Описаны методы синтеза, кристаллографические параметры и строение энергетических зон двумерных и квазидвумерных материалов, таких как графен, дихалькогениды переходных металлов IV-VIII групп, бинарные 2D-халькогениды IV, III и II групп вида трихалькогениды Ti, Zr, Hf, Nb, Bi, Sb, 2D-материалы вида AVBV (AsN, AsP, PN, SbAs, SbN, SbP), 2D-нитриды вида AIIIN (A = Al, Ga, In, B), моноатомные 2D-материалы (фосфорен P, плюмбен Pb, станен Sn, германен Ge, силицен Si, антимонен Sb, арсенен As, висмутен Bi, борофен В, окто-нитроген 8-N), функциализированные графен и карбид кремния SiC, двумерные оксиды CO, SiO, GeO, SnO, диоксиды переходных металлов, германия и олова, триоксиды MoO3, WO3, ди- и тригалогениды переходных металлов.
Some synthesis methods, crystal parameters and band structure of two-dimensional and quasi-two-dimensional materials are reported, such as graphene, transitional metal dichalcogenides of IV-VIII groups, binary 2D-chalcogenides of transitional metals IV, III and II groups, trichalcogenides of Ti, Zr, Hf, Bi and Sb, 2D-materials (AsN, AsP, PN, SbAs, SbN, SbP), 2D-materials (A = Al, Ga, In, B), monoatomic 2D-materials (phosphorene P, plumbene Pb, stanene Sn, germanene Ge, silicene Si, antimonene Sb, arsenene As, bismuthene Bi, borophene B, octo-nitrogene 8-N), fuctionalization of graphene and SiC, 2D-oxides CO, GeO, SnO, 2D-dioxides of transitional metals and Ge, Sn, 2D-trioxides MoO3 and WO3, transitional metal di- and trihalides.
Ключевые фразы: двумерные 2D-кристаллы, графен, дихалькогениды, химическое осаждение из пара (CVD), PE CVD-синтез, химия, graphene, dichalcogenides, trihalides, chemical vapour deposition (CVD), band structure, crystal lattice
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 37027586
Для цитирования:
ПОНОМАРЕНКО В., ПОПОВ В., ПОПОВ С. В. ФОТО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА НА ОСНОВЕ ДВУМЕРНЫХ 2D-МАТЕРИАЛОВ (ОБЗОР). (ЧАСТЬ I. 2D-МАТЕРИАЛЫ: СВОЙСТВА И СИНТЕЗ) // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2019. ТОМ 7, № 1
Текстовый фрагмент статьи
Несмотря на обнаруженные многообещающие свойства многих двумерных материалов, их широкое внедрение в нано- и фотоэлектронику требует поиска 2D-наноструктур, оптимальных с точки зрения оптических, фотоэлектрических и структурных свойств. В статье представлен обзор результатов теоретических и экспериментальных работ, опубликованных в последнее время по синтезу и изучению структурных и электронных свойств двумерных и квазидвумерных материалов с целью уточнения наиболее оптимальных способов и областей их применения в нано- и фотоэлектронике. Объем настоящей статьи не позволяет даже кратко охватить все известные на сегодня двумерные материалы, число которых приближается к тысяче. Исследования к настоящему времени проведены в отношении большого количества моноатомных, бинарных и тройных соединений, таких как графен и его производные, моноатомные и бинарные материалы на основе химических элементов, принадежащих различным группам Периодической системы Д. И. Менделеева, моно-, ди-, триоксиды, халькогениды и галогениды переходных металлов и др. По значительной части этих веществ предложены способы получения совершенных монослоев, а также структур, содержащих несколько монослоев материала, такие как атомно-слоевое осаждение, различные виды эпитаксии, включая молекулярно-лучевую, золь-гель и гидротермальные методы и др. Активное развитие получили методы моделирования кристаллографических структурных и зонных параметров двумерных и квазидвумерных структур. Значительная доля первой части обзора посвящена методам синтеза и управления электронными свойствами графена, его производных и структурных аналогов, так как эти методы и созданные физико-технологические модели могут оказаться полезными при работах с новыми 2D-материалами, появление которых продолжает происходить нарастающими темпами. Кинетические и другие свойства рассмотренных двумерных материалов и наноструктур на их основе, явления переноса, оптические и фото-электрические свойства 2D-приборов будут описанные во второй части статьи.
Список литературы
- Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S. V., Grigorienko I. V., Firsov A. A. // Science, 306, 666 (2004).
- Geim A. K. // Science, 324, 1530 (2009).
- Geim A. K. // Phys. Usp. 54(12) (2011).
- Novoselov K. S. // Phys. Usp. 54(12), 1227–1242 (2011).
- Koski K. J., Cui Y. // ACS Nano, 7(5), 3739 (2013).
- Zhuan Ti. Graphene patents lay base for industry boom. China Daily, 03/02/2017, page 17.
- Ferrari A. C. et al. Science and technology roadmap for graphene, related two-dimensional crystals, and hybrid systems // Nanoscale, 2014, pp. 1–343, doi: 10.1039/C4NR01600A.
- Eletskii A. V., Iskandarova I. M., Knizhnik A. A., Krasikov D. N. // Phys. Usp. 54, 227–258 (2011).
- Grayfer E. D., Makotchenko V. G., Nazarov A. S., Kim S.-J., Fedorov V. E. // Rus, Chem. Rev. 80(8), 751–770 (2011).
- Bonaccorso F., Lombardo A., Hasan T., Colombo L., Ferrari A. C. // Materials Today, 15, 564 (2012).
- Avouris P., Dimitrakopoulos C. // Materials Today, 15, 86 (2012).
- Volkova J. B., Rezchikova E. B., Shakhnov V. A. // Eng. Journ., 6 (2013).
- Sorokin P. B., Chernozatonskii L. A. // Phys. Usp. 56, 105–122 (2013).
- Chernozatonskii L. A., Sorokin P. B., Artukh A. A. // Rus, Chem. Rev. 83(3), 251–279 (2014).
- Chernozatonskii L. A., Artukh A. A. // Phys. Usp. 61, 2–28 (2018).
- Novoselov K. S., Jiang D., Chedin F., Booth T. J., Khot-kevich V. V., Morozov S. V., Geim A. K. // Proc. National Academy of Science (USA), 102, pp. 10451 (2005).
- Li X., Zhang G., Bai X., Wang X., Wang E., Dai H. // Nature Nanotechnology, 3, 538 (2008).
- Li D., Muller M. B., Gilje S., Kaner R. B., Wallace G. G. // Nature Nanotechnology, 3, pp. 101 (2008).
- Wu Z.-S., Ren W., Gao L., Zhao J., Chen Z., Liu B., Tang D., Yu B., Jiang C., Cheng H.-M. // ACS Nano, 3, 411 (2009).
- Mortazavi S. Z., Parvin P., Reyhani A. // Laser Phys. Let-ters, 9, 547 (2012).
- Abramov A. V., Arakelian S. M., Kochev D. A., Markov S. A., Prokoshev V. G., Kharkov K. S., Patent RU 2572325, 12.01.2015.
- Rollings E. R., Gweon G.-H., Zhou S. Y., Mun R. S., McChesney J. L., Husson B. S., Fedorov A. V., First P. N., W. A. de Heer, Lanzara A. // Journ. Phys. Chem. Sol., 67, 2172 (2006).
- Hass J., Feng R., Li T., Zong Z., W. A. de Heer, First P. N., Conrad E. H., Jeffrey C. A., Berger C. // Appl. Phys. Lett., 89, 143106 (2006).
- Emtsev K. V., Bostwick A., Horn K., Jobst J., Kellogg G. L., Ley L., McChesney J. L., Ohta T., Reshanov S. A., Rohrl J., Rotenberg E., Schmid A. K., Waldmann D., Weber H. B., Seyller T. // Nature Materials, 8, 203 (2009).
- Sutter P. // Nature Materials, 8, 171 (2009).
- Naguib M., Gogotsi Y. // Acc. Chem. Res., 48(1), 128 (2015).
- Alekseev N. I., Kalnin A. A., Karmanov D. D., Luchinin V. V., Tarasov S. A., Charykov N. A. // Journal of physical chemistry, 87, 1761 (2013).
- Sutter P. W., Flege J.-I., Sutter E. A. // Nature Materials, 7, 406 (2008).
- Coraux J., N’Diae A. T., Busse C., Michley T. // Nano Letters, 8, 565 (2008).
- Oshima C., Bannai E., Tanaka T., Kawai S. // Jpn. Journ. Appl. Phys., 16, 965 (1977).
- Antonova I. V. // Phys. Usp. 56, 1013–1020 (2013).
- Kim Keun S., Zhao Y., Lee S. Y., Kim J. M., Kim Kwang S., Ahn J.-H., Kim P., Choi J.-Y., Hong B. H. // Nature, 457, 706 (2009).
- Li X., Cai W., An J., Kim S., Nah J., Yang D., Piner R., Velamakanni A., Jung I., Tutuc E., Banerjee S. K., Colombo L., Ruoff R. S. // Science, 324, 1312 (2009).
- Bae S., Kim H., Lee Y., Xu X., Park J.-S., Zheng Yi., Balakrishnan J., Lei T., Kim H. R., Kim K. S., Ozyilmaz B., Ahn J.-H., Hong B. H., Iijima S. // Nature Nanotechnology, 5, 574 (2010).
- Li X., Magnuson C. W., Venugopal A., Tromp R. M., Hannon J. B., Vogel E. M., Colombo L., Ruoff R. S. // J. Am. Chem. Soc., 133, 2816 (2011).
- Polat E. O., Balci O., Kakenov N., Uzlu H. B., Kokabas C., Dahiya R. // Scientific Reports, 5, 16744 (2015).
- Wu W., Yu Q., Peng P., Liu Z., Bao J., Pei S.-S. // Nano-technology, 23, 035603 (2012).
- Marchene M., Janner D., Chen T. L., Finazzi V., Pruneri V. // Optical Materials Express, 6, 8, 2487 (2016).
- Sulaiman K., Ali A. Y., Elkington D., Ferron K., Ander-son K. F., Belcher W., Dastoor P., Zhou X. // Carbon N.Y., 107, 325 (2016).
- Jang J., Son M., Chung S., Kim K., Cho C., Lee B. H., Ham M. // Sci. Rep., 5, 17955 (2015).
- Vlassiouk I., Regmi M., Fulvio P., Datskos P., Eres G., Smirnov S. // ACS Nano, 5(7), 6069 (2011).
- Terasawa T.-O., Saiki K. // Carbon, 50, 869 (2012).
- Boyd D. A., Lin W.-H., Hsu C.-C., Teague M. L., Chen C.-C., Lo Y.-Y., Chan W.-Y., Su W.-B., Cheng T.-C., Chang C.-S., Wu C.-I., Yeh N.-C. // Nature Communications, 2015, doi: 10.1038/ncomms7620
- Fujita J.-I., Hiyama T., Hirukawa A., Kondo T., Nakamura J., Ito S.-i., Araki R., Takeguchi M., Pai W. W. // Scientific Re-ports, 7, 12371 (2017).
- Ding G., Zhu Y., Wang S., Gong Q., Sun L., Wu T., Xie X., Jiang M. // Carbon, 53, 321 (2013).
- Wang J., Zeng M., Tan L., Dai B., Deng Y., Rummeli M., Xu H., Li Z., Wang S., Peng L., Eckert J., Fu L. // Sci. Rep. 3, 2670 (2013).
- Murakami K., Tanaka S., Hirukawa A., Hiyama T., Kuwajima T., Kano E., Takeguchi M., Jun-ichi Fujita J.-i. // Appl. Phys. Lett., 106, 093112 (2015).
- Zhang B., Lee W. H., Piner R., Kholmanov I., Wu Y., Li H., Ji H., Ruoff R. S. // ACS Nano, 3, 2471 (2012).
- Guermoune A., Chari T., Popescu F., Sabri S.S., Guil-lemette J., Skulason H. S., Szkopek T., Siaj M. // Carbon, 49, 4204 (2011).
- Wu T., Ding G., Shen H., Wang H., Sun L., Zhu Y., Jiang D., Xie X. // Nanoscale, 2013, doi: 10.1039/C3NR00963G.
- Rummeli M. H., Bachmatiuk A., Scott A., Borrnert F., Warner G. H., Hoffman V., Lin J.-H., Cuniberti G., Buchner B. // ACS Nano, 4, 4206 (2010).
- Sun Z., Yan Z., Yao J., Beitler E., Zhu Y., Tour J. M. // Nature, 468, 549 (2010).
- Liu N., Fu L., Dai B., Yan K., Liu X., Zhao R., Zhang Y., Liu Z. // Nano Letters. 11, 297 (2011).
- Strupinski W., Grodecki K., Wysmolek A., Stepniewski R., Szkopek T., Gaskell P. E., Gruneis A., Haberer D., Bozek R., Krupka J., Baranowski J. M. // Nano Letters, 11, 1786 (2011).
- Fanton M. A., Robinson J. A., Puls C., Liu Y., Hollander M. J., Weiland B. E., LaBella M., Trumbull K., Kasarda R., Howsare C., Stitt J., Snyder D. W. // ACS Nano, 5, 8062 (2011).
- Sun J., Lindvall N., Cole M. T., Teo K. B. K., Yurgens A. // Appl. Phys. Lett., 98, 252107 (2011).
- Scott A., Dianat A., Börrnert F., Bachmatiuk A., Zhang S., Warner J. H., Borowiak-Paleń E., Knupfer M., Büchner B., Cuniberti G., Rummeli M. H. // Appl. Phys. Lett., 98, 073110 (2011).
- Ding X., Ding G., Xie X., Huang F., Jiang M. // Carbon, 49, 2552 (2011).
- Moseler M., Gumbsch P., Casiraghi C., Ferrari A. C., Robertson J. // Science, 309, 1545 (2005).
- Katsnelson M. I. Graphene: Carbon in Two Dimensions. – New York: Cambridge University Press, 2012.
- Alisultanov Z. Z. // JETP 122(2), 341 (2016).
- Bostwick A., Ohta T, McChesney J. L., Emtsev K. V., Seyller T., Karsten Horn K., Rotenberg E. // New Journal of Physics, 9, 385 (2007).
- Morozov S. V. // Phys. Usp. 55, 408–412 (2012).
- Kalikhman V. L., Umanskii Ya. S. // Sov. Phys. Usp. 15, 728–741 (1973).
- Duan X., Wang C., Pan A, Yu R., Duan X. Chem. Soc. Rev., 44, 8859 (2015).
- Kvashnin D. G., Chernozatonskii L. A. // JETP Letters, 105(4), 250 (2017).
- Lv R. T., Robinson J. A., Schaak R. E., Sun D., Sun Y., Mallouk T. E., Terrones M. // Acc.Chem. Res., 48, 56 (2015).
- Kumar A., Ahluwalia P. K. Eur. Phys. J. B, 85, 186 (2012).
- Geim A. K., Grigorieva I. V. // Nature, 499, 419 (2013).
- Zhuang H. L., Hennig R. G. // J. Phys. Chem. C, 117, 20440 (2013).
- Agarwal M. K., Capers M. J. // J. Appl. Cryst., 5, 63 (1972).
- Hicks W. T. J. // Electrochem. Soc., 9, 1058 (1964).
- Yun W. S., Han S. W., Hong S. C., Kim I. G., Lee J. D. // Phys. Rev. B, 85, 033305 (2012).
- Opalovskii A. A., Fedorov V. E. // Rus. Chem. Rev. 35(3), 186–204 (1966).
