Статья: Оценка влияния параметров структуры на рабочий режим лавинного фотодиода с раздельными областями умножения и поглощения
В результате рассмотрения структуры лавинного фотодиода на основе InGaAs/InP с раздельными областями поглощения и умножения проведена оценка дозы легирующей примеси в зарядовом слое, допустимый диапазон значений которой при заданном коэффициенте умножения определяется толщиной области умножения и напряженностью поля в области поглощения. Показано, что для снижения рабочего напряжения ЛФД необходимо уменьшать толщины слоя умножения и зарядового слоя. При этом ограничением для толщины слоя умножения является допустимая напряженность поля, а для зарядового слоя при оптимальной дозе – точность воспроизведения его толщины.
Информация о документе
- Формат документа
- Кол-во страниц
- 1 страница
- Загрузил(а)
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем
Информация о статье
- ISSN
- 2307-4469
- EISSN
- 2949-5636
- Журнал
- Успехи прикладной физики
- Год публикации
- 2016
- Каталог SCI
- Физика
- УДК
- 53. Физика