааковна, Князев Станислав Николаевич, Парфентьева Ирина Борисовна, Молодцова Елена Владимировна
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2024-6-62-67
Для цитирования:
КОМАРОВСКИЙ Н. Ю., БЕЛОВ А., ЛАРИОНОВ Н. А., КЛАДОВА Е. И., КНЯЗЕВ С. Н., ПАРФЕНТЬЕВА И. Б., МОЛОДЦОВА Е. В. ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ ВДОЛЬ ОСИ МОНОКРИСТАЛЛА GAAS, ЛЕГИРОВАННОГО ТЕЛЛУРОМ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2024. №6
Текстовый фрагмент статьи