Электрофизические параметры материалов группы нитридов и анализ методов их расчета (2020)
В работе исследованы методы определения концентрации и подвижности носителей заряда в материалах группы нитридов р- и n-типа проводимости, предложены выражения для определения коэффициента Холла и подвижности носителей заряда в образцах нестандартной формы, а также поправочные коэффициенты, уменьшающие погрешность измерений. Определены концентрации и подвижности в образцах на основе группы нитридов р- и n-типа проводимости методом Холла и методом Ван-дер-Пау для образцов разной геометрии с контактами различной формы.
Electrophysical parameters methods for calculations of concentration and charge carrier mobility in p- and n-type materials on the basis of nitrides have been investigated. Expres-sions for Hall coefficient calculation and the other charge carriers parameters in nonstand-ard shape samples have been proposed, including correction coefficients to reduce the meas-ure errors. Concentrations and motilities in p- and n-type samples based on nitrides were de-termined by Hall method and van der Pau method for different geometry samples with contacts of different shapes.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
621.383.5. Фотоприемники с запирающим слоем - eLIBRARY ID
- 43799639
В работе исследованы методы расчета концентрации и подвижности в образцах на основе группы нитридов р- и n-типа проводимости: метод Холла и метод Ван-дер-Пау.
Измерение параметров структур группы нитридов по методу Холла является наиболее распространенным методом измерений. Особенностью метода является выбор образца, используемого для измерений, который дол-жен быть классифицирован как стандартный образец Холла с четырьмя контактами в его торцах. Если образец имеет произвольную форму, то применяется метод Ван-Дер-Пау. Геометрия Ван-дер-Пау является наиболее часто используемой для большинства измерений электрофизических параметров. Для уточнения расчетов по методу Ван-дер-Пау введен f – коэффициент, учитывающий геометрическую форму образца и контактов, значение которого уточняется в зависимости от соотношения сопротивлений между контактами и удельным сопротивлением образца. Для образцов различной геометрии с контактами различной формы проведены расчеты погрешности подвижности и удельного сопротивления.
Для изготовления фотоприемных устройств выращивались гетероструктуры на основе GaN. Толстые структуры утоньшались для удаления дефектных слоев материала, что позволило получить хорошее соответствие между экспериментальными и теоретически-ми данными и привело к высокой подвижности электронов в образцах n-типа проводимости как при комнатной температуре ( = 1425 см2 В-1 c-1 при T = 273 К), так и при более низких температурах ( = 7500 см2 В-1 c-1 при T = 48 К).
Список литературы
- Anderson D. A., Apsley N. // Semiconductor Science and Technology. 1986. Vol. 1. Р. 187.
- Wasscher J. D. (1979) Electrical transport phenomena in MnTe5, an antiferromagnetic semiconductor. Dissertation, Philips. Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, Netherlands 1969, reproduced, in Laboratory Notes on Electrical and Galvanometric Measurements (ed. H. H. Wieder), Elsevier, Amsterdam.
- Look D. C. Electrical Characterization of GaAs Materials and Devices, John Wiley & Sons, Ltd., 1989.
- Yu P. Y., Cardona M. Fundamentals of Semiconductors. – Berlin: Springer, 1995.
- Seeger K. (1991) Semiconductor Physics, Springer Solid State Series, 5th edn, vol. 40, Springer, Berlin.
- David J. M., Buehler M. G. // Solid-State Electronics. 1977. Vol. 20. P. 539.
- DeMay G. // Archiv Electron Uebertragungstech. 1973. Vol. 27. P. 309.
- DeMey G. Potential calculations in Hall plates, in Advances in Electronics and Electron Physics, vol. 61 (eds L. Marton and C. Marton), Academic Press, New York, pp. 1–61.
- Chwang R., Smith B. J., Crowel C. R. // Solid-State Electronics. 1774. Vol. 17. P. 1217.
- Yun F., Reshchikov M. A., Jones K. M., Visconti P., Morkoз H., Park S. S., Lee K. Y. // Solid-State Electron-ics. 2000. Vol. 44. P. 2225.
- Huang D., Yun F., Visconti P., Reshchikov M. A., Jones K. M., Wang D., Morko H., Rode D. L., Farina L. A., Kurdak З., Tsen K. T., Park S. S., Lee K. Y. // Solid-State Electronics. 2001. Vol. 45. № 5. P. 711.
- D. A. Anderson and N. Apsley, Semiconductor Sci-ence and Technology 1, 187 (1986).
