Анализ статистических характеристик спекл-структуры, формируемой рассеянным лазерным излучением от шероховатой оптической поверхности (2022)
Исследованы статистические характеристики поля, рассеянного контролируемой шероховатой оптической поверхностью, и определены выражения для контраста спекл-структуры в зависимости от степени монохроматичности излучения лазера ИК-интерферометра. Приведены результаты экспериментальных исследований макетного образца лазерного ИК-интерферометра, построенного по модифицированной функциональной схеме Тваймана–Грина, с рабочей длиной волны излучения = 10,6 мкм и сформулированы рекомендации по выбору его элементной базы.
Statistical characteristics of the field scattered by a controlled rough optical surface are inves-tigated and expressions for the contrast of the speckle structure are determined depending on the degree of monochromaticity of the IR interferometer laser radiation. The results of experimental studies of a mock-up sample of a laser IR interferometer constructed according to a modified Twyman–Green functional scheme with an operating wavelength of radiation = 10.6 microns are presented and recommendations on the choice of its element base are formulated.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/2307-4469-2022-10-5-480-489
- eLIBRARY ID
- 49616641
Проведённый в данной работе анализ, позволяет сделать вывод о том, что качество получаемых изображений интерференционных картин на стадии грубого и среднего шлифований ухудшается в результате разрушения пространственной когерентности рассеянного электромагнитного излучения и, как следствие, образования спекл-структуры в изображениях.
Таким образом, качество изображений интерферограмм, получаемых при контроле оптических поверхностей на этих стадиях шлифования, требует специальных мер обеспечивающих уменьшение контраста спекл-структур и повышения отношения сиг-нал/шум в регистрируемом изображении.
Список литературы
- Goodman J. W. Speckle phenomena in optics: theory and applications. – Colorado: Roberts and Company, 2006.
- Франсон М. Оптика спеклов. – М.: Мир, 1980.
- Гудмен Дж. Статистическая оптика. – М.: Мир, 1988.
- Рытов С. М. Введение в статистическую радиофизику. Случайные поля. Часть II. – М.: Наука, 1966.
- Beckmann P., Spizzichino A. The Scattering of Electromagnetic Waves from Rough Surface. – Norwood: Pergamon Press, ARTECH HOUSE, 1987.
- Денисов Д. Г., Карасик В. Е. // Вестник Московского государственного технического университета им. Н. Э. Баумана. Серия Приборостроение. 2011. № 2 (83). С. 36.
- J. W. Goodman, Speckle phenomena in optics: the-ory and applications. (Roberts and Company, Colorado, 2006).
- M. Franson, Optics specklov. (MIR, Moscow, 1980).
- J. Goodman, Statistical Optics. (Mir, Moscow, 1988).
- S. M. Rytov, Introduction to statistical radiophysics. Random fields. Part II. (Nauka, Moscow, 1966).
- P. Beckmann and A. Spizzichino, The Scattering of Electromagnetic Waves from Rough Surface. (Pergamon Press, ARTECH HOUSE, Norwood, 1987).
- D. G. Denisov and V. E. Karasik, Bulletin of the Bauman Moscow State Technical University. Instrumentation series, No. 2 (83), 36 (2011).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Иванов В. А., Коныжев М. Е., Камолова Т. И., Дорофеюк А. А.
Время жизни катодных пятен на поверхности титана при возбуждении микроплазменного разряда 425
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Андрейчиков К. С., Астахов В. П., Чеканова Г. В.
Обеспечение стойкости планарных фотодиодных кристаллов из антимонида индия к коротковолновому облучению 440
Овсянников В. А., Овсянников Я. В.
Об оценке конкурентоспособности современных тепловизионных приборов по дальности действия 447
Трофимов А. А., Ухабин О. А., Смирнов А. С., Курепин С. А., Денисов И. А., Гончаров А. Е., Новикова А. А., Можаева М. О., Гладышева К. А., Косякова А. М., Малыгин В. А., Кузнецова С. А., Улькаров В. А., Размахнин И. Д.
