ИПТМ РАН0%

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) был создан в соответствии с постановлением ЦК КПСС и СМ от 29 мая 1983г. И постановлением Президиума АН СССР от 29 сентября 1983 г. N1067 на базе подразделений Института физики твердого тела и начал функционировать с 1 января 1984 г.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии наук формировался в 1982 - 1983 г.г. в составе Института физики твердого тела АН СССР и получил самостоятельность 1 января 1984 года. Основатель новой академической организации и ее директор в первые годы член-корр. АН СССР, дважды лауреат Государственной премии СССР, профессор Ч. В. Копецкий заложил в жизнь молодого научного учреждения основы таких традиций, как динамизм в проведении исследований, поиск их приложений в самых неожиданных областях, направленность исследований на получение конечного результата. Большой вклад в формирование научных направлений Института внес безвременно умерший кандидат физико-математических наук Г.И. Коханчик.

Становление Института проблем технологии микроэлектроники как научной организации происходило одновременно с организацией по инициативе вице-президента АН СССР академика Е. П. Велихова Отделения информатики и вычислительной техники и автоматизации Академии наук СССР, куда и вошел ИПТМ АН СССР.

Перед Институтом ставилась задача проведения фундаментальных исследований в области физических основ микроэлектроники и свойств микро- и нанообъектов, создание методов контроля и диагностики микроструктур, разработка новых технологических процессов микроструктурирования, поиск и получение новых материалов для микроэлектроники.

В связи с поставленными задачами формировалась и структура научных и производственных подразделений. Кроме того, было создано несколько отраслевых лабораторий совместно с заводом имени 50-летия СССР Министерства электронной промышленности, институтами Министерства промышленности средств связи, с ГИРЕДМЕТ.

ИПТМ установил научные и производственные связи со многими институтами Академии наук СССР, МГУ им. М.В. Ломоносова, предприятиями и отраслевыми научно-исследовательскими институтами гг. Москвы, Санкт-Петербурга, Минска, Новосибирска, Еревана, Киева, Нижнего Новгорода, Кишинева, Томска, Выборга, Зеленограда, Фрязино и других городов. Были подписаны соглашения о научно-техническом сотрудничестве с рядом научных организаций Германии, Франции, Швеции, Великобритании, Японии.

Ученые ИПТМ РАН явились инициаторами развития двух оригинальных научных направлений, нашедших мировое признание: металлическая наноэлектроника (лаб. доктора физико.математических наук В. Т. Петрашева) и Брегг-Френелевская рентгеновская оптика (отдел член-корр. РАН В. В. Аристова). Сотрудники ИПТМ РАН выполнили оригинальные разработки в области электронно-лучевой и ионной литографии, плазменно-химического травления, осаждения пленок методами CVD, стимулированного ЭЦР, электронно-лучевого, магнетронного и лазерного напыления. Эти разработки сегодня лежат в основе создаваемых институтом приборов, установок и новых технологий. Успешно развивалась и традиционная для ИПТМ, возникшая еще в ИФТТ АН СССР, тематика получения и анализа чистых веществ.