Изопериодические фоточувствительные гетероструктуры Pb1-xSnxЅе/PbSе1-хSх (2012)
Рассмотрены особенности создания изопериодических эпитаксиальных гетеропереходов p-Pb1-хSnхЅе (х = 0,03)/n-PbSе1-хSх (х = 0,05) и изготовления фоточувствительных элементов, пригодных для практического применения. Изготовлены фоточувствительные элементы с высокими техническими параметрами: R0A = 1,2—1,5 Ом·см2; λmax = 8 мкм; D *λ = = (1—2)⋅1010 см⋅Гц1/2⋅Вт-1, сравнимыми с аналогичными параметрами, приведенными для диодов Шоттки на основе Pb1-хSnхSe
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2012)