- Harold Schafer. Chemische Transportreaktionen (Verlag Chemie GmbH, Weinheim/Bergstr., 1961).
- Brixner L. H. // J. Inorg. Nucl. Chem., 24, 257 (1962).
- Magda G. Z., Pető J,, Dobrik G., Hwang C., Biró L. P., Tapasztó L. // Sci. Rep., 5, 14714 (2015).
- Hakkinen H. // Nature Chem., 4, 443 (2012).
- Lebègue S., Eriksson O. // Phys. Rev., B79, 115409 (2009).
- Kuc A., Zibouche N., Heine T. // Phys. Rev., B83, 245213 (2011).
- Heising J., Kanatzidis M. G. // J. Am. Chem. Soc., 121, 638 (1999).
- Jeong S., Yoo D., Ahn M., Miroґ P., Heine T., Cheon J. // Nature Commun., 6, 5763 (2015).
- Radisavljevic B., Radenovic A., Brivio J., Giacometti V., Kis A. // Nat. Nanotechnol., 6, 147 (2011).
- Zhang W., Huang Z., Zhang W., Li Y. // Nano Research, 7(12), 1731 (2014).
- Pu J., Yomogida Y., Liu K.-K., Li L.-J., Iwasa Y., Takenobu T. // Nano Lett., 12, 4013 (2012).
- Li X, Zhu H. // Journal of Materiomics 1 33–44 (2015).
- Zhan Y., Liu Z., Najmaei S., Pulickel M., Ajayan P. M., Lou J. // Small, 8(7), 966 (2012).
- Liu K.-K., Zhang W., Lee Y.-H., Lin Y.-C., Chang M.-T., Su C.-Y., Chang C.-S., Li H., Shi Y., Zhang H., Lai C.-S., Li L.-J. Nano Lett., 12, 1538 (2012).
- Shi Y., Zhou W., Lu A.-Y., Fang W., Lee Y.-H., Hsu A. L., Kim S. M., Kim K. K., Yang H. Y., Li L.-J., Idrobo J.-C., Kong J. // Nano Lett., 12, 2784 (2012).
- Lin Y.-C., Zhang W., Huang J.-K., Liu K.-K., Lee Y.-H., Chi-Te Liang C.-T., Chud C.-W., Li L.-J. // Nanoscale, 4, 6637 (2012).
- Yu Y., Li C., Liu Y., Su L., Zhang Y., Cao L. // Sci. Rep., 3, 1866 (2013).
- Najmaei S., Liu Z., Zhou W., Zou X., Shi G., Lei S., Yakobson B. I., Idrobo J.-C., Ajayan P. M., Lou J. // Nat. Mater. 2013:12:754-9.
- van der Zande A. M., Huang P. Y., Chenet D. A., Berkelbach T. C., You Y. M., Lee G.-H., Heinz T. F., Reichman D. R., David A., Muller D. A., Hone J. C. // Nat. Mater. 2013:12:554-61.
- Ji Q., Zhang Y., Gao T., Zhang Y., Ma D., Liu M., Chen Y., Qiao X., Tan P.-H., Kan M., Feng J., Sun Q., Liu Z. // Nano Lett., 2013:13:3870-7.
- McCreary K. M., Hanbicki A. T., Robinson J. T., Enrique Cobas E., Culbertson J. C., Friedman A. L., Jernigan G. G., Jonker B. J. // Funct. Mater., 24, 6449 (2014).
- Lin Y.-C., Lu N., Perea-Lopez N., Li J., Lin Z., Peng X., Lee C. H., Sun G., Calderin L., Browning P. N., Bresnehan M. S., Kim M. J., Mayer T. S., Terrones M., Robinson J. A. // ACS Nano, 2014:8:3715-23.
- Huang C.-C., Al-Saab F., Wang Y., Ou J.-Y., Walker J. C., Wang S., Gholipour B., Simpsond R. E., Hewaka D. W. // Nanoscale, 2014, doi: 10.1039/c4nr04228.
- Baek S. H., Choi Y., Choi W. // Nanoscale Research Lett., 10:388, (2015).
- Nihan Kosku Perkgöz //Anadolu University Journal of Science and Technology A- Applied Sciences and Engineering, 18(2), 375 (2017).
- Wang X., Gong Y., Shi G., Chow W. L., Keyshar K., Ye G., Vajtai R., Lou J., Liu Z., Ringe E., Tay B. K., Ajayan P. M. // ASC Nano, 2014, doi:10.1021/nn501175k
- Shaw J. C., Zhou H., Chen Y., Weiss N. O., Liu Y., Yu. Huang, Duan X. // Nano Res. 2014, doi: 10.1007/s12274-014-0417-z
- Boscher N. D., Carmalt C. J., Palgrave R. G., Gil-Tomas J. J., Parkin I. P. // Chem. Vap. Deposition, 12, 692 (2006).
- Carmalt C. J., Parkin I. P., Peters E. S. // Polyhedron, 22, 1499 (2003).
- Elıas A. L., Perea-Lopez N., Castro-Beltran A., Berkdemir A., Lv R., Feng S., Long A. D., Hayashi T., Kim Y. A., Endo M., Gutierrez H. R., Pradhan N. R., Balicas L., Mallouk T. E., Lopez-Urıas F., Terrones H., Mauricio Terrones M. // ACS Nano, 7(6), 5235 (2013).
- Wang X., Huang L., Jiang X.-W., Li Y., Wei Z., Li J. // J. Mater. Chem. C 4, 3143 (2016).
- Zhu Y., Wang X., Zhang M., Cai C., Xie L. // Nano Re-search 2016, doi: 10.1007/s12274-016-1178-7.
- Zhang M., Zhu Y., Wang X., Feng Q., Qiao S., Wen W., Chen Y., Cui M., Zhang J., Cai C., Xie L. // J. Am. Chem. Soc. 2015, 10.1021/jacs.5bp3807.
- Wang D., Zhang X., Liu H., Meng J., Xia J., Yin Z., Wang Y., You J., Meng X.-M. // 2D Mater., 4, 031012 (2017).
- He X., Liu F., Hu P., Fu W., Wang X., Zeng Q., Zhao W., Zheng Liu Z. // Small 2015, doi: 10.1002/smll.201501488.
- Gao J., Li L., Tan J., Sun H., Li B., Idrobo J. C., Singh C. V., Lu T.-M., Koratkar N. // Nano Lett. 2016, doi: 10.1021/acs.nanolett.6bo1180.
- Cui F., Wang C., Li X., Wang G., Liu K., Yang Z., Feng Q., Liang X., Zhang Z., Liu S., Lei Z., Liu Z., Xu H., Zhang J. // Adv. Mater. 2016, doi: 10.1002/adma.201600722.
- Keyshar K., Gong Y., Ye G., Brunetto G., Zhou W., Cole D. P., Hackenberg K., He Y., Machado L., Kabbani M., Hart A. H. C., Li B., Galvao D. S., George A., Vajtai R., Tiwary C. S., Ajayan P. M. // Adv. Mater., 27, 4640 (2015).
- Peters E. S., Carmalt C. J., Parkin I. P. // J. Mater. Chem., 14, 3474 (2004).
- Yuan J., Wu J., Hardy W. J., Loya P., Lou M., Yang Y., Najmaei S., Jiang M., Qin F., Keyshar K., Ji H., Gao W., Bao J., Kono J., Natelson D., Ajayan P.M., Lou J. Adv. Mater., 27, 5605 (2015).
- Feng J., Sun X., Wu C., Peng L., Lin C., Hu S., Yang J., Xie Y. // J. Am. Chem. Soc., 133, 17832 (2011).
- Zhang Z., Niu J., Yang P., Gong Y., Ji Q., Shi J., Fang Q., Jiang S., Li H., Zhou X., Gu L., Wu X., Zhang Y. // Adv. Ma-ter., 1702359 (2017).
- Empante T. A., Zhou Y., Klee V., Nguyen A. E., Lu I.-H., Valentin M. D., Alvillar S. A. N., Preciado E., Berges A. J., Merida C. S., Gomez M., Bobek S., Isarraraz M., Reed E. J., Bar-tels L. // ACS Nano, 11, 900 (2017).
- Zhou Z., Liu F., Lin J., Huang X., Xia J., Zhang B., Zeng Q., Wang H., Zhu C., Niu L., Wang X., Fu W., Yu P., Chang T.-R., Hsu C.-H., Wu D., Jeng H.-T., Huang Y., Lin H., Shen Z., Yang C., Lu L., Suenaga K., Zhou W., Pantelides S. T., Liu G., Liu Z. // Adv. Mater. 2016, doi: 10.1002/adma.201603471.
- Huang J.-H., Deng K.-Y., Liu P.-S., Wu C.-T., Chou C.-T., Chang W.-H., Lee Y.-J., Hou T.-H. // Adv. Mater. Interfaces 4, 1700157 (2017).
- Keum D. H., Cho S., Kim J. H., Choe D.-H., Sung H.-J., Kan M., Kang H., Hwang J.-Y., Kim S. W., Yang H., Chang K. J., Lee Y. H. // Nature Phys. 2015, doi: 10.1038/NPHYS3314.
- Wang L., Gutieґrrez-Lezama I., Barreteau C, Ubrig N., Giannini T., Morpurgo A. F. // Nature Commun. 2015, doi: 10.1038/ncomms9892
- Wang Y., Sofer Z., Luxa J., Pumera M. // Adv. Mater. Interfaces 2016, doi: 10.1002/admi.201600433.
- Huan Y., Shi J., Zou X., Gong Y., Zhang Z., Li M., Zhao L., Xu R., Jiang S. Zhou X., Hong M., Xie C., He Li H., Lang X., Zhang Q., Gu L., Yan X., Zhang Y. // Adv. Mater. 2018, doi: 10.1002/adma.201705916.
- Zeng Z., Yin Z., Huang X., Li H., He Q., Lu G., Boey F., Hua Zhang H. // Angew. Chem. Int. Ed., 50, 11093 (2011).
- Zeng Z., Sun T., Zhu J., Huang X., Yin Z., Lu G., Fan Z., Yan Q., Hng H. H., Zhang H. // Angew. Chem. Int. Ed., 51, 1 (2012).
- Wang Y., Li L., Yao W., Song S., Sun J. T., Pan J., Ren X., Li C., Okunishi E., Wang Y.-Q., Wang E., Shao Y., Zhang Y. Y., Yang Hai-tao, Schwier E. F., Iwasawa H., Shimada K., Taniguchi M., Cheng Z., Zhou S., Du S., Pennycook S. J., Pantelides S. T., Gao H.-J. // Nano Lett. 2015, doi: 10.1021/acs.nanolett.5b00964.
- Zhao Y., Qiao J., Yu P. , Hu Z., Lin Z., Lau S.P., Liu Z., Lau S.P., Liu Z., Ji W., Chai Y. // Adv. Mater. 28, 2399 (2016).
- Xu K., Huang Y., Chen B., Y., Lei W., Wang Z., Wang Q., Wang F., Yin L., He J. // Small 12(23), 3106 (2016).
- Aretouli K. E., Tsipas P., Tsoutsou D., Marquez-Velasco J., Xenogiannopoulou E., Giamini S.A., Vassalou E., Kelaidis N., Dimoulas A. // Appl. Phys. Lett. 106, 143105 (2015).
- Tsipas P., Tsoutsou D., Marquez-Velasco J., Aretouli K. E., Xenogiannopoulou E., Vassalou E., Kordas G.,
A. Dimoulas // Microelectronic Engineering 147, 269 (2015). - Zheng B., Chen Y., Wang Z., Qi F., Huang Z., Hao X., Li P., Zhang W., Li Y. // 2D Mater. 3 (2016) 035024.
- Aminalragia-Giamini S., Marquez-Velasco J., Tsipas P., Tsoutsou D., Renaud G., Dimoulas A. // 2D Mater. 4 (2017) 015001.
- Zhao S., Hotta T., Koretsune T., Watanabe K., Taniguchi T., Sugawara K., Takahashi T., Shinohara H., Kitaura R. // 2D Mater. 3 (2016) 025027.
- Wang H., Huang X., Lin J., Cui J., Chen Y., Zhu C., Liu F., Zeng Q., Zhou J., Yu P., Wang X., He H., Tsang S. H., Gao W., Suenaga K., Ma F., Yang C., Lu L., Yu T., Teo E. H. T., Liu G., Liu Z. // Nature Communications, 2017, doi: 10.1038/s41467-017-00427-5.
- Onishi S., Ugeda M.M., Zhang Y., Chen Y., Ojeda-Aristizabal C. Ryu H., Mo S.-K., Hussain Z., Shen Z.-X., Crommie M. F., Zettl A. // Phys. Status Solidi B, 1 (2016).
- Nakata Y., Sugawara K., Ichinokura S., Okada Y., Hito-sugi T., Koretsune T., Ueno K., Hasegawa S., Takahashi T., Takafumi Sato T. // 2D Materials and Applications 12 (2018).
- Dong J., Li C., Yang J., Chen B., Song H., Chen J., Peng W. // Cryst. Res. Technol. 51(11), 671 (2016).
- Wu J., Peng J., Yu Z., Zhou Y., Guo Y., Li Z., Lin Y., Ruan K., Changzheng Wu C., Xie Y. // J. Am. Chem. Soc. 2017, doi: 10.1021/jacs.7b11915.
- Zhao R., Grisafe B., Ghosh R.K., Holoviak S., Wang B., Wang K., Briggs N., Haque A., Datta S., Robinson S. J. // 2D Mater.2018, doi: 10.1088/2053-1583/aaa104.
- Tsoutsou D., Aretouli K.E., Tsipas P., Marquez-Velasco J., Xenogiannopoulou E., Kelaidis N., Giamini S. A., Dimoulas A. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 1836 (2016).
- Yin G., Zhao H., Feng J., Sun J., Yan J., Liu Z., Lin S., Liua S (F). // Journal of Materials Chemistry A 2018, doi: 10.1039/C8TA01143E.
- Wang H., Chen Y., Duchamp M., Zeng Q., Wang X., Tsang S. H., Li H., Jing L., Yu T., Teo E. H. T., Liu Z. // Adv. Mater. 30(8), 1704382 (2018).
- Chen P., Pai W. W., Chan Y.-H., Takayama A., Xu C.-Z., Karn A., Hasegawa S., Chou M.Y., Mo S.-K., Fedorov A. V., Chiang T.-C. // Nature Commun. 2017, doi: 10.1038/s41467-017-00641-1.
- Huifang M., Chen P., Li B., Li J., Ai R., Zhang Z., Sun G., Yao K., Lin Z., Zhao B., Wu R., Tang X., Duan X., Duan X. // Nano Lett. 2018, doi: 10.1021/acs.nanolett.8b00583.
- Cai Z., Liu B., Zou X., Cheng H.-M. // Chemical Re-views 2018, doi: 10.1021/acs.chemrev.7b00536.
- Kim H. U., Ahn C., Arabale G., Lee C., Kim T. // ECS Transactions, 58 (8) 47 (2013).
- Jeon M. H., Ahn C., Kim H. U., Kim K. N., LiN T. Z., Qin H., Kim Y., Lee S., Kim T., Yeom G. Y. // Nanotechnology 26, 355706 (2015).
- Kang K., Xie S., Huang L., Han Y., Huang P. Y., Mak K. F., Kim C.-J., David Muller D., Park J. // Nature, 520, 656 (2015).
- Eichfeld S. M., Hossain L., Lin Y.-C., Piasecki A. F., Kupp B., Birdwell A. G., Burke R. A., Lu N., Peng X., Li J., Azcatl A., McDonnell S., Wallace R. M., Kim M. J., Mayer T. S., Redwing J. M., Robinson J. A. // ACS Nano, 9, 2080 (2015).
