Статья: Спектроскопия полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур на основе InGaAs для разработки фотоприемных устройств ближнего ИК-диапазона
Представлены исследования и анализ образцов с гетероэпитаксиальной структурой на основе твердого раствора InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs. Определены состав и толщины слоев структуры метода-ми фотолюминесцентной спектроскопии при комнатной температуре и растровой электронной микроскопии соответственно. Измерены спектры пропускания на ИК Фурье-спектрометре. Разработана аналитическая модель спектральных характеристик исследуемых структур. Решением обратной задачи методом подгонки определены конструктивные параметры структуры и состав активного слоя InGaAs. Сравнительный анализ экспериментальных и теоретических данных показал небольшой разброс значений для толщины (менее 65 нм) и состава поглощающего слоя (менее 0,04). Показана корректность и быстродействие разработанного неразрушающего метода характеризации полупроводниковых структур.
Информация о документе
- Формат документа
 - Кол-во страниц
 - 1 страница
 - Загрузил(а)
 - Лицензия
 - —
 - Доступ
 - Всем
 
Информация о статье
Статистика просмотров
Статистика просмотров статьи за 2025 год.