Методы анализа явлений переноса в HgCdTe при наличии нескольких типов носителей (2011)
Выпуск:
№4 (2011)
Представлен анализ результатов исследований узкощелевого твердого раствора HgCdTe с помощью классических кинетических эффектов, которые проводились с момента получения первых образцов этого материала. Показано, что эти исследования позволили не только определить основные параметры носителей заряда, но и судить о структурном совершенстве материала, а также принципиально расширили возможности этих экспериментальных методов, например для анализа полупроводниковых многослойных структур.