В результате анализа вольт-амперных характеристик p–n-структур на основе твердых растворов кремния с сульфидом кадмия в интервале значений температуры 293…463 K определена важность влияния рекомбинационных процессов. Показано, что вольт-амперные характеристики этих структур состоят из нескольких специфичных участков. Первый участок удовлетворительно описывается линейной зависимостью, второй и третий участки — экспоненциальной зависимостью. Появление экспоненциального участка является результатом реализации режима длинного диода, который впервые определен В. И. Стафеевым. Рассчитанные в рамках этого режима параметры позволили определить значимую роль удельного сопротивления переходного слоя n(Si2)1 – x(CdS)x при формировании электрофизических свойств исследованных структур. Результаты анализа третьего участка вольт-амперных характеристик позволяют сделать вывод, что диффузионный механизм играет значимую роль в формировании электрофизических свойств твердых растворов (Si2)1 – x(CdS)x (0 менее или равен x менее или равен 0,01). Однако с увеличением температуры этот механизм постепенно переходит в дрейфовый. Таким образом, полученные результаты подтверждают важность удельного сопротивления переходного слоя и диффузионного механизма при формировании электрических свойств таких структур. Рекомендовано использовать твердые растворы (Si2)1 – x(CdS)x в качестве активных элементов детекторов, особенно в инжекционном режиме и при создании температурнозависимых оптических систем для фиксации фоновых сигналов и спектров металлов и их сплавов Просьба ссылаться на эту статью следующим образом: Мадаминов Х. М. Влияние рекомбинационных процессов на температурную зависимость вольт-амперных характеристик структур pSi–n(Si2)1 – х(CdS)х. Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки, 2025, № 2 (119), с. 35–51.