Особенности формирования p-n-структур в пленочном поликристаллическом кремнии (2011)
Выпуск:
№2 (2011)
Сопоставлены вольт‐амперные характеристики электронно‐дырочных структур, сформированных с использованием методов выращивания пленок р‐типа проводимости, термической диффузии и ионной имплантации атомов бора в n-типный слой поликристаллического кремния. Выявлена S-образная характеристика исследованных структур, обусловленная изменением проводимостей базы и границ зерен при термической обработке.