Публикации автора

Изучено влияние γ-облучения на диэлектрические свойства и ac-проводимость поперек слоев монокристаллов TlGaSe2 из разных технологических партий в частотной области 5⋅104 — 3,5⋅107 Гц. Показано, что γ-облучение монокристаллов TlGaSe2 дозами 3⋅104 и 2,25⋅106 рад приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости, а также изменяет природу диэлектрических потерь. В γ-облученных монокристаллах TlGaSe2 установлен прыжковый характер ac-проводимости вблизи уровня Ферми и оценены плотность и энергетический разброс локализованных в окрестности уровня Ферми состояний, а также среднее время и расстояние прыжков.