В статье показана возможность создания фотоэлектронного прибора с микроканальным усилением и ОЭС-фотокатодом на основе гетероструктуры AlGaN: Mg/AlN/c-Al203, выращенной на стандартной сапфировой подложке и полученной методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
Данная статья посвящена работе по созданию ТЕ-фотокатода с барьером Шоттки, чувствительного в диапазоне = 0,9÷1,7 мкм. Разработанная гетероэпитаксиальная структура обеспечивает изготовление фотокатодного узла ИК ФПМ по серийной технологии изготовления GaAs ОЭС фотокатода для ЭОП III поколения методом термокомпрессионного соединения гетероэпитаксиальной структуры со стеклом входного окна.
Показана возможность создания лазерных оптико-телевизионных активно-импульсных систем подводного видения на основе фотоприемных модулей (ФПМ) с чувствительной структурой электронно-оптического преобразователя (ЭОП) III поколения с GaAs «голубым» фотокатодом, чувствительным в спектральном диапазоне прозрачности морской воды = (400550) нм, состыкованных с помощью волоконнооптических элементов с цифровыми крупноформатными КМОП-матрицами, обеспечивающих формирование видеоизображения подводных объектов в рассеивающей морской воде.