Детекторные диоды Шоттки с пониженной высотой барьера на основе структур кремния, легированных сурьмой (2012)
Выпуск:
№3 (2012)
Рассмотрена возможность получения низкобарьерных контактов Шоттки на n-типе кремния за счет выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии сильно легированного приповерхностного слоя (толщиной около 4 нм). Получены омические контакты и низкобарьерные контакты с дифференциальным сопротивлением 1—2 кОм. Опробован способ частичного стравливания высоколегированного поверхностного слоя ионами аргона для получения барьера Шоттки. Проведено измерение емкости низкобарьерных контактов и отклика на внешний высокочастотный сигнал.