- Huang W., Gan L., Li H., Ma Y., Zhai T. // Cryst. Eng. Comm. 2015, doi: 10.1039/C5CE01986A.
- Xu K., Yin L., Huang Y., Shifa T.A., Chu J., Wang F., Cheng R., Wanga Z., He J. // Nanoscale, 2016, doi: 10.1039/C6NR05976G.
- Sun Y., Luo S., Zhao X.-G., Biswas K., Li S.-L., Zhang L. // Nanoscale, 2018, doi: 10.1039/C7NR09486H.
- Wasala M., Sirikumara H. I., Sapkota Y. R., Hofer S., Mazumdar D., Jayasekera T., Talapatra S. // Journal of Materials Chemistry C 2017, doi: 10.1039/C7TC02866K.
- Wang Y., Li Y., Chen Z. // Journal of Materials Chemis-try C 2015, doi: 10.1039/C5TC01345C.
- Miro P., Audiffred M., Heine T. // Chem. Soc. Rev., 43, 6537 (2014).
- Sun Z., Lv H., Zhuo Z., Jalil A., Zhang W., Wu X., Yang J. // Journal of Materials Chemistry C 2018, doi: 0.1039/C7TC95303G
- Miro P., Ghorbani-Asl M., Heine T. // Angew. Chem. Int. Ed. 53, 3015–3018 (2014).
- Brent J. R., Lewis D. J., Lorenz T., Lewis E. A., Savjani N., Haigh S. J., Seifert G., Derby B., O’Brien P. // J. Am. Chem. Soc. 137, 12689−12696 (2015).
- Huang Y., Li L., Lin Y., Nan G.-W. // J. Phys. Chem. C, 2017, doi: 10.1021/acs.jpcc.7b06096.
- Wan W., Liu C., Xiao W., Yao Y. // Applied Physics Letters 111, 132904 (2017).
- Chowdhury C., Karmakar S., Ayan Datta A. // J. Phys. Chem. C, 2017, doi: 10.1021/acs.jpcc.6b12080.
- Shafique A., Shin Y.-H. // Scientific Reports 2017, doi: 10.1038/s41598-017-00598-7.
- Plushev V. E., Stepina S. B., Fedorov P. I. // Chemistry and technology of rare and scattered elements. Part I. Moscow, “Vishaya Shkola”, 1976.
- Semiconductors: Data Handbook. Madelung O., 2004, Springer.
- Huang W., Gan L., Li H., Ma Y., Zhai T. // Cryst. Eng. Comm. 2015, doi: 10.1039/C5CE01986A.
- Xu K., Yin L., Huang Y., Shifa T. A., Chu J., Wang F., Cheng R., Wanga Z., He J. // Nanoscale, 2016, doi: 10.1039/C6NR05976G.
- Zólyomi V., Drummond N.D., Fal’ko V.I. // Phys. Rev. B 89, 205416 (2014).
- Burton L. A., Colombara D., Abellon R. D., Groze-
ma F. C., Peter L. M., Savenije T. J., Dennler G., Walsh A. // Chem. Mater. 25, 4908 (2013). - Lewis D. J., Kevin P., Bakr O., Muryn C. A., Malik M. A., O’Brien P. // Inorg. Chem. Front., 1, 577 (2014).
- Lefebvre I., Szymanski M. A. // Phys. Rev. B, 58 (4), 1896 (1998).
- Ma Y., Dai Y., Guo M., Yu L., Huang B. // Physical Chemistry Chemical Physics 2013, doi: 10.1039/C3CP50233C.
- Rai P., Kaur S., Srivastava S. // Physica B: Physics of Condensed Matter. 2018, doi: 10.1016/j.physb.2017.12.023.
- Park H., Chung H., Kim W. // Mater. Lett. 2013, doi: 10.1016/j. matlet.2013.03.038i
- Gao T., Wang T. // Crystal Growth & Design, 10 (11), pp. 4995–5000 (2010).
- Galicia-Hernandez J. M., Sanchez-Castilio A., Morales de la Garza L., Cocoletzi G. H. // Bull. Mater. Sci. 2017, doi: 10.1007/s12034-017-1471-4.
- Ramasamy K., Kuznetsov V. L., Gopal K., Malik M. A., Raftery J., Edwards P. P., O’Brien P. // Chem. Mater. 25, 266−276 (2013).
- Sinsermsuksakul P., Heo J., Noh W., Hock A. S., Gor-don R. G. // Adv. Energy Mater. 1, 1116–1125 (2011).
- Dimitri D. Vaughn II, Patel R. J., Hickner M. A., Schaak R. E. J. // Am. Chem. Soc. 132, 15170–15172 (2010).
- Sánchez-Juárez A., Tiburcio-Silverb A., Ortizc A. // Thin Solid Films 480–481, 452–456 (2005).
- Peng H., Jiang L., Huang J., Li G. // Journal of Nano-particle Research, 9:1163–1166 (2007).
- Li L., Chen Z., Hu Y., Wang X., Zhang T., Chen W., Wang Q. // J. Am. Chem. Soc. 135, 1213−1216 (2013).
- Chen Z.-G., Shi X., Zhao L.-D., Zou J., High-performance SnSe thermoelectric materials:Progress and future challenge, Progress in Materials Science (2018), doi: 10.1016/j.pmatsci.2018.04.005.
- Su Y., Ebrish M. A., Olson E. J., Koester S. J. // Ap-plied Physics Letters 103, 263104 (2013).
- Chang K., Liu J., Lin H., Wang N., Zhao K., Zhang A., Jin F., Zhong Y., Hu X., Duan W., Zhang Q., Fu L., Xue Q.-K., Chen X., Ji S.-H. // Science, 353, issue 6296, pp. 274–278 (2016).
- Carey B. J., Ou J. Z., Clark R. M., Berean K. J., Zava-beti A., Chesman A. S. R., Russo S. P., Lau D. W. M., Xu Z.-Q., Bao Q., Kevehei O., Gibson B. C., Dickey M. D., Kaner R. B., Daeneke T., Kalantar-Zadeh K. // Nature Communication, 8:14482 (2017).
- Li X., Lin M.-W., Puretzky A. A., Idrobo J. C., Ma C., Chi M., Yoon M., Rouleau C. M., Kravchenko I. I., Geohegan D. B., Xiao K. // Scientific Reports, 4:5497 (2014).
- Li C., Huang L., Snigdha G.P., Yu Y., Cao L. // ACS Nano 2012, doi: 10.1021/nn303745e.
- Mukherjee B., Cai Y., Tan H. R., Feng Y. P., Tok E. S., Sow C. H. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 9594−9604 (2013).
- Wang R., Zhang W., Momand J., Ronneberger I., Jos E Boschker, Mazzarello R., Kooi B. J., Riechert H., Wuttig M., Calarco R. // NPG Asia Materials, 9 (6), e396 (2017).
- Momand J., Boschker J. E., Wang R., Calarco R., Kooi B. J. // Cryst. Eng. Comm., 20, 340–347 (2018).
- Xu Y., Zhao W., Xu R., Shi Y., Zhang B. // Chem. Commun. 2013, doi: 10.1039/c3cc46342g.
- Gao T., Wang T. // Crystal Growth & Design, 10 (11), 4995–5000 (2010).
- Dhanya A. C., Preetha K. C., Deepa K., Remadev T. L. // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 73, 012009 (2015).
- Yang S., Kelley D. F. // J. Phys. Chem. B, 109, 12701–12709 (2005).
- Zhao Y., Zhang Y., Zhu H., Hadjipanayis G. C., Xiao J. Q. // J. Am. Chem. Soc. 126, 6874–6875 (2004).
- Lin M., Wu D., Zhou Y., Huang W., Jiang W., Zheng W., Zhao S., Jin C., Guo Y., Peng H., Zhongfan Liu Z. // J. Am. Chem. Soc. 135, 13274−13277 (2013).
- Acharya S., Dutta M. Sarkar S., Basak D., Chakraborty S., Pradhan S. P. // Chem. Mater. 24, 1779−1785 (2012).
- Du W., Zhu J., Li S., Qian X. // Crystal Growth & De-sign, 8 (7), 2008.
- Huang W., Gan L., Yang H., Zhou N., Wang R., Wu W., Li H., Ma Y., Zeng H., Zhai T. // Adv. Funct. Mater. 1702448 (2017).
- Kamal C., Chakrabarti A., Ezawa M. // Phys. Rev. B 93, 125428 (2016).
- Almeida G., Dogan S., Bertoni G., Giannini C., Gaspari R., Perissinotto S,, Krahne R,, Ghosh S,, Manna L. // J. Am. Chem. Soc., 139, 3005−3011 (2017).
- Pistor P., Alvarez J.M.M., A., Leon M., Marco di Mich-iel, Schorr S., Klenk R., Lehmann S. // Acta Cryst. B72, 410–415 (2016).
- Tuoc V. N., Huan T. D. // J. Phys. Chem. C 2018, doi: 10.1021/acs.jpcc.8b04328.
- Behera H., Mukhopadhyay G. // 2014, arXiv:1305.6895v2
- Sun Y., Sun Z., Gao S., Cheng H., Liu Q., Piao J., Yao T., Wu C., Hu S., Wei S., Xie Y. // 2012, Nature Commun. 3:1057; doi: 10.1038/ncomms2066.
- Rao B. S., Kumar B. R., Chalapathi G. V., Reddy V. R., Rao T. S. // J. Nano- Electron. Phys., 3 (1), 620–625 (2011).
- Skelton J. M., Burton L. A., Oba F., Walsh A. // APL Mater. 5, 036101 (2017).
- Finkman E, Fisher B. // Solid State Communications, 50 (l), 25–28 (1984).
- Island J. O., Barawi M., Biele R., Almazán A., Clamagi-rand J. M., Ares J. R., Sánchez C., Herre S. J. van der Zant, Álvarez J. V., D’Agosta R., Ferrer I. J., Castellanos-Gomez A. // Adv. Mater., 27, 2595 (2015).
- Dai J., Li M., Zeng X. C. // WIREs Comput. Mol. Sci., 6:211–222 (2016).
- Li M., Dai J., Zeng X. C. // Nanoscale, 7, 15385–15391 (2015).
- Jin Y., Li X., Yang J. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2015, doi: 10.1039/c5cp02813b.
- Förster T., Krüger P., Rohlfin M. // Phys. Rev. B 93, 205442 (2016).
- Betancourt J., Li S., Dang X., Burton J.D., Tsymbal E. Y., Velev J. P. // J. Phys.: Condens. Matter 2016, 28 395501.
- Arabzadeh A., Salimi A. // Electroanalysis 2017, doi: 10.1002/elan.201600808.
- Yavorsky B. Y., Hinsche N. F., Mertig I., Zahn P. // Phys. Rev. B 84, 165208 (2011).
- Yu Y., Wang R. H., Chen Q., Peng L. M. // J. Phys. Chem. B, 110, 13415–13419 (2006).
- Yao J., Koski K. J., Luo W., Cha J. J., Hu L., Kong D., Narasimhan V. K., Huo K., Cui Y. // Nature Communications 2014 |5:5670|, doi: 10.1038/ncomms6670.
- Ma J., Zhou J.-P., Yang J., Zhao H.-S., Chen X.-M., Deng C.-Y. // AIP Advances 5, 067133 (2015).
- Li Y., Zhang J., Zheng G., Sun Y., Hong S. S., Xiong F., Wang S., Lee H. R., Cui Y.1. // ACS Nano. 2015; 9(11):10916-21.
- Tan C., Wang Q., Fu X. // Optical Materials Express, 4 (10), 2016, doi: 10.1364/ome.4.002016.
- Zheng C., Yu L., Zhu L., Collins J. L., Kim D., Lou Y., Xu C., Li M., Wei Z., Zhang Y., Edmonds M. T., Li S., Seide J., Zhu Y., Liu J. Z., Tang W.-X., Fuhrer M. S. // Sci. Adv. 2018;4: eaar7720.
- Tao X., Gu Y. // Nano Lett. 13, 3501−3505 (2013).
- Zhou J., Zeng Q., Lv D., Sun L., Niu L., Fu W., Liu F., Shen Z., Jin C., Liu Z. // Nano Lett. 2015, doi: 10.1021/acs.nanolett.5b01590
- Manolache S. A., Duta A. // Romanian Journal of Information Science and Technology, 11 (2), 109–121 (2008).
- Electronic properties of inorganic quasi-one-dimensional compounds. Ed. P. Monceau. Springer-Science+Business Media, B. V., 1985.
- Fedorov V. E., Artemkina S. B., Grayfer E. D., Naumov N. G., Mironov Y. V., Bulavchenko A. I., Zaikovskii V. I., Antonova I. V., Komonov A. I., Medvedev M. V. // J. Mater. Chem. C, 2, 5479–5486 (2014).
- Yu W., Zhu Z., Niu C.-Y., Cai X., Zhang W.-B. // 2016, arXiv:1510.04108v5 [physics.comp-ph].
- Kou L., Ma Y., Tan X., Frauenheim T., Du A., Smith S. // J. Phys. Chem. C 2015, doi: 10.1021/acs.jpcc.5b02096.
- Singh S., Romero A. H. // Phys. Rev. B 95, 165444 (2017).
- Pillai S. B., Dabhi S. D., Narayan S., Jha P. K. // AIP Conference Proceedings 1942, 090022 (2018); doi: 10.1063/1.5028937.
- Prete M. S. Conte A. M., Gori P., Bechstedt F., Pulci O. // Appl. Phys. Lett., 110, 012103 (2017).
- Şahin H., Cahangirov S., Topsakal M., Bekaroglu E., Akturk E., Senger R. T., Ciraci S. // Phys. Rev. B, 80, 155453 (2009).
- Nagashima A., Tejima N., Gamou Y., Kawai T., Oshima C. // Phys. Rtv. B, 51 (7), 4606 (1995).
- Bhimanapati G. R., Glavin N. R., Robinson J. A. // Semiconductors and Semimetals, 95, 101–147 (2016).
- Tsipas P., Kassavetis S., Tsoutsou D., Xenogiannopou-lou E., Golias E., Giamini S. A., Grazianetti C., Chiappe D., Molle A., Fanciulli M., Dimoulas A. // Appl. Phys. Lett., 103, 251605 (2013); doi: 10.1063/1.4851239.
- Al Balushi Z.Y., Wang K., Ghosh R.K., Vilá R.A., Eichfeld S.M., Caldwell J.D., Qin X., Lin Yu-C., DeSario P.A., Stone G., Subramanian S., Paul D.F., Wallace R.M. , Datta S., Joan M. Redwing J.M., Robinson J.A. // Nature Materials Lett., 15, pp. 1166–1171 (2016), doi: 10.1038/nmat4742.
- Liu H., Neal A. T., Zhu Z., Luo Z., Xu X., Tomanek D., Ye P. D. // ACS Nano, 8 (4), 4033–4041 (2014).
- Guan J., Zhu Z., Tománek D. // Phys. Rev. Lett., 113, 046804 (2014).
- Akhtar M., Anderson G., Zhao R., Alruqi A., Mroczkowska J. M., Sumanasekera G., Jasinski J. B. // 2D Materials and Applications, 2017, doi: 10.1038/s41699-017-0007-5.
- Sa B., Li Y., Qi J., Ahuja R., Sun Z. // J. Phys. Chem. C, 2014, doi: 10.1021/jp508618t.
- Ding K., Wen L., Huang S., Li Y., Zhang Y., Lu Y. // RSC Adv., 2016, 6, 80872, doi: 10.1039/c6ra10907a.