- J. D. Wasscher, (1979) Electrical transport phe-nomena in MnTe5, an antiferromagnetic semiconductor. Dissertation, Philips. Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, Netherlands 1969, reproduced, in Laboratory Notes on Electrical and Galvanometric Measurements (ed. H. H. Wieder), Elsevier, Amsterdam.
- D. C. Look, Electrical Characterization of GaAs Materials and Devices, John Wiley & Sons, Ltd., 1989.
- P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semi-conductors (Springer, Berlin, 1995).
- K. Seeger, Semiconductor Physics, Springer Solid State Series, 5th edn, vol. 40 (Springer, Berlin, 1991).
- J. M. David and M. G. Buehler, Solid-State Elec-tronics 20, 539 (1977).
- G. DeMay, (1973) Archiv Electron Uebertragung-stech 27, 309 (1973).
- G. DeMey, Potential calculations in Hall plates, in Advances in Electronics and Electron Physics, vol. 61
(eds L. Marton and C. Marton), (Academic Press, New York), pp. 1–61. - R. Chwang, B. J. Smith, and C. R. Crowel, Solid-State Electronics 17, 1217 (1774).
- F. Yun, M. A. Reshchikov, K. M. Jones, P. Viscon-ti, H. Morkoз, S. S. Park, and K. Y. Lee, Solid-State Electronics 44, 2225 (2000).
- D. Huang, F. Yun, P. Visconti, M. A. Reshchikov, K. M. Jones, D. Wang, H. Morko, D. L. Rode, L. A. Farina, З. Kurdak, K. T. Tsen, S. S. Park, and K. Y. Lee, Solid-State Electronics 45 (5), 711 (2001).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Новиков Н. Д., Василяк С. Л., Баркова М. И., Яненко Ю. Б.
Свойства металлоорганических супрамолекулярных комплексов углеродных квантовых нитей 167
Иванов И. Е.
Метод мгновенной частоты для анализа квазимонохроматических и шумовых СВЧ-сигналов 175
Бржозовский Б. М., Мартынов В. В., Молчанов C. Ю., Бахтеев И. Ш., Довгань А. А.
Распределение электрического поля в разрядной камере при щелевом вводе СВЧ-энергии 189
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Улькаров В. А., Яковлева Н. И., Никонов А. В.
Электрофизические параметры материалов группы нитридов и анализ методов их расчета 199
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Лелюхин А. С., Муслимов Д. А.
Численное моделирование пространственного распределения фотонов вторичного излучения 208
Гренадёров А. С., Соловьёв А. А., Оскомов К. В.
Механические и трибологические свойства a-C:H:SiOx пленок, полученных плазмо-химическим методом с использованием импульсного биполярного напряжения сме-щения подложки 216
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Полесский А. В., Агафонов И. В., Лопатина Е. А., Худолеева Е. А.
Использование приближенных формул расчёта величины потока излучения от «протяженного» абсолютно черного тела 224
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
N. D. Novikov, S. L. Vasilyak, M. I. Barkova, and Yu. B. Yanenko
Properties of organometallic supramolecular complexes of carbon quantum filaments 167
I. E. Ivanov
Instantaneous frequency method for the analysis of quasi-monochromatic and noise signals 175
B. M. Brzhozovskii, V. V. Martynov, S. Yu. Molchanov, I. S. Bahteev, and A. A. Dovgan
Study of distribution of the electric field in a plasma chamber with input slot of microwave energy 189
PHOTOELECTRONICS
V. A. Ulkarov, N. I. Yakovleva, and A. V. Nikonov
Electrophysical parameters of nitride group materials and experimental methods of their calculation 199
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
A. S. Lelyukhin and D. A. Muslimov
Numerical modeling of the spatial distribution of secondary radiation photons 208
А. S. Grenadyorov, А. А. Solovyev, and K. V. Oskomov
Investigation of mechanical and tribological properties of a-C:H:SiOx films deposited by PACVD using impulse bipolar bias voltage of the substrate 216
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
A. V. Polesskiy, I. V. Agafonov, E. A. Lopatina, and E. A. Khudoleeva
Using approximate formulas for calculating the radiation flux from an extended Absolute Black Body 224
Другие статьи выпуска
Статья посвящена получению формул, которые позволяют проводить приближенный расчет величины потока излучения, падающего на каждый элемент фотоприемных устройств (ФПУ). Применение оптимизированных формул дает возможность сократить машинное время, затрачиваемое для расчетов величины падающего потока при проведении измерений инфракрасных (ИК) ФПУ. Также был поведен анализ оценки дополнительной погрешности, вносимой приближенной формулой вычисления величины падающего потока при измерении параметров ФПУ с «холодной» диафрагмой круглой формы.
