Рассмотрены вопросы количественной оценки ошибок измерения электронной яркости различными методами. Показано, что основная ошибка, возникающая при использовании линзового метода, является следствием неправомерного предположения, что при размещении апертурной диафрагмы в главной плоскости линзы апертурный угол в плоскости изображения может быть вычислен как отношение радиуса диафрагмы к расстоянию между диафрагмой и плоскостью изображения. Проведена количественная оценка ошибки такого приближения и показано, что ошибка расчета апертуры зависит от конструкции измерительной системы, а ошибка определения яркости может достигать +100 %.
Представлены результаты исследований профилей, формируемых ионно-лучевым травлением полупроводниковых структур через маску, изготовленную методами фотолитографии. Минимальные размеры областей, незащищенных маской на двух исследованных структурах были равны: 2 и 5 мкм соответственно. Показано, что скорость травления падает с уменьшением ширины свободного от маски промежутка. Эффект отражения ионного пучка от вертикальных стенок, формируемых при травлении, может быть использован для изготовления субмикронных разделяющих мезаобластей.