- Zhu Z., Tománek D. // Phys. Rev. Lett., 112, 176802 (2014).
- Wu M., Fu H., Zhou L., Yao K., Zeng X.C. // Nano Lett. 2015, doi: 10.1021/acs.nanolett.5b01041.
- Han W. H., Kim S., Lee In-Ho., Chang K. J. // J. Phys. Chem. Lett., 8, 4627–4632 (2017).
- Kaur S., Kumar A., Srivastava S., Tankeshwar K., Pan-dey R. // J. Phys. Chem. C 2018, doi: 10.1021/acs.jpcc.8b08566.
- Zhao T., He C. Y., Ma S. Y., Zhang K. W., Peng X. Y., Xie G. F. Zhong J. X. // J. Phys.: Condens. Matter 27 (2015) 265301 (6pp), doi:10.1088/0953-8984/27/26/265301.
- Schusteritsch G., Uhrin M., Pickard C. J. // Nano Lett. 2015, doi: 10.1021/acs.nanolett.5b05068.
- Wang H., Li X., Liu Z., Yang J. // Phys. Chem. Chem. Phys., 19, 2402–2408 (2017).
- Li P., Luo W. // Scientific Reports 2016, doi: 10.1038/srep25423.
- Xu M., He C., Zhang C., Tang C., Zhong J. // Phys. Sta-tus Solidi RRL, 2016, doi: 10.1002/pssr.201600085.
- Qiu M., Sun Z. T., Sang, D. K., Han X. G., Zhang H., Niu C. M. // Nanoscale, 9, 13384–13403 (2017).
- Zhang J. L., Zhao S., Han C., Wang Z., Zhong S., Sun S., Guo R., Zhou X., Gu C., Yuan K., Li Z., Chen W. // Nano Lett 2016, doi: 10.1021/acs.nanolett.6b01459,
- Zhang W., Enriquez H., Tong Y., Bendounan A., Kara A., Seitsonen A. P., Mayne A. J., Dujardin G., Oughaddou H. // Small 2018, 1804066, doi: 10.1002/smll.201804066.
- Meyer J. C., Geim A. K., Katsnelson M. I., Novoselov K. S., Booth T. J., Roth S. // Nature, 2007, 446, doi: 10.1038/nature05545.
- Garcia J. C., D. B. de Lima, Assali L. V. C., Justo J. F. // J. Phys. Chem. C, 115, 13242–13246 (2011).
- Li G., Li Y., Liu H., Guo Y., Li Y. Zhu D. // Chem. Commun., 46, 3256–3258 (2010).
- Kang J., Li J., Wu F., Li S.-S., Xia J.-B. // J. Phys. Chem. C, 115, 20466–20470 (2011).
- Sheng X.-L., Cui H.-J., Ye F., Yan Q.-B., Zheng Q.-R., Su G. // Journ. Appl. Phys., 112, 074315 (2012).
- Perim E., Paupitz R., Autreto P. A. S., Galvao D. S. // J. Phys. Chem. C, 118, 23670–23674 (2014).
- Denis P. A. // J. Phys. Chem. C, 118, 24976–24982 (2014).
- Cahangirov S., Topsakal M., Akturk E., Sahin H., Ciraci S. // Phys. Rev. Lett., 102, 236804 (2009).
- Grazianetti C., Cinquantaand E., Molle A. // 2D Mater. 2016, 3, 012001, doi: 10.1088/2053-1583/3/1/012001
- Liu C.-C., Jiang H., Yugui Yao Y. // Phys. Rev. B 84, 195430 (2011).
- Rivero P., Yan J.-A., Garcia-Suárez V.M., Ferrer J., Barraza-Lope S. // Phys. Rtv. B 90, 241408(R) (2014).
- Zhao H., Zhang C.-W., Ji W.-X., Zhang R.-W., Li S.-S., Yan S.-S., Zhang B.-M., Ping L. P., Wang P. J. // Scientific Reports, 2016, 6:20152, doi: 10.1038/srep20152.
- Wang G., Pandey R., Karna S. P. // ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 11490−11496, doi: 10.1021/acsami.5b02441.
- Kamal C., Ezawa M. // Phys. Rev. B 91, 085423 (2015).
- Aktürk E., Aktürk O. U., Ciraci S. // Phys. Rev. B 94, 014115 (2016).
- Lee J., Tian W.-C., Wang W.-L., Yao D.-X. // Scientific Reports 2015, 5:11512, doi: 10.1038/srep11512.
- Lin W., Li J., Wang W., Liang S.-D., Yao D.-X. // Scientific Reports 2018, 8:1674 | doi: 10.1038/s41598-018-19496-7.
- Li J.-S., Wang W.-L. // Scientific Reports 2016, 6:34177, doi: 10.1038/srep34177.
- Oganov A. R., Chen J., Gatti C., Ma Y., Ma Y., Glass C. W., Liu Z., Yu T., Kurakevych O. O., Solozhenko V. L. // Nature 457, 863–867 (2009).
- Adamska L., Sadasivam S., Foley J. J., Darancet P., Sharifzadeh S. // J. Phys. Chem. C, 2018, doi: 10.1021/acs.jpcc.7b10197.
- Feng B., Zhang J., Zhong Q.., Li W., Li S., Li H., Cheng P., Meng S., Chen L., Wu K. // Nature Chemistry 2016, doi: : 10.1038/nchem.2491.
- Feng B., Sugino O., Liu R.-Y., Zhang J., Yukawa R., Kawamura M., Iimor T.i, Kim H., Hasegawa Y., Li H., Chen L., Wu K., Kumigashira H., Komori F. // Phys. Rev. Lett., 118, 096401 (2017).
- Li W., Kong L., Chen C., Gou J., Sheng S., Zhang W., Li H., Chen L., Cheng P., Wu K. // Science Bulletin 2018, doi: /10.1016/j.scib.2018.02.006.
- Lopez-Bezanilla A., Littlewood P. B. // Phys. Rev. B 93, 241405(R) (2016).
- Luo Z., Fan X., An Y. // Nanoscale Research Lett., 2017, 12:514, doi: 10.1186/s11671-017-2282-7.
- Wang Z., Lü T.-Y., Wang H.-Q., Feng Y. P., Zheng J.-C. // Scientific Reports 2017, 7: 609, doi: 10.1038/s41598-017-00667-x.
- Mannix A. J., Zhou X.-F., Kiraly B., Wood J. D., Al-ducin D., Myers B. D., Liu X., Fisher B. L., Santiago U., Guest J. R., Yacaman M. J., Ponce A., Oganov A. R., Hersam M. C., Guisinger N. P. // Science 350 (6267), 1513–1516 (2015).
- Khan A. I., Chakraborty T., Acharjee N., Subrina S. // Scientific Reports 2017, 7: 16347, doi: 10.1038/s41598-017-16650-5.
283 Peng B., Zhang H., Shao H., Xu Y., Zhang R., Zhu H. // Journal of Materials Chemistry C. 2016, doi: 10.1039/c6tc00115g. - Pumera M., Sofer Z. // Adv. Mater. 2017, 1605299, doi: 10.1002/adma.201605299.
- Rasmussen F. A., Thygesen K. S. // J. Phys. Chem. C 2015, 119, 13169−13183, doi: 10.1021/acs.jpcc.5b02950.
- Chen X., Zhou Y., Liu Q., Li Z., Liu J., Zou Z. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 4, 3372–3377 (2012).
- Doudin N., Kuhness D., Blatnik M., Barcaro G., Negreiros F. R., Sementa L., Fortunelli A., Surnev S., Netzer F. P. // J. Phys. Chem. C 2016, 120, 28682–28693.
- Johansson M. B., Kristiansen P. T., Duda L., Niklasson G. A., Österlund L. // J. Phys.: Condens. Matter 28, 475802 (2016).
- Wang J., Liu C.-J. // Chem. Bio. Eng. Rev. 2 (5), 335–350 (2015).
- Zheng H., Ou J. Z., Strano M. S., Kaner R. B., Mitchell A., Kalantar-zadeh K. // Adv. Funct. Mater. 21, 2175–2196 (2011).
- Locherer K. R., Swainson I. P., Salje E. K. H. // J. Phys.: Condens. Matter 11, 4143–4156 (1999).
- Faudoa-Arzate A., Arteaga-Durán A., Saenz-Hernández R. J., Botello-Zubiate M. E., Realyvazquez-Guevara P. R., Matutes-Aquino J. A. // Materials 2017, 10, 200, doi: 10.3390/ma10020200.
- Johansson M. B., Baldissera G., Valyukh I., Persson C., Arwin H., Niklasson G. A., Osterlund L. // J. Phys.: Condens. Matter 25 (2013) 205502 (11 pp).
- Woodward P. M., Sleight A. W., Vogt T. // J. Phys. Chem. Solids, 56 (10), 1305–1315 (1995).
- Wang F., Di Valentin C., Pacchioni G. // J. Phys. Chem. C, 115, 8345–8353 (2011).
- Guimond S., Göbke D., Sturm J. M., Romanyshyn Y., Kuhlenbeck H., Cavalleri M., Freund H.-J. // J. Phys. Chem. C, 117, 8746–8757 (2013).
- Molina-Mendoza A. J., Lado J. I., Island J. O., Niño M. A., Aballe L., Foerster M., Bruno F. Y., López-Moreno A., Vaquero-Garzon L., van der Zant H. S. J., Rubio-Bollinger G., Agraït N., Pérez E. M., Fernández-Rossier J., Castellanos-Gomez A. // Chem. Mater. 2016, 28, 4042–4051, doi: 10.1021/acs.chemmater.6b01505.
- Chen J., Wei Q. // Int. J. Appl. Ceram. Technol. 2017, 1–6, doi: 10.1111/ijac.12750.
- Moura J. V. B., Silveira J. V., da Silva Filho J. G., Sou-za Filho A. G. S., Luz-Lima C., Freire P. T. C. // Vibrational Spec-troscopy 2018, doi: 10.1016/j.vibspec.2018.07.008.
- Yao D., Ou J. Z., Latham K., Zhuiykov S., O’Mullane A. P., Kalantar-zadeh K. // Cryst. Growth Des. 12, 1865–1870 (2012).
- McCarron III E. M., Calabrese J. C. // Journ. Sol. St. Chem. 91, 121–125 (1991).
- McGuire M. A. // Crystals 2017, 7, 121, doi: 10.3390/ cryst7050121.
- Lebegue S., Bjorkman T., Klintenberg M., Nieminen R. M., Eriksson O. // Phys. Rev. X 3, 031002 (2013).
- Jiang J., Liang Q., Meng R., Yang Q., Tan C., X. Sun X., Chen X. // Nanoscale, 2016, doi: 10.1039/C6NR07231C.
- Lado J. L., Fernández-Rossier J. // 2D Mater. 4, 035002 (2017).
- Wang H., Eyert V., Schwingenschlögl U. // J. Phys. Condens. Matter 23 (2011) 116003, doi: 10.1088/0953-8984/ 23/11/116003.
- Luo W., Xiang H. // Nano Letters< 2015, doi: 10.1021/ acs.nanolett.5b0041.
- Merlino S., Labella L., Marchett F., Toscani S. // Chem. Mater. 16, 3895–3903 (2004).
- Ashton M., Gluhovic D., Sinnott S. B., Guo J., Stewart D. A., Hennig R. G. // Nano Letters, 2017, doi: 10.1021/acs. nanolett.7b01367.
- Zhou Y., Lu H., Zu X., Fei Gao F. // Scientific Repots 2016, 6:19407, doi: 10.1038/srep19407.
- McGuire M. A., Jiaqiang Yan J., Lampen-Kelley P., May A. F., Cooper V. R., Lindsay L., Puretzky A., Liang L., San-tosh K. C., Cakmak E., Calder S., Sales B. C. // arXiv:1711.02708v1 [cond-mat.mtrl-sci] 7 Nov 2017.
- Kulish V. V., Wei Huang W. // J. Mater. Chem. C, 2017, doi: 10.1039/C7TC02664A.
- Torun E., Sahin H., Singh S. K., Peeters F. M. // Appl. Phys. Letters 106, 192404 (2015), doi: 10.1063/1.4921096.
- Zhang S.-H., Liu B.-G. // arXiv:1706.08943v2 [cond-mat.mes-hall] 7 Jul 2017.
- Maheshwari S., Savenije T. J., Renaud N., Grozema F. C. // J. Phys. Chem. C 2018, doi: 10.1021/acs.jpcc.8b05715.
- Bala A., Deb A. K., Kumar V. // J. Phys. Chem. C 2018, doi: 10.1021/acs.jpcc.7b11322.
- Pham Vu Nhat, Ngo Tuan Cuong, Pham Khac Duy, Minh Tho Nguyen // Chemical Physics 400, 185–197 (2012).
- Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S. V., Grigorienko I. V., Firsov A. A. // Science, 306, 666 (2004).
- Geim A. K. // Science, 324, 1530 (2009).
- Geim A. K. // Phys. Usp. 54(12) (2011).
- Novoselov K. S. // Phys. Usp. 54(12), 1227–1242 (2011).
- Koski K. J., Cui Y. // ACS Nano, 7(5), 3739 (2013).
- Zhuan Ti. Graphene patents lay base for industry boom. China Daily, 03/02/2017, page 17.
- Ferrari A. C. et al. Science and technology roadmap for graphene, related two-dimensional crystals, and hybrid systems // Nanoscale, 2014, pp. 1–343, doi: 10.1039/C4NR01600A.
- Eletskii A. V., Iskandarova I. M., Knizhnik A. A., Krasikov D. N. // Phys. Usp. 54, 227–258 (2011).
- Grayfer E. D., Makotchenko V. G., Nazarov A. S., Kim S.-J., Fedorov V. E. // Rus, Chem. Rev. 80(8), 751–770 (2011).
- Bonaccorso F., Lombardo A., Hasan T., Colombo L., Ferrari A. C. // Materials Today, 15, 564 (2012).
- Avouris P., Dimitrakopoulos C. // Materials Today, 15, 86 (2012).
- Volkova J. B., Rezchikova E. B., Shakhnov V. A. // Eng. Journ., 6 (2013).
- Sorokin P. B., Chernozatonskii L. A. // Phys. Usp. 56, 105–122 (2013).
- Chernozatonskii L. A., Sorokin P. B., Artukh A. A. // Rus, Chem. Rev. 83(3), 251–279 (2014).
- Chernozatonskii L. A., Artukh A. A. // Phys. Usp. 61, 2–28 (2018).
- Novoselov K. S., Jiang D., Chedin F., Booth T. J., Khot-kevich V. V., Morozov S. V., Geim A. K. // Proc. National Academy of Science (USA), 102, pp. 10451 (2005).
- Li X., Zhang G., Bai X., Wang X., Wang E., Dai H. // Nature Nanotechnology, 3, 538 (2008).
- Li D., Muller M. B., Gilje S., Kaner R. B., Wallace G. G. // Nature Nanotechnology, 3, pp. 101 (2008).
- Wu Z.-S., Ren W., Gao L., Zhao J., Chen Z., Liu B., Tang D., Yu B., Jiang C., Cheng H.-M. // ACS Nano, 3, 411 (2009).
- Mortazavi S. Z., Parvin P., Reyhani A. // Laser Phys. Let-ters, 9, 547 (2012).
- Abramov A. V., Arakelian S. M., Kochev D. A., Markov S. A., Prokoshev V. G., Kharkov K. S., Patent RU 2572325, 12.01.2015.
