Перспективные архитектуры фоточувствительных элементов для охлаждаемых фотоприемных устройств на основе CdHgTe (2024)

Для построения охлаждаемых фотоприемных устройств на основе CdHgTe прове-
дена оценка параметров перспективных двухслойных р+/n, трехслойных p+/ν)/n+ и
барьерных nBn архитектур. Каждая из рассмотренных архитектур является эта-
пом создания более совершенной технологии изготовления фотонных фотоприем-
ных устройств на основе CdHgTe, что обеспечивает их работу при повышенной
температуре. Показано, что уменьшение темнового тока достигается использо-
ванием архитектур с конструируемой зонной диаграммой, включающей поглоща-
ющие слои n-типа проводимости. Проведенные расчеты подтверждают возмож-
ность реализации высокотемпературного режима работы ФЧЭ на основе CdHgTe

Тип: Статья
Автор (ы): Яковлева Наталья

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383. Фотоэлектроника
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2024-12-3-277-287
Текстовый фрагмент статьи