Публикации автора

Эффекты переключения и памяти в полупроводниках были открыты в середине 50-х годов. Только в 90-х годах японские ученые предложили новую систему халькогенидных стеклообразных полупроводников, которые отличаются своей стабильностью и высокой скоростью фазовых переходов. Моносульфид германия может находиться как в аморфном, так и в кристаллическом состояниях, и это позволяет использовать слоистые кристаллы GeS в современных носителях информации

Исследованы спектры фотолюминесценции слоистых монокристаллов Ge1-хNdхS (х = 0,005; 0,01) в широком температурном интервале (80300 К). Изучены влияние атомов Nd в разных концентрациях на спектр фотолюминесценции монокристалла GeS. Проанализированы результаты изменений интенсивности f–f-излучений после гамма-облучения дозами 30 и 100 крад. Найден оптимальный состав и режим облучения для увеличения интенсивности линий Nd в спектре фотолюминесценции монокристалла GeS.

Комплексными методами физико-химического анализа был изучен характер взаимодействия и природа дефектности в системе SnSe-Er2Se3. Исследованы температурные и концентрационные зависимости электрических (электропроводность , коэффициент Холла R), термоэлектрических (термоэдс S) и тепловых (теплопроводность tot) характеристик твердых растворов (SnSe)1-x(Er2Se3)x (x = 0,0; 0,0005; 0,0025; 0,005; 0,0075; 0,01) в интервале температур 300—950 K. По результатам  и S рассчитаны термоэлектрическая мощность S2, добротность Z и эффективность  для данных твердых растворов. Установлено, что при концентрации носителей тока n  2,81×1018 см-3 при комнатной температуре S2 и Z имеют максимальные значения.

Первый практический интерес к полупроводниковому слоистому соединению GeS был обусловлен, в частности, тем, что в 70-х годах прошлого века на нем осуществлялась голографическая запись. Очередной интерес к моносульфиду германия возник недавно. Так, американские ученые создали устройство, которое сохраняет значительное количество солнечной энергии. Обнаружение эффектов переключения и электрической памяти обуславливает их практическое применение в электронике. В этот список можно добавить эффект термопереключения моносульфида германия с участием примесей редкоземельных элементов.

Исследованы спектры фотопроводимости монокристаллов (SnS)1-x(GdS)x (x = 0,001; 0,002) при температурах (80 К, 200 К, 300 К. Было установлено, что добавка Gd увеличивает фоточувствительность бинарного соединения SnS на порядок, а также расширяет спектральную область фоточувствительности в длинноволновую область. Результаты расчета основных фотоэлектрических параметров монокристаллов (SnS)1-x(GdS)x показывают, что они являются перспективным материалом для изготовления оптоэлектронных ключей и фотоприемников в области ближнего инфракрасного диапазона (0,6–1,3 мкм).

В данной работе построена часть диаграммы состояния системы PbSe-TbSe со стороны PbSe. В системе получены твердые растворы на основании моноселенида свинца в области 0–8 мол. %. Исследованы некоторые электрофизические свойства (термо-ЭДС, электропроводность и теплопроводность) полученных сплавов в интервале температур 300– 700 K, и были определены термоэлектрическая добротность (Z, ZT), эффективность  и фактор мощности P. Было обнаружено возникновение высокой термоэлектрической эффективности в образцах состава Tb0,05Pb0,95Se в средне температурных областях.

Комплексными методами физико-химического анализа был изучен характер взаимодействия и природа дефектности в системе сплавов SnSe-TbSe. Определена зависимость коэффициента Холла и термоЭДС от процентного содержания тербия. Исследована температурная зависимость термоэлектрических и термомагнитных свойств систем сплавов TbxSn1-xSe.