- Rollings E. R., Gweon G.-H., Zhou S. Y., Mun R. S., McChesney J. L., Husson B. S., Fedorov A. V., First P. N., W. A. de Heer, Lanzara A. // Journ. Phys. Chem. Sol., 67, 2172 (2006).
- Hass J., Feng R., Li T., Zong Z., W. A. de Heer, First P. N., Conrad E. H., Jeffrey C. A., Berger C. // Appl. Phys. Lett., 89, 143106 (2006).
- Emtsev K. V., Bostwick A., Horn K., Jobst J., Kellogg G. L., Ley L., McChesney J. L., Ohta T., Reshanov S. A., Rohrl J., Rotenberg E., Schmid A. K., Waldmann D., Weber H. B., Seyller T. // Nature Materials, 8, 203 (2009).
- Sutter P. // Nature Materials, 8, 171 (2009).
- Naguib M., Gogotsi Y. // Acc. Chem. Res., 48(1), 128 (2015).
- Alekseev N. I., Kalnin A. A., Karmanov D. D., Luchinin V. V., Tarasov S. A., Charykov N. A. // Journal of physical chemistry, 87, 1761 (2013).
- Sutter P. W., Flege J.-I., Sutter E. A. // Nature Materials, 7, 406 (2008).
- Coraux J., N’Diae A. T., Busse C., Michley T. // Nano Letters, 8, 565 (2008).
- Oshima C., Bannai E., Tanaka T., Kawai S. // Jpn. Journ. Appl. Phys., 16, 965 (1977).
- Antonova I. V. // Phys. Usp. 56, 1013–1020 (2013).
- Kim Keun S., Zhao Y., Lee S. Y., Kim J. M., Kim Kwang S., Ahn J.-H., Kim P., Choi J.-Y., Hong B. H. // Nature, 457, 706 (2009).
- Li X., Cai W., An J., Kim S., Nah J., Yang D., Piner R., Velamakanni A., Jung I., Tutuc E., Banerjee S. K., Colombo L., Ruoff R. S. // Science, 324, 1312 (2009).
- Bae S., Kim H., Lee Y., Xu X., Park J.-S., Zheng Yi., Balakrishnan J., Lei T., Kim H. R., Kim K. S., Ozyilmaz B., Ahn J.-H., Hong B. H., Iijima S. // Nature Nanotechnology, 5, 574 (2010).
- Li X., Magnuson C. W., Venugopal A., Tromp R. M., Hannon J. B., Vogel E. M., Colombo L., Ruoff R. S. // J. Am. Chem. Soc., 133, 2816 (2011).
- Polat E. O., Balci O., Kakenov N., Uzlu H. B., Kokabas C., Dahiya R. // Scientific Reports, 5, 16744 (2015).
- Wu W., Yu Q., Peng P., Liu Z., Bao J., Pei S.-S. // Nano-technology, 23, 035603 (2012).
- Marchene M., Janner D., Chen T. L., Finazzi V., Pruneri V. // Optical Materials Express, 6, 8, 2487 (2016).
- Sulaiman K., Ali A. Y., Elkington D., Ferron K., Ander-son K. F., Belcher W., Dastoor P., Zhou X. // Carbon N.Y., 107, 325 (2016).
- Jang J., Son M., Chung S., Kim K., Cho C., Lee B. H., Ham M. // Sci. Rep., 5, 17955 (2015).
- Vlassiouk I., Regmi M., Fulvio P., Datskos P., Eres G., Smirnov S. // ACS Nano, 5(7), 6069 (2011).
- Terasawa T.-O., Saiki K. // Carbon, 50, 869 (2012).
- Boyd D. A., Lin W.-H., Hsu C.-C., Teague M. L., Chen C.-C., Lo Y.-Y., Chan W.-Y., Su W.-B., Cheng T.-C., Chang C.-S., Wu C.-I., Yeh N.-C. // Nature Communications, 2015, doi: 10.1038/ncomms7620
- Fujita J.-I., Hiyama T., Hirukawa A., Kondo T., Nakamura J., Ito S.-i., Araki R., Takeguchi M., Pai W. W. // Scientific Re-ports, 7, 12371 (2017).
- Ding G., Zhu Y., Wang S., Gong Q., Sun L., Wu T., Xie X., Jiang M. // Carbon, 53, 321 (2013).
- Wang J., Zeng M., Tan L., Dai B., Deng Y., Rummeli M., Xu H., Li Z., Wang S., Peng L., Eckert J., Fu L. // Sci. Rep. 3, 2670 (2013).
- Murakami K., Tanaka S., Hirukawa A., Hiyama T., Kuwajima T., Kano E., Takeguchi M., Jun-ichi Fujita J.-i. // Appl. Phys. Lett., 106, 093112 (2015).
- Zhang B., Lee W. H., Piner R., Kholmanov I., Wu Y., Li H., Ji H., Ruoff R. S. // ACS Nano, 3, 2471 (2012).
- Guermoune A., Chari T., Popescu F., Sabri S.S., Guil-lemette J., Skulason H. S., Szkopek T., Siaj M. // Carbon, 49, 4204 (2011).
- Wu T., Ding G., Shen H., Wang H., Sun L., Zhu Y., Jiang D., Xie X. // Nanoscale, 2013, doi: 10.1039/C3NR00963G.
- Rummeli M. H., Bachmatiuk A., Scott A., Borrnert F., Warner G. H., Hoffman V., Lin J.-H., Cuniberti G., Buchner B. // ACS Nano, 4, 4206 (2010).
- Sun Z., Yan Z., Yao J., Beitler E., Zhu Y., Tour J. M. // Nature, 468, 549 (2010).
- Liu N., Fu L., Dai B., Yan K., Liu X., Zhao R., Zhang Y., Liu Z. // Nano Letters. 11, 297 (2011).
- Strupinski W., Grodecki K., Wysmolek A., Stepniewski R., Szkopek T., Gaskell P. E., Gruneis A., Haberer D., Bozek R., Krupka J., Baranowski J. M. // Nano Letters, 11, 1786 (2011).
- Fanton M. A., Robinson J. A., Puls C., Liu Y., Hollander M. J., Weiland B. E., LaBella M., Trumbull K., Kasarda R., Howsare C., Stitt J., Snyder D. W. // ACS Nano, 5, 8062 (2011).
- Sun J., Lindvall N., Cole M. T., Teo K. B. K., Yurgens A. // Appl. Phys. Lett., 98, 252107 (2011).
- Scott A., Dianat A., Börrnert F., Bachmatiuk A., Zhang S., Warner J. H., Borowiak-Paleń E., Knupfer M., Büchner B., Cuniberti G., Rummeli M. H. // Appl. Phys. Lett., 98, 073110 (2011).
- Ding X., Ding G., Xie X., Huang F., Jiang M. // Carbon, 49, 2552 (2011).
- Moseler M., Gumbsch P., Casiraghi C., Ferrari A. C., Robertson J. // Science, 309, 1545 (2005).
- Katsnelson M. I. Graphene: Carbon in Two Dimensions. – New York: Cambridge University Press, 2012.
- Alisultanov Z. Z. // JETP 122(2), 341 (2016).
- Bostwick A., Ohta T, McChesney J. L., Emtsev K. V., Seyller T., Karsten Horn K., Rotenberg E. // New Journal of Physics, 9, 385 (2007).
- Morozov S. V. // Phys. Usp. 55, 408–412 (2012).
- Kalikhman V. L., Umanskii Ya. S. // Sov. Phys. Usp. 15, 728–741 (1973).
- Duan X., Wang C., Pan A, Yu R., Duan X. Chem. Soc. Rev., 44, 8859 (2015).
- Kvashnin D. G., Chernozatonskii L. A. // JETP Letters, 105(4), 250 (2017).
- Lv R. T., Robinson J. A., Schaak R. E., Sun D., Sun Y., Mallouk T. E., Terrones M. // Acc.Chem. Res., 48, 56 (2015).
- Kumar A., Ahluwalia P. K. Eur. Phys. J. B, 85, 186 (2012).
- Geim A. K., Grigorieva I. V. // Nature, 499, 419 (2013).
- Zhuang H. L., Hennig R. G. // J. Phys. Chem. C, 117, 20440 (2013).
- Agarwal M. K., Capers M. J. // J. Appl. Cryst., 5, 63 (1972).
- Hicks W. T. J. // Electrochem. Soc., 9, 1058 (1964).
- Yun W. S., Han S. W., Hong S. C., Kim I. G., Lee J. D. // Phys. Rev. B, 85, 033305 (2012).
- Opalovskii A. A., Fedorov V. E. // Rus. Chem. Rev. 35(3), 186–204 (1966).
- Harold Schafer. Chemische Transportreaktionen (Verlag Chemie GmbH, Weinheim/Bergstr., 1961).
- Brixner L. H. // J. Inorg. Nucl. Chem., 24, 257 (1962).
- Magda G. Z., Pető J,, Dobrik G., Hwang C., Biró L. P., Tapasztó L. // Sci. Rep., 5, 14714 (2015).
- Hakkinen H. // Nature Chem., 4, 443 (2012).
- Lebègue S., Eriksson O. // Phys. Rev., B79, 115409 (2009).
- Kuc A., Zibouche N., Heine T. // Phys. Rev., B83, 245213 (2011).
- Heising J., Kanatzidis M. G. // J. Am. Chem. Soc., 121, 638 (1999).
- Jeong S., Yoo D., Ahn M., Miroґ P., Heine T., Cheon J. // Nature Commun., 6, 5763 (2015).
- Radisavljevic B., Radenovic A., Brivio J., Giacometti V., Kis A. // Nat. Nanotechnol., 6, 147 (2011).
- Zhang W., Huang Z., Zhang W., Li Y. // Nano Research, 7(12), 1731 (2014).
- Pu J., Yomogida Y., Liu K.-K., Li L.-J., Iwasa Y., Takenobu T. // Nano Lett., 12, 4013 (2012).
- Li X, Zhu H. // Journal of Materiomics 1 33–44 (2015).
- Zhan Y., Liu Z., Najmaei S., Pulickel M., Ajayan P. M., Lou J. // Small, 8(7), 966 (2012).
- Liu K.-K., Zhang W., Lee Y.-H., Lin Y.-C., Chang M.-T., Su C.-Y., Chang C.-S., Li H., Shi Y., Zhang H., Lai C.-S., Li L.-J. Nano Lett., 12, 1538 (2012).
- Shi Y., Zhou W., Lu A.-Y., Fang W., Lee Y.-H., Hsu A. L., Kim S. M., Kim K. K., Yang H. Y., Li L.-J., Idrobo J.-C., Kong J. // Nano Lett., 12, 2784 (2012).
- Lin Y.-C., Zhang W., Huang J.-K., Liu K.-K., Lee Y.-H., Chi-Te Liang C.-T., Chud C.-W., Li L.-J. // Nanoscale, 4, 6637 (2012).
- Yu Y., Li C., Liu Y., Su L., Zhang Y., Cao L. // Sci. Rep., 3, 1866 (2013).
- Najmaei S., Liu Z., Zhou W., Zou X., Shi G., Lei S., Yakobson B. I., Idrobo J.-C., Ajayan P. M., Lou J. // Nat. Mater. 2013:12:754-9.
- van der Zande A. M., Huang P. Y., Chenet D. A., Berkelbach T. C., You Y. M., Lee G.-H., Heinz T. F., Reichman D. R., David A., Muller D. A., Hone J. C. // Nat. Mater. 2013:12:554-61.
- Ji Q., Zhang Y., Gao T., Zhang Y., Ma D., Liu M., Chen Y., Qiao X., Tan P.-H., Kan M., Feng J., Sun Q., Liu Z. // Nano Lett., 2013:13:3870-7.
- McCreary K. M., Hanbicki A. T., Robinson J. T., Enrique Cobas E., Culbertson J. C., Friedman A. L., Jernigan G. G., Jonker B. J. // Funct. Mater., 24, 6449 (2014).
- Lin Y.-C., Lu N., Perea-Lopez N., Li J., Lin Z., Peng X., Lee C. H., Sun G., Calderin L., Browning P. N., Bresnehan M. S., Kim M. J., Mayer T. S., Terrones M., Robinson J. A. // ACS Nano, 2014:8:3715-23.
- Huang C.-C., Al-Saab F., Wang Y., Ou J.-Y., Walker J. C., Wang S., Gholipour B., Simpsond R. E., Hewaka D. W. // Nanoscale, 2014, doi: 10.1039/c4nr04228.
- Baek S. H., Choi Y., Choi W. // Nanoscale Research Lett., 10:388, (2015).
- Nihan Kosku Perkgöz //Anadolu University Journal of Science and Technology A- Applied Sciences and Engineering, 18(2), 375 (2017).
- Wang X., Gong Y., Shi G., Chow W. L., Keyshar K., Ye G., Vajtai R., Lou J., Liu Z., Ringe E., Tay B. K., Ajayan P. M. // ASC Nano, 2014, doi:10.1021/nn501175k
- Shaw J. C., Zhou H., Chen Y., Weiss N. O., Liu Y., Yu. Huang, Duan X. // Nano Res. 2014, doi: 10.1007/s12274-014-0417-z
- Boscher N. D., Carmalt C. J., Palgrave R. G., Gil-Tomas J. J., Parkin I. P. // Chem. Vap. Deposition, 12, 692 (2006).
- Carmalt C. J., Parkin I. P., Peters E. S. // Polyhedron, 22, 1499 (2003).
- Elıas A. L., Perea-Lopez N., Castro-Beltran A., Berkdemir A., Lv R., Feng S., Long A. D., Hayashi T., Kim Y. A., Endo M., Gutierrez H. R., Pradhan N. R., Balicas L., Mallouk T. E., Lopez-Urıas F., Terrones H., Mauricio Terrones M. // ACS Nano, 7(6), 5235 (2013).
- Wang X., Huang L., Jiang X.-W., Li Y., Wei Z., Li J. // J. Mater. Chem. C 4, 3143 (2016).
- Zhu Y., Wang X., Zhang M., Cai C., Xie L. // Nano Re-search 2016, doi: 10.1007/s12274-016-1178-7.
- Zhang M., Zhu Y., Wang X., Feng Q., Qiao S., Wen W., Chen Y., Cui M., Zhang J., Cai C., Xie L. // J. Am. Chem. Soc. 2015, 10.1021/jacs.5bp3807.
- Wang D., Zhang X., Liu H., Meng J., Xia J., Yin Z., Wang Y., You J., Meng X.-M. // 2D Mater., 4, 031012 (2017).
- He X., Liu F., Hu P., Fu W., Wang X., Zeng Q., Zhao W., Zheng Liu Z. // Small 2015, doi: 10.1002/smll.201501488.
- Gao J., Li L., Tan J., Sun H., Li B., Idrobo J. C., Singh C. V., Lu T.-M., Koratkar N. // Nano Lett. 2016, doi: 10.1021/acs.nanolett.6bo1180.
- Cui F., Wang C., Li X., Wang G., Liu K., Yang Z., Feng Q., Liang X., Zhang Z., Liu S., Lei Z., Liu Z., Xu H., Zhang J. // Adv. Mater. 2016, doi: 10.1002/adma.201600722.
- Keyshar K., Gong Y., Ye G., Brunetto G., Zhou W., Cole D. P., Hackenberg K., He Y., Machado L., Kabbani M., Hart A. H. C., Li B., Galvao D. S., George A., Vajtai R., Tiwary C. S., Ajayan P. M. // Adv. Mater., 27, 4640 (2015).
- Peters E. S., Carmalt C. J., Parkin I. P. // J. Mater. Chem., 14, 3474 (2004).
