Разработка фотокатодов солнечно-слепого диапазона на основе ГЭС нитрида галлия алюминия, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии (2015)
В статье показана возможность создания фотоэлектронного прибора с микроканальным усилением и ОЭС-фотокатодом на основе гетероструктуры AlGaN: Mg/AlN/c-Al203, выращенной на стандартной сапфировой подложке и полученной методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№4 (2015)