Получены образцы a-C:H:SiOx пленок на подложках из кремния, нержавеющей ста-ли AISI 316L и сплава ВК-8 методом плазмохимического осаждения с использованием импульсного биполярного напряжения смещения подложки. Показана возможность нанесения a-C:H:SiOx пленки толщиной более 7 мкм с твердостью около 15 ГПа, высокой адгезионной прочностью и низкими внутренними напряжениями (менее 0,5 ГПа). Трибологические испытания показали, что пленки обладают низким коэффициентом трения (менее 0,08) и низкой скоростью износа (~10-7 мм3/Н∙м).
The a-C:H:SiOx films were deposited on silicon, stainless steel AISI 316L and WC-8%Co al-loy substrates by PACVD using a bipolar pulsed bias voltage applied to the substrate. The possibility of deposition of high adhesive 7 m thick a-C:H:SiOx films with a hardness of about 15–17 GPa and low internal stresses (less than 0.5 GPa) is shown. Tribological tests showed that the films have a low coefficient of friction (less than 0.08) and a low wear rate ( 10-7 mm3/N m).
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 43799641