Применение полировальных суспензий на основе поликристаллического алмаза детонационного синтеза в высокопрецизионных процессах обработки соединения кадмий-цинк-теллур 459
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Гренадёров А. С., Оскирко В. О., Захаров А. Н., Гончаренко И. М., Работкин С. В., Соловьёв А. А., Семёнов В. А.
Структура и свойства аустенитной стали AISI 316L после безводородного азотирования 469
Денисов Д. Г., Патрикеева А. А., Морозов А. Б.
Анализ статистических характеристик спекл-структуры, формируемой рассеянным лазерным излучением от шероховатой оптической поверхности 480
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Лепешкин С. Н., Молчанов В. В., Шанин Ю. И., Шарапов И. С.
Проектирование, изготовление и испытания гальванометрического сканера 490
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
Ivanov V. A., Konyzhev M. E., Kamolova T. I., and Dorofeyuk A. A.
Lifetime of cathode spots on the titanium surface when exciting a microplasma discharge 425
PHOTOELECTRONICS
Andreichikov K. S., Astakhov V. P., and Chekanova G. V.
Provide of planar photodiode crystals from indium antimonide resistance to shortwave irradiation 440
Ovsyannikov V. A. and Ovsyannikov Y. V.
On competitiveness control of modern thermal imaging devices in terms of range 447
Trofimov A. A., Ukhabin O. A., Smirnov A. S., Kurepin S. A., Denisov I. A., Goncharov A. E., Novikova A. A., Mozhaeva M. O., Gladysheva K. A., Kosyakova A. M., Malygin V. A., Kuznetsova S. A., Ul’karov V. A., and Razmakhnin I. D.
Application of polishing suspensions based on polycrystalline diamond detonation synthesis in high-precision processing of cadmium-zinc-telluride 459
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
Grenadyorov A. S., Oskirko V. O., Zakharov A. N., Goncharenko I. M., Rabotkin S. V., Solovyev A. A., and Semenov V. A.
Structure and properties of AISI 316l austenitic steel after active screen plasma hydrogen free plasma nitriding 469
Denisov D. G., Patrikeeva A. A., and Morozov A. B.
Analysis of statistical characteristics of the speckle structure, generated by scattered laser radiation from a rough optical surface 480
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
Lepeshkin S. N., Molchanov V. V., Shanin Yu. I., and Sharapov I. S.
Design, manufacture and testing of a galvanometer scanner 490
Другие статьи выпуска
Гальванометрический сканер (гальвосканер) – устройство для осуществления поворота лазерного пучка на определенный угол. В статье рассмотрены как подходы к проектированию элементов гальвосканера (электродвигателя постоянного тока, сканирующего зеркала, датчика угла поворота, платы драйвера управления гальвосканером), так и результаты испытаний его работоспособности после изготовления. Привод зеркала и датчика осуществлялся бесколлекторным моментным электродвигателем постоянного тока с ротором из постоянного сильного магнита, изготовленного из неодима, бора и железа – NdFeB. Зеркала изготавливались из моно-кристаллического кремния и рассчитаны на апертуру входного лазерного пучка 15 мм. Зеркала имеют отражающее покрытие, обеспечивающее коэффициент зеркального отражения R 99,6 % для длины волны лазера = 10801 нм. Разработана конструкция оптического абсолютного датчика угла поворота (энкодер) с применением светодиодов и фотодиодов. При разработке платы управления (драйвера) гальвосканером использована гибридная аналогово-цифровая архитектура, цифровая часть драйвера – цифровой сигнальный процессор.
Гальвосканеры были испытаны на работоспособность по разработанной программе и методике на специальном стенде и оборудовании, изготовленном для испытаний. В результате испытаний основные проектные характеристики (углы сканирования, шаг сканирования, скорость сканирования и позиционная повторяемость, температурное смещение нуля и долговременный дрейф) были превышены.
