Статья: Влияние плазмохимической обработки на электрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InGaAsP/InP
Исследовано воздействие на поверхность p-n-переходов на основе гетероструктур InGaAs/InP, изготовленных по мезатехнологии, плазмы хладона-14. В ходе экспериментов варьировались составы газовой смеси, температура и время плазмохимической обработки. Оценивался уровень темнового тока p-n-перехода, а также состояние приповерхностного слоя p-n-перехода (структурное совершенство, оптические параметры, состав) до и после обработки.
Информация о документе
- Формат документа
- Кол-во страниц
- 1 страница
- Загрузил(а)
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем
Информация о статье
Статистика просмотров
Статистика просмотров статьи за 2026 год.
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.