Неохлаждаемый фотовольтаический преобразователь ИК-диапазона на основе CdхHg1-хTe/Si (х = 0,3) (2011)
Выпуск:
№4 (2011)
Предложен неохлаждаемый приемник ИК‐излучения на базе напряженной гетероструктуры Cd0,3Hg0,7Te/(310)Si. Фото‐ЭДС прототипа показывает зависимость от интенсивности падающего излучения I и его спектрального состава I(λ) на уровне D* ~ 3-108 (Вт∙см∙Гц1/2) при 300 К. Обсуждается роль пьезосвойств пленки узкозонного полупроводника гетероструктуры Cd0,3Hg0,7Te/Si. Проведено физическое моделирование диффузионно‐дрейфовой модели для пленки Cd0,3Hg0,7Te при 300 К.