- Yuan J., Wu J., Hardy W. J., Loya P., Lou M., Yang Y., Najmaei S., Jiang M., Qin F., Keyshar K., Ji H., Gao W., Bao J., Kono J., Natelson D., Ajayan P.M., Lou J. Adv. Mater., 27, 5605 (2015).
- Feng J., Sun X., Wu C., Peng L., Lin C., Hu S., Yang J., Xie Y. // J. Am. Chem. Soc., 133, 17832 (2011).
- Zhang Z., Niu J., Yang P., Gong Y., Ji Q., Shi J., Fang Q., Jiang S., Li H., Zhou X., Gu L., Wu X., Zhang Y. // Adv. Ma-ter., 1702359 (2017).
- Empante T. A., Zhou Y., Klee V., Nguyen A. E., Lu I.-H., Valentin M. D., Alvillar S. A. N., Preciado E., Berges A. J., Merida C. S., Gomez M., Bobek S., Isarraraz M., Reed E. J., Bar-tels L. // ACS Nano, 11, 900 (2017).
- Zhou Z., Liu F., Lin J., Huang X., Xia J., Zhang B., Zeng Q., Wang H., Zhu C., Niu L., Wang X., Fu W., Yu P., Chang T.-R., Hsu C.-H., Wu D., Jeng H.-T., Huang Y., Lin H., Shen Z., Yang C., Lu L., Suenaga K., Zhou W., Pantelides S. T., Liu G., Liu Z. // Adv. Mater. 2016, doi: 10.1002/adma.201603471.
- Huang J.-H., Deng K.-Y., Liu P.-S., Wu C.-T., Chou C.-T., Chang W.-H., Lee Y.-J., Hou T.-H. // Adv. Mater. Interfaces 4, 1700157 (2017).
- Keum D. H., Cho S., Kim J. H., Choe D.-H., Sung H.-J., Kan M., Kang H., Hwang J.-Y., Kim S. W., Yang H., Chang K. J., Lee Y. H. // Nature Phys. 2015, doi: 10.1038/NPHYS3314.
- Wang L., Gutieґrrez-Lezama I., Barreteau C, Ubrig N., Giannini T., Morpurgo A. F. // Nature Commun. 2015, doi: 10.1038/ncomms9892
- Wang Y., Sofer Z., Luxa J., Pumera M. // Adv. Mater. Interfaces 2016, doi: 10.1002/admi.201600433.
- Huan Y., Shi J., Zou X., Gong Y., Zhang Z., Li M., Zhao L., Xu R., Jiang S. Zhou X., Hong M., Xie C., He Li H., Lang X., Zhang Q., Gu L., Yan X., Zhang Y. // Adv. Mater. 2018, doi: 10.1002/adma.201705916.
- Zeng Z., Yin Z., Huang X., Li H., He Q., Lu G., Boey F., Hua Zhang H. // Angew. Chem. Int. Ed., 50, 11093 (2011).
- Zeng Z., Sun T., Zhu J., Huang X., Yin Z., Lu G., Fan Z., Yan Q., Hng H. H., Zhang H. // Angew. Chem. Int. Ed., 51, 1 (2012).
- Wang Y., Li L., Yao W., Song S., Sun J. T., Pan J., Ren X., Li C., Okunishi E., Wang Y.-Q., Wang E., Shao Y., Zhang Y. Y., Yang Hai-tao, Schwier E. F., Iwasawa H., Shimada K., Taniguchi M., Cheng Z., Zhou S., Du S., Pennycook S. J., Pantelides S. T., Gao H.-J. // Nano Lett. 2015, doi: 10.1021/acs.nanolett.5b00964.
- Zhao Y., Qiao J., Yu P. , Hu Z., Lin Z., Lau S.P., Liu Z., Lau S.P., Liu Z., Ji W., Chai Y. // Adv. Mater. 28, 2399 (2016).
- Xu K., Huang Y., Chen B., Y., Lei W., Wang Z., Wang Q., Wang F., Yin L., He J. // Small 12(23), 3106 (2016).
- Aretouli K. E., Tsipas P., Tsoutsou D., Marquez-Velasco J., Xenogiannopoulou E., Giamini S.A., Vassalou E., Kelaidis N., Dimoulas A. // Appl. Phys. Lett. 106, 143105 (2015).
- Tsipas P., Tsoutsou D., Marquez-Velasco J., Aretouli K. E., Xenogiannopoulou E., Vassalou E., Kordas G.,
A. Dimoulas // Microelectronic Engineering 147, 269 (2015). - Zheng B., Chen Y., Wang Z., Qi F., Huang Z., Hao X., Li P., Zhang W., Li Y. // 2D Mater. 3 (2016) 035024.
- Aminalragia-Giamini S., Marquez-Velasco J., Tsipas P., Tsoutsou D., Renaud G., Dimoulas A. // 2D Mater. 4 (2017) 015001.
- Zhao S., Hotta T., Koretsune T., Watanabe K., Taniguchi T., Sugawara K., Takahashi T., Shinohara H., Kitaura R. // 2D Mater. 3 (2016) 025027.
- Wang H., Huang X., Lin J., Cui J., Chen Y., Zhu C., Liu F., Zeng Q., Zhou J., Yu P., Wang X., He H., Tsang S. H., Gao W., Suenaga K., Ma F., Yang C., Lu L., Yu T., Teo E. H. T., Liu G., Liu Z. // Nature Communications, 2017, doi: 10.1038/s41467-017-00427-5.
- Onishi S., Ugeda M.M., Zhang Y., Chen Y., Ojeda-Aristizabal C. Ryu H., Mo S.-K., Hussain Z., Shen Z.-X., Crommie M. F., Zettl A. // Phys. Status Solidi B, 1 (2016).
- Nakata Y., Sugawara K., Ichinokura S., Okada Y., Hito-sugi T., Koretsune T., Ueno K., Hasegawa S., Takahashi T., Takafumi Sato T. // 2D Materials and Applications 12 (2018).
- Dong J., Li C., Yang J., Chen B., Song H., Chen J., Peng W. // Cryst. Res. Technol. 51(11), 671 (2016).
- Wu J., Peng J., Yu Z., Zhou Y., Guo Y., Li Z., Lin Y., Ruan K., Changzheng Wu C., Xie Y. // J. Am. Chem. Soc. 2017, doi: 10.1021/jacs.7b11915.
- Zhao R., Grisafe B., Ghosh R.K., Holoviak S., Wang B., Wang K., Briggs N., Haque A., Datta S., Robinson S. J. // 2D Mater.2018, doi: 10.1088/2053-1583/aaa104.
- Tsoutsou D., Aretouli K.E., Tsipas P., Marquez-Velasco J., Xenogiannopoulou E., Kelaidis N., Giamini S. A., Dimoulas A. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 1836 (2016).
- Yin G., Zhao H., Feng J., Sun J., Yan J., Liu Z., Lin S., Liua S (F). // Journal of Materials Chemistry A 2018, doi: 10.1039/C8TA01143E.
- Wang H., Chen Y., Duchamp M., Zeng Q., Wang X., Tsang S. H., Li H., Jing L., Yu T., Teo E. H. T., Liu Z. // Adv. Mater. 30(8), 1704382 (2018).
- Chen P., Pai W. W., Chan Y.-H., Takayama A., Xu C.-Z., Karn A., Hasegawa S., Chou M.Y., Mo S.-K., Fedorov A. V., Chiang T.-C. // Nature Commun. 2017, doi: 10.1038/s41467-017-00641-1.
- Huifang M., Chen P., Li B., Li J., Ai R., Zhang Z., Sun G., Yao K., Lin Z., Zhao B., Wu R., Tang X., Duan X., Duan X. // Nano Lett. 2018, doi: 10.1021/acs.nanolett.8b00583.
- Cai Z., Liu B., Zou X., Cheng H.-M. // Chemical Re-views 2018, doi: 10.1021/acs.chemrev.7b00536.
- Kim H. U., Ahn C., Arabale G., Lee C., Kim T. // ECS Transactions, 58 (8) 47 (2013).
- Jeon M. H., Ahn C., Kim H. U., Kim K. N., LiN T. Z., Qin H., Kim Y., Lee S., Kim T., Yeom G. Y. // Nanotechnology 26, 355706 (2015).
- Kang K., Xie S., Huang L., Han Y., Huang P. Y., Mak K. F., Kim C.-J., David Muller D., Park J. // Nature, 520, 656 (2015).
- Eichfeld S. M., Hossain L., Lin Y.-C., Piasecki A. F., Kupp B., Birdwell A. G., Burke R. A., Lu N., Peng X., Li J., Azcatl A., McDonnell S., Wallace R. M., Kim M. J., Mayer T. S., Redwing J. M., Robinson J. A. // ACS Nano, 9, 2080 (2015).
- Huang W., Gan L., Li H., Ma Y., Zhai T. // Cryst. Eng. Comm. 2015, doi: 10.1039/C5CE01986A.
- Xu K., Yin L., Huang Y., Shifa T.A., Chu J., Wang F., Cheng R., Wanga Z., He J. // Nanoscale, 2016, doi: 10.1039/C6NR05976G.
- Sun Y., Luo S., Zhao X.-G., Biswas K., Li S.-L., Zhang L. // Nanoscale, 2018, doi: 10.1039/C7NR09486H.
- Wasala M., Sirikumara H. I., Sapkota Y. R., Hofer S., Mazumdar D., Jayasekera T., Talapatra S. // Journal of Materials Chemistry C 2017, doi: 10.1039/C7TC02866K.
- Wang Y., Li Y., Chen Z. // Journal of Materials Chemis-try C 2015, doi: 10.1039/C5TC01345C.
- Miro P., Audiffred M., Heine T. // Chem. Soc. Rev., 43, 6537 (2014).
- Sun Z., Lv H., Zhuo Z., Jalil A., Zhang W., Wu X., Yang J. // Journal of Materials Chemistry C 2018, doi: 0.1039/C7TC95303G
- Miro P., Ghorbani-Asl M., Heine T. // Angew. Chem. Int. Ed. 53, 3015–3018 (2014).
- Brent J. R., Lewis D. J., Lorenz T., Lewis E. A., Savjani N., Haigh S. J., Seifert G., Derby B., O’Brien P. // J. Am. Chem. Soc. 137, 12689−12696 (2015).
- Huang Y., Li L., Lin Y., Nan G.-W. // J. Phys. Chem. C, 2017, doi: 10.1021/acs.jpcc.7b06096.
- Wan W., Liu C., Xiao W., Yao Y. // Applied Physics Letters 111, 132904 (2017).
- Chowdhury C., Karmakar S., Ayan Datta A. // J. Phys. Chem. C, 2017, doi: 10.1021/acs.jpcc.6b12080.
- Shafique A., Shin Y.-H. // Scientific Reports 2017, doi: 10.1038/s41598-017-00598-7.
- Plushev V. E., Stepina S. B., Fedorov P. I. // Chemistry and technology of rare and scattered elements. Part I. Moscow, “Vishaya Shkola”, 1976.
- Semiconductors: Data Handbook. Madelung O., 2004, Springer.
- Huang W., Gan L., Li H., Ma Y., Zhai T. // Cryst. Eng. Comm. 2015, doi: 10.1039/C5CE01986A.
- Xu K., Yin L., Huang Y., Shifa T. A., Chu J., Wang F., Cheng R., Wanga Z., He J. // Nanoscale, 2016, doi: 10.1039/C6NR05976G.
- Zólyomi V., Drummond N.D., Fal’ko V.I. // Phys. Rev. B 89, 205416 (2014).
- Burton L. A., Colombara D., Abellon R. D., Groze-
ma F. C., Peter L. M., Savenije T. J., Dennler G., Walsh A. // Chem. Mater. 25, 4908 (2013). - Lewis D. J., Kevin P., Bakr O., Muryn C. A., Malik M. A., O’Brien P. // Inorg. Chem. Front., 1, 577 (2014).
- Lefebvre I., Szymanski M. A. // Phys. Rev. B, 58 (4), 1896 (1998).
- Ma Y., Dai Y., Guo M., Yu L., Huang B. // Physical Chemistry Chemical Physics 2013, doi: 10.1039/C3CP50233C.
- Rai P., Kaur S., Srivastava S. // Physica B: Physics of Condensed Matter. 2018, doi: 10.1016/j.physb.2017.12.023.
- Park H., Chung H., Kim W. // Mater. Lett. 2013, doi: 10.1016/j. matlet.2013.03.038i
- Gao T., Wang T. // Crystal Growth & Design, 10 (11), pp. 4995–5000 (2010).
- Galicia-Hernandez J. M., Sanchez-Castilio A., Morales de la Garza L., Cocoletzi G. H. // Bull. Mater. Sci. 2017, doi: 10.1007/s12034-017-1471-4.
- Ramasamy K., Kuznetsov V. L., Gopal K., Malik M. A., Raftery J., Edwards P. P., O’Brien P. // Chem. Mater. 25, 266−276 (2013).
- Sinsermsuksakul P., Heo J., Noh W., Hock A. S., Gor-don R. G. // Adv. Energy Mater. 1, 1116–1125 (2011).
- Dimitri D. Vaughn II, Patel R. J., Hickner M. A., Schaak R. E. J. // Am. Chem. Soc. 132, 15170–15172 (2010).
- Sánchez-Juárez A., Tiburcio-Silverb A., Ortizc A. // Thin Solid Films 480–481, 452–456 (2005).
- Peng H., Jiang L., Huang J., Li G. // Journal of Nano-particle Research, 9:1163–1166 (2007).
- Li L., Chen Z., Hu Y., Wang X., Zhang T., Chen W., Wang Q. // J. Am. Chem. Soc. 135, 1213−1216 (2013).
- Chen Z.-G., Shi X., Zhao L.-D., Zou J., High-performance SnSe thermoelectric materials:Progress and future challenge, Progress in Materials Science (2018), doi: 10.1016/j.pmatsci.2018.04.005.
- Su Y., Ebrish M. A., Olson E. J., Koester S. J. // Ap-plied Physics Letters 103, 263104 (2013).
- Chang K., Liu J., Lin H., Wang N., Zhao K., Zhang A., Jin F., Zhong Y., Hu X., Duan W., Zhang Q., Fu L., Xue Q.-K., Chen X., Ji S.-H. // Science, 353, issue 6296, pp. 274–278 (2016).
- Carey B. J., Ou J. Z., Clark R. M., Berean K. J., Zava-beti A., Chesman A. S. R., Russo S. P., Lau D. W. M., Xu Z.-Q., Bao Q., Kevehei O., Gibson B. C., Dickey M. D., Kaner R. B., Daeneke T., Kalantar-Zadeh K. // Nature Communication, 8:14482 (2017).
- Li X., Lin M.-W., Puretzky A. A., Idrobo J. C., Ma C., Chi M., Yoon M., Rouleau C. M., Kravchenko I. I., Geohegan D. B., Xiao K. // Scientific Reports, 4:5497 (2014).
- Li C., Huang L., Snigdha G.P., Yu Y., Cao L. // ACS Nano 2012, doi: 10.1021/nn303745e.
- Mukherjee B., Cai Y., Tan H. R., Feng Y. P., Tok E. S., Sow C. H. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 9594−9604 (2013).
- Wang R., Zhang W., Momand J., Ronneberger I., Jos E Boschker, Mazzarello R., Kooi B. J., Riechert H., Wuttig M., Calarco R. // NPG Asia Materials, 9 (6), e396 (2017).
- Momand J., Boschker J. E., Wang R., Calarco R., Kooi B. J. // Cryst. Eng. Comm., 20, 340–347 (2018).
- Xu Y., Zhao W., Xu R., Shi Y., Zhang B. // Chem. Commun. 2013, doi: 10.1039/c3cc46342g.
