Приведены результаты разработки установки, предназначенной для межоперационного контроля фотоприемников и фотоприемных устройств на основе Si, Ge, InGaAs I-го поколения, предназначенных для приема лазерного излучения, на стадиях производства до резки пластины на отдельные фоточувствительные элементы. Установка позволяет проводить измерения темнового тока, токовой чувствительности, разброса чувствительности, коэффициента фотоэлектрической связи в нормальных климатических условиях.
Consideration is given to the results of the development of the universal test-bench designed for the technological control of photodetectors and photodetector devices based on Si, Ge, InGaAs. The technological control of the high-speed and hi-sensitivity pin-photodetectors is realized at the production stages before a plate is cut into individual photosensitive elements. The universal test-bench allows to measurement the dark current, current sensitivity, current sensitivity spread, pixel crosstalk under room conditions.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 32582486