Получены образцы a-C:H:SiOx пленок на подложках из кремния, нержавеющей ста-ли AISI 316L и сплава ВК-8 методом плазмохимического осаждения с использованием импульсного биполярного напряжения смещения подложки. Показана возможность нанесения a-C:H:SiOx пленки толщиной более 7 мкм с твердостью около 15 ГПа, высокой адгезионной прочностью и низкими внутренними напряжениями (менее 0,5 ГПа). Трибологические испытания показали, что пленки обладают низким коэффициентом трения (менее 0,08) и низкой скоростью износа (~10-7 мм3/Н∙м).
В работе решается прикладная задача расчета профилей полей вторичного излучения, возбуждаемого в элементах конструкции линейного многоканального детектора, протяженного вдоль линии распространения первичного излучения. Приведен анализ влияния вторичного излучения на форму экспериментально регистрируемых абсорбционных кривых. Сделана постановка задачи и предложена методика моделирования, учитывающая взаимодействие со связанными электронами атомов. Выполнен численный расчет и выявлены закономерности формирования профилей полей вторичного излучения, обусловленные условиями возбуждения первичного излучения, физическими свойствами рассеивающей среды и размерами области облучения. Экспериментально показано, что в плоскости регистрации, непосредствен-но примыкающей к рассеивающему фантому, поля вторичного излучения имеют градиентную структуру.
Рассмотрены некоторые виды щелевого ввода больших значений энергии в цилиндрические и прямоугольные резонаторы. Выбран и оптимизирован ввод энергии через щелевые волноводные отверстия, расположенные на центральной окружности резонатора. Определен КСВ системы. Проведено моделирование изменения энергии электрического поля в резонаторе при смещении положения щелевого волновода. Показаны оптимальные (наилучшие для обработки плазмой СВЧ-разряда) положения объектов и волноводных щелей, а также критические положения (выбор которых может вывести генератор из строя). Рассчитано увеличение напряженности поля между двумя металлическими объектами. Получены результаты, демонстрирующие неприемлемый способ щелевого ввода энергии для решения некоторого типа задач, связанных с обработкой сложных поверхностей СВЧ-разрядом.
Для частотно-временного анализа нестационарных сигналов традиционно применяются различные варианты быстрого преобразования Фурье, а также более сложный в реализации вейвлет-анализ. В настоящей работе рассматривается упрощённый подход для быстрой обработки и анализа сигналов, основанный на измерении временных интервалов между локальными экстремумами (максимумами) осциллограммы. Обратная величина этого интервала называется мгновенной частотой. Этот метод позволяет исследовать сложные по частотно-временной структуре СВЧ-импульсы, даёт представление об изменении спектрального состава излучения в течение импульса, прост в реализации. Применение «метода мгновенной частоты» рассматривается на примере квазимонохроматических сигналов, сигналов с перескоком частот, сигналов с дрейфом частоты и шумовых сигналов, генерируемых мощными релятивистскими плазменными источниками СВЧ-излучения в интервале частот 0–4 ГГц. Метод позволяет эффективно сравнивать однотипные сигналы, а также строить трёхмерное изображение мгновенной частоты в координатах частота-время.
Ионно-плазменным способом в импульсном режиме с ионной стимуляцией синтезировались плёнки самоорганизованного двумерно-упорядоченного линейно-цепочечного углерода (ДУЛЦУ) толщиной 50–300 нм. В межцепочечное пространство плёнки ДУЛЦУ внедрялись атомы других элементов. Это осуществлялось путём их допирования в процессе синтеза или прямым контактным диффузионным взаимодействием. Отжиг таких систем приводит к изменению морфологических, оптических и электрофизических свойств. Внедрялись различные элементы, показаны структуры для образцов с платиной, никелем, серебром. Рассмотрены результаты исследования свойств плёнок ДУЛЦУ, интеркалированных серебром.
Показаны изменения структуры и свойств в процессе приготовления образцов: на атомном силовом микроскопе, на спектрофотометре Lambda-25, на просвечивающем электронном микроскопе. Рассмотрена электронограмма, доказывающая интеркалирование кластеров атомов серебра в плёнку ДУЛЦУ. Изменения электрических свойств показаны на примере датчика влажности, изготовленного на основе системы Ag–ДУЛЦУ–Sn.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400