Найти:

Архив статей

Грушко Наталья
Автор Грушко Н. С. (Grushko N. S.)
Работы: 1 Библиотека: 0 Блог: 0
Открыть профиль Написать автору
Фильтры 1  
Влияние γ-облучения на электрофизические параметры светодиодов на основе InGaN/GaN (2011)
Выпуск: №1 (2011)
Авторы: Грушко Н. С., Солонин А. П.

Проведено исследование светодиодов InGaN/AlGaN/GaN на стандартной подложке SiC [KPT-1608 PBC (SMD)] с двумя квантовыми ямами и активным слоем InxGa1-xN c х = 0,21. Установлено влияние γ-облучения на концентрационный профиль мелкой примеси и концентрацию глубоких уровней. Определены величина компенсированной области и градиента концентрации. Выявлена возможность увеличения КПД светодиода и его яркости.

Сохранить в закладках
Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.