- Gao T., Wang T. // Crystal Growth & Design, 10 (11), 4995–5000 (2010).
- Dhanya A. C., Preetha K. C., Deepa K., Remadev T. L. // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 73, 012009 (2015).
- Yang S., Kelley D. F. // J. Phys. Chem. B, 109, 12701–12709 (2005).
- Zhao Y., Zhang Y., Zhu H., Hadjipanayis G. C., Xiao J. Q. // J. Am. Chem. Soc. 126, 6874–6875 (2004).
- Lin M., Wu D., Zhou Y., Huang W., Jiang W., Zheng W., Zhao S., Jin C., Guo Y., Peng H., Zhongfan Liu Z. // J. Am. Chem. Soc. 135, 13274−13277 (2013).
- Acharya S., Dutta M. Sarkar S., Basak D., Chakraborty S., Pradhan S. P. // Chem. Mater. 24, 1779−1785 (2012).
- Du W., Zhu J., Li S., Qian X. // Crystal Growth & De-sign, 8 (7), 2008.
- Huang W., Gan L., Yang H., Zhou N., Wang R., Wu W., Li H., Ma Y., Zeng H., Zhai T. // Adv. Funct. Mater. 1702448 (2017).
- Kamal C., Chakrabarti A., Ezawa M. // Phys. Rev. B 93, 125428 (2016).
- Almeida G., Dogan S., Bertoni G., Giannini C., Gaspari R., Perissinotto S,, Krahne R,, Ghosh S,, Manna L. // J. Am. Chem. Soc., 139, 3005−3011 (2017).
- Pistor P., Alvarez J.M.M., A., Leon M., Marco di Mich-iel, Schorr S., Klenk R., Lehmann S. // Acta Cryst. B72, 410–415 (2016).
- Tuoc V. N., Huan T. D. // J. Phys. Chem. C 2018, doi: 10.1021/acs.jpcc.8b04328.
- Behera H., Mukhopadhyay G. // 2014, arXiv:1305.6895v2
- Sun Y., Sun Z., Gao S., Cheng H., Liu Q., Piao J., Yao T., Wu C., Hu S., Wei S., Xie Y. // 2012, Nature Commun. 3:1057; doi: 10.1038/ncomms2066.
- Rao B. S., Kumar B. R., Chalapathi G. V., Reddy V. R., Rao T. S. // J. Nano- Electron. Phys., 3 (1), 620–625 (2011).
- Skelton J. M., Burton L. A., Oba F., Walsh A. // APL Mater. 5, 036101 (2017).
- Finkman E, Fisher B. // Solid State Communications, 50 (l), 25–28 (1984).
- Island J. O., Barawi M., Biele R., Almazán A., Clamagi-rand J. M., Ares J. R., Sánchez C., Herre S. J. van der Zant, Álvarez J. V., D’Agosta R., Ferrer I. J., Castellanos-Gomez A. // Adv. Mater., 27, 2595 (2015).
- Dai J., Li M., Zeng X. C. // WIREs Comput. Mol. Sci., 6:211–222 (2016).
- Li M., Dai J., Zeng X. C. // Nanoscale, 7, 15385–15391 (2015).
- Jin Y., Li X., Yang J. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2015, doi: 10.1039/c5cp02813b.
- Förster T., Krüger P., Rohlfin M. // Phys. Rev. B 93, 205442 (2016).
- Betancourt J., Li S., Dang X., Burton J.D., Tsymbal E. Y., Velev J. P. // J. Phys.: Condens. Matter 2016, 28 395501.
- Arabzadeh A., Salimi A. // Electroanalysis 2017, doi: 10.1002/elan.201600808.
- Yavorsky B. Y., Hinsche N. F., Mertig I., Zahn P. // Phys. Rev. B 84, 165208 (2011).
- Yu Y., Wang R. H., Chen Q., Peng L. M. // J. Phys. Chem. B, 110, 13415–13419 (2006).
- Yao J., Koski K. J., Luo W., Cha J. J., Hu L., Kong D., Narasimhan V. K., Huo K., Cui Y. // Nature Communications 2014 |5:5670|, doi: 10.1038/ncomms6670.
- Ma J., Zhou J.-P., Yang J., Zhao H.-S., Chen X.-M., Deng C.-Y. // AIP Advances 5, 067133 (2015).
- Li Y., Zhang J., Zheng G., Sun Y., Hong S. S., Xiong F., Wang S., Lee H. R., Cui Y.1. // ACS Nano. 2015; 9(11):10916-21.
- Tan C., Wang Q., Fu X. // Optical Materials Express, 4 (10), 2016, doi: 10.1364/ome.4.002016.
- Zheng C., Yu L., Zhu L., Collins J. L., Kim D., Lou Y., Xu C., Li M., Wei Z., Zhang Y., Edmonds M. T., Li S., Seide J., Zhu Y., Liu J. Z., Tang W.-X., Fuhrer M. S. // Sci. Adv. 2018;4: eaar7720.
- Tao X., Gu Y. // Nano Lett. 13, 3501−3505 (2013).
- Zhou J., Zeng Q., Lv D., Sun L., Niu L., Fu W., Liu F., Shen Z., Jin C., Liu Z. // Nano Lett. 2015, doi: 10.1021/acs.nanolett.5b01590
- Manolache S. A., Duta A. // Romanian Journal of Information Science and Technology, 11 (2), 109–121 (2008).
- Electronic properties of inorganic quasi-one-dimensional compounds. Ed. P. Monceau. Springer-Science+Business Media, B. V., 1985.
- Fedorov V. E., Artemkina S. B., Grayfer E. D., Naumov N. G., Mironov Y. V., Bulavchenko A. I., Zaikovskii V. I., Antonova I. V., Komonov A. I., Medvedev M. V. // J. Mater. Chem. C, 2, 5479–5486 (2014).
- Yu W., Zhu Z., Niu C.-Y., Cai X., Zhang W.-B. // 2016, arXiv:1510.04108v5 [physics.comp-ph].
- Kou L., Ma Y., Tan X., Frauenheim T., Du A., Smith S. // J. Phys. Chem. C 2015, doi: 10.1021/acs.jpcc.5b02096.
- Singh S., Romero A. H. // Phys. Rev. B 95, 165444 (2017).
- Pillai S. B., Dabhi S. D., Narayan S., Jha P. K. // AIP Conference Proceedings 1942, 090022 (2018); doi: 10.1063/1.5028937.
- Prete M. S. Conte A. M., Gori P., Bechstedt F., Pulci O. // Appl. Phys. Lett., 110, 012103 (2017).
- Şahin H., Cahangirov S., Topsakal M., Bekaroglu E., Akturk E., Senger R. T., Ciraci S. // Phys. Rev. B, 80, 155453 (2009).
- Nagashima A., Tejima N., Gamou Y., Kawai T., Oshima C. // Phys. Rtv. B, 51 (7), 4606 (1995).
- Bhimanapati G. R., Glavin N. R., Robinson J. A. // Semiconductors and Semimetals, 95, 101–147 (2016).
- Tsipas P., Kassavetis S., Tsoutsou D., Xenogiannopou-lou E., Golias E., Giamini S. A., Grazianetti C., Chiappe D., Molle A., Fanciulli M., Dimoulas A. // Appl. Phys. Lett., 103, 251605 (2013); doi: 10.1063/1.4851239.
- Al Balushi Z.Y., Wang K., Ghosh R.K., Vilá R.A., Eichfeld S.M., Caldwell J.D., Qin X., Lin Yu-C., DeSario P.A., Stone G., Subramanian S., Paul D.F., Wallace R.M. , Datta S., Joan M. Redwing J.M., Robinson J.A. // Nature Materials Lett., 15, pp. 1166–1171 (2016), doi: 10.1038/nmat4742.
- Liu H., Neal A. T., Zhu Z., Luo Z., Xu X., Tomanek D., Ye P. D. // ACS Nano, 8 (4), 4033–4041 (2014).
- Guan J., Zhu Z., Tománek D. // Phys. Rev. Lett., 113, 046804 (2014).
- Akhtar M., Anderson G., Zhao R., Alruqi A., Mroczkowska J. M., Sumanasekera G., Jasinski J. B. // 2D Materials and Applications, 2017, doi: 10.1038/s41699-017-0007-5.
- Sa B., Li Y., Qi J., Ahuja R., Sun Z. // J. Phys. Chem. C, 2014, doi: 10.1021/jp508618t.
- Ding K., Wen L., Huang S., Li Y., Zhang Y., Lu Y. // RSC Adv., 2016, 6, 80872, doi: 10.1039/c6ra10907a.
- Zhu Z., Tománek D. // Phys. Rev. Lett., 112, 176802 (2014).
- Wu M., Fu H., Zhou L., Yao K., Zeng X.C. // Nano Lett. 2015, doi: 10.1021/acs.nanolett.5b01041.
- Han W. H., Kim S., Lee In-Ho., Chang K. J. // J. Phys. Chem. Lett., 8, 4627–4632 (2017).
- Kaur S., Kumar A., Srivastava S., Tankeshwar K., Pan-dey R. // J. Phys. Chem. C 2018, doi: 10.1021/acs.jpcc.8b08566.
- Zhao T., He C. Y., Ma S. Y., Zhang K. W., Peng X. Y., Xie G. F. Zhong J. X. // J. Phys.: Condens. Matter 27 (2015) 265301 (6pp), doi:10.1088/0953-8984/27/26/265301.
- Schusteritsch G., Uhrin M., Pickard C. J. // Nano Lett. 2015, doi: 10.1021/acs.nanolett.5b05068.
- Wang H., Li X., Liu Z., Yang J. // Phys. Chem. Chem. Phys., 19, 2402–2408 (2017).
- Li P., Luo W. // Scientific Reports 2016, doi: 10.1038/srep25423.
- Xu M., He C., Zhang C., Tang C., Zhong J. // Phys. Sta-tus Solidi RRL, 2016, doi: 10.1002/pssr.201600085.
- Qiu M., Sun Z. T., Sang, D. K., Han X. G., Zhang H., Niu C. M. // Nanoscale, 9, 13384–13403 (2017).
- Zhang J. L., Zhao S., Han C., Wang Z., Zhong S., Sun S., Guo R., Zhou X., Gu C., Yuan K., Li Z., Chen W. // Nano Lett 2016, doi: 10.1021/acs.nanolett.6b01459,
- Zhang W., Enriquez H., Tong Y., Bendounan A., Kara A., Seitsonen A. P., Mayne A. J., Dujardin G., Oughaddou H. // Small 2018, 1804066, doi: 10.1002/smll.201804066.
- Meyer J. C., Geim A. K., Katsnelson M. I., Novoselov K. S., Booth T. J., Roth S. // Nature, 2007, 446, doi: 10.1038/nature05545.
- Garcia J. C., D. B. de Lima, Assali L. V. C., Justo J. F. // J. Phys. Chem. C, 115, 13242–13246 (2011).
- Li G., Li Y., Liu H., Guo Y., Li Y. Zhu D. // Chem. Commun., 46, 3256–3258 (2010).
- Kang J., Li J., Wu F., Li S.-S., Xia J.-B. // J. Phys. Chem. C, 115, 20466–20470 (2011).
- Sheng X.-L., Cui H.-J., Ye F., Yan Q.-B., Zheng Q.-R., Su G. // Journ. Appl. Phys., 112, 074315 (2012).
- Perim E., Paupitz R., Autreto P. A. S., Galvao D. S. // J. Phys. Chem. C, 118, 23670–23674 (2014).
- Denis P. A. // J. Phys. Chem. C, 118, 24976–24982 (2014).
- Cahangirov S., Topsakal M., Akturk E., Sahin H., Ciraci S. // Phys. Rev. Lett., 102, 236804 (2009).
- Grazianetti C., Cinquantaand E., Molle A. // 2D Mater. 2016, 3, 012001, doi: 10.1088/2053-1583/3/1/012001
- Liu C.-C., Jiang H., Yugui Yao Y. // Phys. Rev. B 84, 195430 (2011).
- Rivero P., Yan J.-A., Garcia-Suárez V.M., Ferrer J., Barraza-Lope S. // Phys. Rtv. B 90, 241408(R) (2014).
- Zhao H., Zhang C.-W., Ji W.-X., Zhang R.-W., Li S.-S., Yan S.-S., Zhang B.-M., Ping L. P., Wang P. J. // Scientific Reports, 2016, 6:20152, doi: 10.1038/srep20152.
- Wang G., Pandey R., Karna S. P. // ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 11490−11496, doi: 10.1021/acsami.5b02441.
- Kamal C., Ezawa M. // Phys. Rev. B 91, 085423 (2015).
- Aktürk E., Aktürk O. U., Ciraci S. // Phys. Rev. B 94, 014115 (2016).
- Lee J., Tian W.-C., Wang W.-L., Yao D.-X. // Scientific Reports 2015, 5:11512, doi: 10.1038/srep11512.
- Lin W., Li J., Wang W., Liang S.-D., Yao D.-X. // Scientific Reports 2018, 8:1674 | doi: 10.1038/s41598-018-19496-7.
- Li J.-S., Wang W.-L. // Scientific Reports 2016, 6:34177, doi: 10.1038/srep34177.
- Oganov A. R., Chen J., Gatti C., Ma Y., Ma Y., Glass C. W., Liu Z., Yu T., Kurakevych O. O., Solozhenko V. L. // Nature 457, 863–867 (2009).
- Adamska L., Sadasivam S., Foley J. J., Darancet P., Sharifzadeh S. // J. Phys. Chem. C, 2018, doi: 10.1021/acs.jpcc.7b10197.
- Feng B., Zhang J., Zhong Q.., Li W., Li S., Li H., Cheng P., Meng S., Chen L., Wu K. // Nature Chemistry 2016, doi: : 10.1038/nchem.2491.
- Feng B., Sugino O., Liu R.-Y., Zhang J., Yukawa R., Kawamura M., Iimor T.i, Kim H., Hasegawa Y., Li H., Chen L., Wu K., Kumigashira H., Komori F. // Phys. Rev. Lett., 118, 096401 (2017).
- Li W., Kong L., Chen C., Gou J., Sheng S., Zhang W., Li H., Chen L., Cheng P., Wu K. // Science Bulletin 2018, doi: /10.1016/j.scib.2018.02.006.
- Lopez-Bezanilla A., Littlewood P. B. // Phys. Rev. B 93, 241405(R) (2016).
- Luo Z., Fan X., An Y. // Nanoscale Research Lett., 2017, 12:514, doi: 10.1186/s11671-017-2282-7.
- Wang Z., Lü T.-Y., Wang H.-Q., Feng Y. P., Zheng J.-C. // Scientific Reports 2017, 7: 609, doi: 10.1038/s41598-017-00667-x.
- Mannix A. J., Zhou X.-F., Kiraly B., Wood J. D., Al-ducin D., Myers B. D., Liu X., Fisher B. L., Santiago U., Guest J. R., Yacaman M. J., Ponce A., Oganov A. R., Hersam M. C., Guisinger N. P. // Science 350 (6267), 1513–1516 (2015).
- Khan A. I., Chakraborty T., Acharjee N., Subrina S. // Scientific Reports 2017, 7: 16347, doi: 10.1038/s41598-017-16650-5.
283 Peng B., Zhang H., Shao H., Xu Y., Zhang R., Zhu H. // Journal of Materials Chemistry C. 2016, doi: 10.1039/c6tc00115g. - Pumera M., Sofer Z. // Adv. Mater. 2017, 1605299, doi: 10.1002/adma.201605299.
