Исследованы люминесцентные, кинетические и колориметрические свойства коллоидных полупроводниковых квантовых точек CdTe, покрытых оболочкой из SiO2, при комнатной температуре и температуре жидкого азота. В спектре фотолюминесценции обнаружены как экситонные переходы, так и переходы с участием ловушечных уровней. При нагреве от криогенных температур установлено, что полосы люминесценции смещаются в красную область, происходит их уширение и температурное тушение. Полоса, обусловленная фотолюминесценцией дефектов, тушится практически полностью. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны исследуемых квантовых точек обусловлена изменением положения края зоны проводимости относительно края валентной зоны, вследствие теплового расширения решетки и взаимодействия с фононами. Предположено, что уширение спектров люминесценции при изменении температуры может возникать в результате как уширения за счет экситон-фононного взаимодействия, так и наличия вклада со стороны структурных дефектов на границе раздела CdTe и SiO2. Вероятным механизмом уменьшения интегральной интенсивности люминесценции с ростом температуры предполагается диссоциация экситонов и/или термически активированный захват носителей заряда центрами безызлучательной рекомбинации. В процессе непрерывного лазерного облучения при температуре жидкого азота интегральная интенсивность фотолюминесценции не изменяется. Количественный анализ кривых затухания показывает ускорение излучательной релаксации возбужденных состояний с увеличением температуры, что также подтверждает предположение о наличии термически активированного захвата носителей заряда. Продемонстрировано улучшение колориметрических характеристик фотолюминесценции квантовых точек CdTe/SiO2 при повышении температуры Просьба ссылаться на эту статью следующим образом: Дайбаге Д. С. Люминесцентные и кинетические свойства квантовых точек CdTe/SiO2 при комнатной и криогенной температуре. Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки, 2025, № 2 (119), с. 20—34.