Исследование влияния подготовки поверхности подложек GaAs на свойства МОСVD-эпитаксиальных слоев СdTe и CdHgTe (2010)
Выпуск:
№1 (2010)
Исследовано влияние предростовой подготовки подложек GaAs на кристаллическое совершенство и морфологию поверхности выращенных на них MOCVD-слоев CdTe и CdxHg1-xTe. Показано, что оптимальной температурой отжига подложек GaAs(100) в атмосфере водорода является 580—590 °С, а подложек GaAs(111)B — 530—550 ° С. При более высокой температуре отжига ухудшается морфология поверхности выращиваемых слоев CdTe, а при более низкой — ухудшается их кристаллическое совершенство. Нанесение гомоэпитаксиального слоя арсенида галлия на подложки GaAs(100) может служить эффективным средством уменьшения плотности ростовых дефектов (hillocks) на поверхности гетерослоев CdxHg1-xTe(100)/CdTe(100)/GaAs(100).