- Rasmussen F. A., Thygesen K. S. // J. Phys. Chem. C 2015, 119, 13169−13183, doi: 10.1021/acs.jpcc.5b02950.
- Chen X., Zhou Y., Liu Q., Li Z., Liu J., Zou Z. // ACS Appl. Mater. Interfaces, 4, 3372–3377 (2012).
- Doudin N., Kuhness D., Blatnik M., Barcaro G., Negreiros F. R., Sementa L., Fortunelli A., Surnev S., Netzer F. P. // J. Phys. Chem. C 2016, 120, 28682–28693.
- Johansson M. B., Kristiansen P. T., Duda L., Niklasson G. A., Österlund L. // J. Phys.: Condens. Matter 28, 475802 (2016).
- Wang J., Liu C.-J. // Chem. Bio. Eng. Rev. 2 (5), 335–350 (2015).
- Zheng H., Ou J. Z., Strano M. S., Kaner R. B., Mitchell A., Kalantar-zadeh K. // Adv. Funct. Mater. 21, 2175–2196 (2011).
- Locherer K. R., Swainson I. P., Salje E. K. H. // J. Phys.: Condens. Matter 11, 4143–4156 (1999).
- Faudoa-Arzate A., Arteaga-Durán A., Saenz-Hernández R. J., Botello-Zubiate M. E., Realyvazquez-Guevara P. R., Matutes-Aquino J. A. // Materials 2017, 10, 200, doi: 10.3390/ma10020200.
- Johansson M. B., Baldissera G., Valyukh I., Persson C., Arwin H., Niklasson G. A., Osterlund L. // J. Phys.: Condens. Matter 25 (2013) 205502 (11 pp).
- Woodward P. M., Sleight A. W., Vogt T. // J. Phys. Chem. Solids, 56 (10), 1305–1315 (1995).
- Wang F., Di Valentin C., Pacchioni G. // J. Phys. Chem. C, 115, 8345–8353 (2011).
- Guimond S., Göbke D., Sturm J. M., Romanyshyn Y., Kuhlenbeck H., Cavalleri M., Freund H.-J. // J. Phys. Chem. C, 117, 8746–8757 (2013).
- Molina-Mendoza A. J., Lado J. I., Island J. O., Niño M. A., Aballe L., Foerster M., Bruno F. Y., López-Moreno A., Vaquero-Garzon L., van der Zant H. S. J., Rubio-Bollinger G., Agraït N., Pérez E. M., Fernández-Rossier J., Castellanos-Gomez A. // Chem. Mater. 2016, 28, 4042–4051, doi: 10.1021/acs.chemmater.6b01505.
- Chen J., Wei Q. // Int. J. Appl. Ceram. Technol. 2017, 1–6, doi: 10.1111/ijac.12750.
- Moura J. V. B., Silveira J. V., da Silva Filho J. G., Sou-za Filho A. G. S., Luz-Lima C., Freire P. T. C. // Vibrational Spec-troscopy 2018, doi: 10.1016/j.vibspec.2018.07.008.
- Yao D., Ou J. Z., Latham K., Zhuiykov S., O’Mullane A. P., Kalantar-zadeh K. // Cryst. Growth Des. 12, 1865–1870 (2012).
- McCarron III E. M., Calabrese J. C. // Journ. Sol. St. Chem. 91, 121–125 (1991).
- McGuire M. A. // Crystals 2017, 7, 121, doi: 10.3390/ cryst7050121.
- Lebegue S., Bjorkman T., Klintenberg M., Nieminen R. M., Eriksson O. // Phys. Rev. X 3, 031002 (2013).
- Jiang J., Liang Q., Meng R., Yang Q., Tan C., X. Sun X., Chen X. // Nanoscale, 2016, doi: 10.1039/C6NR07231C.
- Lado J. L., Fernández-Rossier J. // 2D Mater. 4, 035002 (2017).
- Wang H., Eyert V., Schwingenschlögl U. // J. Phys. Condens. Matter 23 (2011) 116003, doi: 10.1088/0953-8984/ 23/11/116003.
- Luo W., Xiang H. // Nano Letters< 2015, doi: 10.1021/ acs.nanolett.5b0041.
- Merlino S., Labella L., Marchett F., Toscani S. // Chem. Mater. 16, 3895–3903 (2004).
- Ashton M., Gluhovic D., Sinnott S. B., Guo J., Stewart D. A., Hennig R. G. // Nano Letters, 2017, doi: 10.1021/acs. nanolett.7b01367.
- Zhou Y., Lu H., Zu X., Fei Gao F. // Scientific Repots 2016, 6:19407, doi: 10.1038/srep19407.
- McGuire M. A., Jiaqiang Yan J., Lampen-Kelley P., May A. F., Cooper V. R., Lindsay L., Puretzky A., Liang L., San-tosh K. C., Cakmak E., Calder S., Sales B. C. // arXiv:1711.02708v1 [cond-mat.mtrl-sci] 7 Nov 2017.
- Kulish V. V., Wei Huang W. // J. Mater. Chem. C, 2017, doi: 10.1039/C7TC02664A.
- Torun E., Sahin H., Singh S. K., Peeters F. M. // Appl. Phys. Letters 106, 192404 (2015), doi: 10.1063/1.4921096.
- Zhang S.-H., Liu B.-G. // arXiv:1706.08943v2 [cond-mat.mes-hall] 7 Jul 2017.
- Maheshwari S., Savenije T. J., Renaud N., Grozema F. C. // J. Phys. Chem. C 2018, doi: 10.1021/acs.jpcc.8b05715.
- Bala A., Deb A. K., Kumar V. // J. Phys. Chem. C 2018, doi: 10.1021/acs.jpcc.7b11322.
- Pham Vu Nhat, Ngo Tuan Cuong, Pham Khac Duy, Minh Tho Nguyen // Chemical Physics 400, 185–197 (2012).
Выпуск
Том 7, № 1 (2019)
Кол-во страниц: 92 страницы
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Корнеев А. В., Пшеничный А. А., Якубов Р. Х.
Особенности коммутации высоковольтного вакуумного диода плазмой вспомогательной искры 3
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Пономаренко В. П., Попов В. С., Попов С. В., Чепурнов Е. Л.
Фото- и наноэлектроника на основе двумерных 2D-материалов (обзор)
(Часть I. 2D-материалы: свойства и синтез) 10
Патрашин А. И., Ковшов В. С., Никонов А. В., Бурлаков И. Д.
Метод измерения абсолютной спектральной характеристики ИК МФПУ 49
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Сахаров Ю. В.
Изменение структуры и электрофизических свойств пористых пленок диоксида кремния при модификации углеродом в магнетронном разряде 55
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Климов А. В., Мануилов В. Н.
Численное моделирование анализатора параметров электронных пучков мощных гиротронов 63
Логинов В. В.
Новые ксеноновые короткодуговые лампы сверхвысокого давления с сапфировой оболочкой 70
Волков А. Д., Кравченко М. Д., Павлов А. В.
Стенд для исследования характеристик строу 76
Oхрем В. Г.
Новое термоэлектрическое холодильное устройство для получения низких температур 84
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
S. G. Davydov, A. N. Dolgov, A. V. Korneev, A. A. Pshenichniy, and R. Kh. Yakubov
Features of high-voltage vacuum diode switching plasma auxiliary spark 3
PHOTOELECTRONICS
V. P. Ponomarenko, V. S. Popov, S. V. Popov, and E. L. Chepurnov
Photo- and nanoelectronics based on two-dimensional 2D-materials (a review)
(Part I. 2D-materials: properties and synthesis) 10
A. I. Patrashin, V. S. Kovshov, A. V. Nikonov, and I. D. Burlakov
IR array absolute spectral characteristics measurement by an alternative method 49
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
Yu. V. Sakharov
Changes in the structure and electrophysical properties of porous silicon dioxide films during carbon modification in a magnetron discharge 55
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
A. V. Klimov and V. N. Manuilov
Numerical simulation of electrostatic analyzer of helical electron beams in powerful gyrotrons 63
V. V. Loginov
New high-pressure xenon short-arc lamps with sapphire shell 70
A. D. Volkov, M. D. Kravchenko, and A. V. Pavlov
The test bench to study the characteristic of straw tubes 76
V. G. Okhrem
New thermoelectric refrigeration device for receiving the low temperatures 84
Другие статьи выпуска
Фото- и наноэлектроника на основе двумерных 2D-материалов (обзор) (2019)
Авторы:
Пономаренко Владимир Павлович, Попов Виктор, Попов Сергей Викторович, Чепурнов Евгений Леонидович
Описаны методы синтеза, кристаллографические параметры и строение энергетических зон двумерных и квазидвумерных материалов, таких как графен, дихалькогениды переходных металлов IV-VIII групп, бинарные 2D-халькогениды IV, III и II групп вида AIV BVI, IV VI Am Bn, AIIIBVI, III VI Am Bn, AIIBVI, трихалькогениды Ti, Zr, Hf, Nb, Bi, Sb, 2D-материалы вида AVBV (AsN, AsP, PN, SbAs, SbN, SbP), 2D-нитриды вида AIIIN (A = Al, Ga, In, B), моноатомные 2D-материалы (фосфорен P, плюмбен Pb, станен Sn, германен Ge, силицен Si, антимонен Sb, арсенен As, висмутен Bi, борофен В, окто-нитроген 8-N), функциализированные графен и карбид кремния SiC, двумерные оксиды CO, SiO, GeO, SnO, диоксиды переходных металлов, германия и олова, триоксиды MoO3, WO3, ди- и тригалогениды переходных металлов.
Новое термоэлектрическое холодильное устройство для получения низких температур (2019)
Авторы:
Охрем Василий Георгиевич
Предложена модель термоэлектрического холодильного устройства, работающего на основе эффекта Пельтье, которое может быть использовано для получения глубокого охлаждения разного рода микроэлектронных приборов. Выполнен расчет глубины охлаждения этого устройства. Показано, что предложенное устройство может быть значительно более эффективным по сравнению с используемыми в настоящее время термоэлектрическими холодильниками. В статье сделан анализ полученных результатов, даны практические рекомендации.
Стенд для исследования характеристик строу (2019)
Приводятся конструкция и технические параметры стенда, предназначенного для исследования характеристик тонкостенных трубок – строу (straw). Описана методика и представлены результаты измерений характеристик строу диаметром 9,8 мм и толщиной стенки 20 мкм. Определена область упругой деформации, которая простирается до натяжения (1,850 0,002) кгс. Натяжение, превышающее эту величину, приводит к упругопластической деформации, при которой возрастают скорость релаксации натяжения и ползучесть материала строу. Измерен модуль упругости материала трубки, составляющий (4,44 0,05)109 Н/м2. Результаты исследований температур-ной зависимость модуля упругости позволяют выбрать оптимальную температуру работы строу-детектора. Определен коэффициент Пуассона материала трубки, требуемый для оценки изменения её натяжения в вакууме. Его величина составила 0,338 0,004. Для процесса релаксации впервые рассматривается наличие квазипостоянного остаточного натяжения на временном интервале срока службы детектора, определяемого величиной начального натяжения строу. Представленные результаты показывают высокую точность измерений.
Новые ксеноновые короткодуговые лампы сверхвысокого давления с сапфировой оболочкой (2019)
Авторы:
Логинов Владимир Владимирович
В работе выполнены экспериментальные исследования тепловых полей в газоразрядных лампах, позволившие расчетным путем определить конструктивные характеристики ксеноновой лампы сверхвысокого давления с сапфировой оболочкой. Предложенная конструкция газоразрядной лампы обладает бóльшей надежностью, соответствует по световым параметрам источнику излучения с шаровой кварцевой оболочкой, но по габаритным размерам меньше аналога в два раза.
Численное моделирование анализатора параметров электронных пучков мощных гиротронов (2019)
Авторы:
Климов А. В., Мануилов Владимир Николаевич
Впервые разработана методика численного моделирования анализатора винтовых электронных пучков (ВЭП) гиротронов, работающего на принципе тормозящего электрического поля. Методика учитывает трехмерность распределения электрического поля и позволяет проводить анализ схем анализаторов с различной конфигурацией электродов в области торможения электронного пучка с целью определения погрешностей измерений питч-фактора, скоростного разброса и вида функции распределения по осцилляторным скоростям, вносимых за счет сложной трехмерной пространственной структуры тормозящего поля. Методика применима для расчета степени искажения функции распределения при различных входных функциях распределения по осцилляторным скоростям, реализующихся в системах формирования ВЭП с различными топологиями пучков (пограничный, ламинарный, регулярно пересекающийся, перемешанный).
Изменение структуры и электрофизических свойств пористых пленок диоксида кремния при модификации углеродом в магнетронном разряде (2019)
Авторы:
Сахаров Юрий Владимирович
Предложен принципиально новый физический метод получения пористых пленок диоксида кремния в вакуумных условиях. Показано, что процесс самоорганизации, возникающий при модификации пленок диоксида кремния углеродом, приводит к формированию пространственно распределенных пор, изменяющих электрофизические свойства диэлектрических пленок и расширяющих их функциональное назначение. Исследованы электрофизические свойства и структура пористых пленок, полученных в результате самоорганизации при магнетронном распылении составной мишени в атмосфере кислорода. Установлены корреляции между пористостью, структурой и электрофизическими свойствами пористых пленок диоксида кремния, модифицированных углеродом. Выявлено, что формирование пористой структуры способствует повышению селективной адсорбционной способности пленок диоксида кремния преимущественно за счет капиллярной конденсации в мезапорах, а также стимулированной адсорбции.
Метод измерения абсолютной спектральной характеристики ИК МФПУ (2019)
Авторы:
Патрашин Александр Иванович, Ковшов Владимир Сергеевич , Никонов Антон Викторович, Бурлаков Игорь
Рассмотрены физические и технические аспекты реализации альтернативного метода измерения абсолютной спектральной характеристики ИК МФПУ (спектр токовой чувствительности, вольтовой чувствительности и квантовой эффективности) без участия спектральных приборов. Метод основан на многократном измерении выходного сигнала всех ФЧЭ, генерированного модулированным излучением черного тела (МЧТ) при разных его температурах. Cигнал измеряется на фоне суммы постоянных сигналов, обусловленных излучением фона, входного оптического окна, модулятора излучения МЧТ, темновым током ФЧЭ и постоянным сигналом БИС-мультиплексора. На измеренных сигналах ФЧЭ строится система интегральных уравнений Фредгольма первого рода. В ее левой части стоят измеренные сигналы МЧТ, а в правой части системы стоят аналитические выражения, описывающие данные сигналы. Решением системы являются абсолютные значения вышеуказанных спектральных компонент всех ФЧЭ МФПУ. Рассмотрена блок-схема установки измерения, проанализированы функциональные особенности ее работы и обоснованы требования к ее блокам. Показаны дополнительные преимущества нового метода по сравнению с существующими методами.
Особенности коммутации высоковольтного вакуумного диода плазмой вспомогательной искры (2019)
Авторы:
Давыдов Сергей Геннадьевич, Долгов Александр Николаевич, Якубов Рустам Халимович, Корнеев Андрей Владимирович, Пшеничный Александр Александрович
На основе анализа наблюдаемых в эксперименте вольт-амперных характеристик вакуумного диода с инжекцией плазмы поверхностного разряда сделано предположение о том, что первоначально проводящую среду в промежутке «катод-анод» создает ионизация остаточного газа излучением катодного пятна, сформированного на стадии искрового разряда по поверхности диэлектрика. Обнаружены свидетельства справедливости модели аномального ускорения ионов в вакуумном разряде на искровой стадии.
Статистика статьи
Статистика просмотров за 2025 - 2026 год.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400