Особенности планарных p+—n-переходов на кремнии и антимониде индия (2012)
Выпуск:
№4 (2012)
На основе анализа опубликованных и оригинальных экспериментальных результатов представлены две общие характерные особенности планарных p+—n-переходов на Si и InSb, а именно, наличие эффекта электротренировки и положительное влияние на прямые и обратные ветви ВАХ дополнительного короткозамкнутого близкорасположенного планарного p+—n-перехода. Обсуждены механизмы проявления каждой из этих особенностей и дано предположение о возможности их повторения на планарных p+—n-переходах из других полупроводниковых материалов.