Актуальность и цели. Зависимости интенсивности света от времени и фототока, протекающего в резисторе, в общем случае описываются различными функциями. Исследованы способы получения зависимости от времени интенсивности импульсов света произвольной формы, следующих с частотой ω, по зависимости фототока от времени при наличии рекомбинации носителей заряда на поверхности полупроводника.
Материалы и методы. Результаты получены на основе исследования кинетики фотопроводимости резистора для линейного и квадратичного закона рекомбинации в объеме полупроводника. Учтена диффузия неравновесных носителей заряда к поверхностям фоторезистора с их последующей поверхностной рекомбинацией. Первый способ основан на использовании операции дифференцирования фототока. Второй способ позволяет восстановить интенсивность оптического импульса произвольной формы по амплитудам гармоник разложения функции, задающей зависимость тока от времени, в ряд Фурье.
Результаты и выводы. Нелинейные, частотные и фазовые искажения в области больших частот малы. Предложенные способы справедливы при выполнении неравенства ( - эффективное время жизни основных носителей заряда).