ISSN 1996-0948 · EISSN 2949-561X
Языки: ru · en

Статья: Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe (2020)

Читать онлайн

Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур проводилась путем формирования пленок Al2O3 методом плазменного атомно-слоевого осаждения. Показано, что при составе в барьерном слое, равном 0,84, в nBn-структурах доминирует объемная компонента темнового тока. Энергия активации тока близка к ширине запрещенной зоны поглощающего слоя. Сопоставление экспериментальных результатов с эмпирической моделью Rule07 показало, что в диапазоне температур 180–300 К в изготовленных структурах реализуется диффузионное ограничение темнового тока. Из проведенных исследований следует, что молекулярно-лучевая эпитаксия HgCdTe на альтернативных подложках является перспективным способом создания униполярных барьерных детекторов для спектрального диапазона 3–5 мкм.

Dark currents were studied in medium-wave nBn structures based on HgCdTe grown by mo-lecular beam epitaxy on GaAs (013) substrates. The passivation of the surface of the side walls of the mesa structures was carried out by forming Al2O3 films by the method of plasma atomic layer deposition. It was shown that with a composition in the barrier layer equal to 0.84, the bulk component of the dark current dominates in nBn structures. The activation energy of the current is close to the band gap of the absorbing layer. A comparison of the experimental results with the empirical model Rule07 showed that in the temperature range 180–300 K the diffusion limitation of the dark current is realized in the fabricated structures. From the conducted studies, it follows that molecular beam epitaxy of HgCdTe on alternative substrates is a promising way to create unipolar barrier detectors for the spectral range of 3–5 μm.

Ключевые фразы: инфракрасные детекторы, HgCdTe, молекулярно-лучевая эпитаксия, nBn-структура, темновой ток, ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА, диффузионное ограничение, infrared detectors, molecular beam epitaxy, nBn structure, dark current, current-voltage characteristic, diffusion limitation
Автор (ы): Войцеховский Александр Васильевич
Соавтор (ы): Дзядух Станислав Михайлович, Дворецкий Сергей, Михайлов Николай, Сидоров Георгий Юрьевич, Несмелов Сергей Николаевич
Журнал: Прикладная физика

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
eLIBRARY ID
44386394
Для цитирования:
ВОЙЦЕХОВСКИЙ А. В., ДЗЯДУХ С. М., ДВОРЕЦКИЙ С., МИХАЙЛОВ Н., СИДОРОВ Г. Ю., НЕСМЕЛОВ С. Н. ДИФФУЗИОННОЕ ОГРАНИЧЕНИЕ ТЕМНОВОГО ТОКА В NBN-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ МЛЭ HGCDTE // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2020. № 1
Текстовый фрагмент статьи