Статья: Исследование фотодиодов с p-n-переходом на основе GaP при температурах до +500 °С (2009)

Читать онлайн

Исследованы фотодиоды с p-n-переходом на основе GaP. Приведены температурные зависимости токовой чувствительности в диапазоне от -183 до +500 С. При изменении температуры в указанном диапазоне максимум спектральной чувствительности смещается от 430 до 510 нм, а токовая чувствительность возрастает от 0,044 до 0,13 А/Вт. Изменение чувствительности связано с температурной зависимостью коэффициента поглощения GaP. До температуры +200 оС в фотодиодах преобладает генерационнорекомбинационный ток, а свыше +220 оС — диффузионный ток.

Photodiodes based on gallium phosphide with р-n-junction have been investigated. Photosensitivity characteristics within temperature range from minus 183 up to plus 500 С are represented. The sensitivity peak shifts from 430 to 510 nm with temperature change from minus 183 up to plus 500 С From 0.044 up to 0.13 A/Wcurrent sensitivity increase is explained by absorption in gallium phosphide at heightened temperatures. The recombination via impurity levels predominates in GaP photodiodes at temperature below 200 оС. The diffusion current appears at temperature more than 200 С.

Ключевые фразы: фотоэлектроника, фотодиоды, физика
Автор (ы): Рудневский Владимир Сергеевич (Rudnevskiy V. S.), Стафеев В. И.
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383. Фотоэлектроника
Для цитирования:
РУДНЕВСКИЙ В. С., СТАФЕЕВ В. И. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОДИОДОВ С P-N-ПЕРЕХОДОМ НА ОСНОВЕ GAP ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ ДО +500 °С // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2009. №1
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.