Книга: Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках
В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках.
В частности, рассмотрены: феноменологическая теория рекомбинации; теоретические модели мелких и глубоких центров; каскадная модель захвата на притягивающие центры; захват, ограниченный диффузией; монофононные процессы; оже-процессы; влияние постоянных и переменных электрических полей на процессы рекомбинации и термической ионизации. Кратко рассмотрены рекомбинационные процессы в полупроводниках квантовых структур. Результаты теории сопоставляются с экспериментом.
Для научных работников, преподавателей университетов, аспирантов и студентов.
Информация о документе
- Формат документа
 - PDF, DJVU
 - Кол-во страниц
 - 374 страницы
 - Загрузил(а)
 - Лицензия
 - —
 - Доступ
 - Всем
 
Информация о книге
- ISBN
 - 5867631117
 - Издательство
 - Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова РАН
 - Год публикации
 - 1997
 - Каталог SCI
 - Физика
 - ББК
 - 22.3. Физика
 - УДК
 - 53. Физика
 
Статистика просмотров
Статистика просмотров книги за 2025 год.