Доклад: Характеризация эпитаксиальных пленок CdTe, выращенных методом МЛЭ на подложках GaAs, методами атомно-силовой микроскопии и спектроскопии фотолюминесценции
Докладчик
Тип доклада
Устный
Секция программы
Дата и время
пятница, 07 фев (начало в 12:15)
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 16
11:30 |
Перерыв
12:15 |
Характеризация эпитаксиальных пленок CdTe, выращенных методом МЛЭ на подложках GaAs, методами атомно-силовой микроскопии и спектроскопии фотолюминесценции
13:00 |
Обед
15:30 |
Перерыв (подсчёт баллов)