Архив статей

Фотоприемный модуль с фотокатодом с барьером Шоттки на основе структуры InP/InGaAs/InP: Ag и с чувствительностью до 1,7 мкм (2015)
Выпуск: №4 (2015)
Авторы: Грузевич Юрий Кириллович, Гордиенко Юрий Николаевич, Балясный Лев Михайлович, Альков Павел Сергеевич, Иванов Владимир Юрьевич, Дятлов Алексей Леонидович, Ваценко Полина Ильинична

Данная статья посвящена работе по созданию ТЕ-фотокатода с барьером Шоттки, чувствительного в диапазоне  = 0,9÷1,7 мкм. Разработанная гетероэпитаксиальная структура обеспечивает изготовление фотокатодного узла ИК ФПМ по серийной технологии изготовления GaAs ОЭС фотокатода для ЭОП III поколения методом термокомпрессионного соединения гетероэпитаксиальной структуры со стеклом входного окна.

Сохранить в закладках