Работа посвящена плазменному безводородному азотированию аустенитной стали марки AISI 316L (отечественный аналог 03Х17Н14М3). Продемонстрировано, что плазменное азотирование с активным экраном позволяет сформировать твердые диффузионные слои при температуре 570 оС. Без активного экрана формирование упрочненных слоев в безводородной среде происходило при температуре 600 оС и они обладали меньшей толщиной. Увеличение длительности процесса азотирования с активным экраном с 30 до 360 мин привело к увеличению толщины упрочненных слоев с 20 до 100 мкм и повышению содержания фазы расширенного аустенита (S-фаза). Увеличение длительности азотирования сопровождается снижением коррозионной стойкости обработанных образцов AISI 316L. При относительно небольшом времени азотирования удалось сформировать твердые слои толщиной до 20 мкм при сохранении высокой коррозионной стойкости образцов.
Приведены результаты исследования поверхности образца кадмий-цинк-теллур после обработки различными суспензиями детонационных алмазных порошков. Показано, что применение полировальных суспензий на основе поликристаллического алмаза детонационного синтеза отечественного производства в части получения качества полированной поверхности не уступает импортным аналогам.
Развита методика прогнозирования основного показателя эффективности – дальности распознавания объектов – современных высокочувствительных тепловизионных приборов (ТВП), работающих в обычном для них контрастно-ограниченном режиме, в котором их эффективность лимитируются не шумом прибора, а предельной контрастной чувствительностью зрительного аппарата оператора-дешифровщика. Выполнен сравнительный анализ существующих зарубежных и отечественных условий и методик натурных испытаний ТВП на дальность распознавания ими типового тест-объекта – танка. Показано, что, несмотря на существенное различие методик, полученные экспериментальные оценки этого показателя эффективности могут быть корректно сопоставлены с соответствующими данными для зарубежных аналогов независимо от теплового контраста тест-объекта и погодных условий. Описана процедура оценки достоверности результатов полевых испытаний ТВП на дальность действия. Приведены примеры реализации полученных результатов.
Работа посвящена модернизации топологии планарных фотодиодных кристаллов (ФДК) из антимонида индия с целью обеспечения их стойкости к коротковолновому ( 1 мкм) облучению, а также экспериментальной оценке результатов модернизации. Показано, что стойкими к коротковолновому облучению при рабочих температурах (вблизи 77 К), являются такие ФДК, в контактные системы которых включены экраны, непрозрачные для коротковолнового излучения. Определены и экспериментально подтверждены требования к геометрическим параметрам, местоположению и электрическим связям экранов в контактной системе ФДК.
Экспериментально исследована структура свечения микроплазменного разряда, инициируемого в вакууме импульсным потоком внешней плазмы на поверхности титанового образца, покрытого естественной сплошной оксидной пленкой толщиной 2–6 нм. При воздействии плазмы с плотностью около 1013 см–3 и электронной температурой 10 эВ на поверхность образца, с отрицательным потенциалом 400 В относительно потенциала плазмы, внешняя поверхность оксидной пленки приобретает положительный электрический заряд в результате потока ионов из плазмы. При этом внутри диэлектрической пленки возникает сильное электрическое поле около 4 МВ/см. Электрический пробой между заряженной поверхностью пленки и металлом инициирует возбуждение микроплазменного разряда на поверхности титана. Интегральное свечение микроплазменного разряда в макромасштабе представляет собой разветвленную структуру типа дендрита, которая в микромасштабе состоит из большого количества ярко светящихся «точечных» образований – локализованных на поверхности металла катодных пятен и свечения ореола вокруг них. С помощью высокоскоростного фоторегистратора IMACON-468 исследован фрагмент поверхности титана площадью 0,50,4 мм2 в области свечения катодных пятен. На основе анализа оптического свечения катодных пятен на 7 последовательных кадрах фоторегистратора с экспозицией каждого кадра 100 нс и интервалом между кадрами 400 нс рассчитано ожидаемое «время жизни» катодных пятен в интервале значений 0,50,2 мкс. По пространственному распределению свечения микроразрядов определено, что средний диаметр катодных пятен составляет величину около 164 мкм, при этом средний размер светящегося ореола вокруг отдельного катодного пятна достигает значения 100 мкм.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400