О МАКРОКИНЕТИКЕ РОСТА НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ ПО ТРАНСПОРТНОЙ СХЕМЕ ПАРЖИДКАЯ КАПЛЯКРИСТАЛЛ (2024)
Рассмотрены вопросы макроскопической кинетики роста нитевидных нанокристаллов (ННК) полупроводников без исследования атомно-молекулярной стороны процессов, что позволяет изучить закономерности основного химического взаимодействия и исключить влияние побочных явлений. Показано, что на чисто химические ростовые реакции образования ННК накладываются физические процессы, прежде всего явления переноса вещества от фазы к фазе и передачи энергии (диффузия, теплообмен и др.), в литературе имеются противоречивые данные о характере влияния различных факторов на скорость роста кристаллов и существуют неоднозначные оценки лимитирующей стадии. Определено, что для правильного описания кинетики роста ННК полупроводниковых материалов нельзя игнорировать влияние всей совокупности параметров ростовых режимов, таких как давление прекурсора, температура, скорость потока, тип катализатора, кристаллографическая ориентация и др., на баланс физико-химических процессов.
Идентификаторы и классификаторы
Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы (ННК), технологические процессы получения которых сегодня активно разрабатываются, благодаря своим поистине уникальным свойствам, могут стать кристальной основной для развития электроники в мире на ближайшие 50 лет. Особые свойства ННК определяются тремя важными характеристиками: наноскопическими размерами, практически идеальным совершенством структуры и вытянутой формой, которая позволяет считать их квазиодномерными объектами, а также собственными природными свойствами материала (например, рекордной прочностью для ННК металлов (Ме) или высочайшими пределами упругой деформации для ННК полупроводников).
Список литературы
- Bootsma G. A., Gassen H. J. A quantitative study on the growth of silicon whiskers from silane and germanium whiskers from germane // Journal of Crystal Growth. 1971.V.10. P. 223-234. 2. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977. 304 с. 3. Weyher J. Some notes of the growth kinetics and morphology of VLS Si crystals grown with Pt and Au as liquid-forming agents // Journal of Crystal Growth. 1978. V. 43. P.235-244.
- Щетинин А.А. Кинетика роста и формообразование нитевидных кристаллов кремния: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.07) / Воронеж. политехн. ин-т. - Воронеж, 1992. 31 с. 5. Lew K. K., Redwing J. M. Growth characteristics of silicon nanowires synthesized by vapor-liquid-solid growth in nanoporous alumina templates // Journal of Crystal Growth. 2003. V.254. P.14-22. 6. Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Суриc Р.А., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Tchernycheva M., Harmand J.C. О роли поверхностной диффузии адатомов при формировании нанометровых нитевидных кристаллов // Физика и техника полупроводников. 2006. T.40. Bып. 9. C.1103-1110. 7. Schmidt V., Senz S., Gosele U. Diameter dependence of the growth velocity of silicon nanowires synthesized via the vapor-liquid-solid mechanism // Physics Review B. 2007.V.75. N. 4. P. 045335. 8. Noor Mohammad S. General theoretical model for the vapor-phase growth and growth rate of semiconductor nanowires // Journal of Vacuum Science &Technology B. 2010. V. 28. N.2. Р. 329-352. 9. Thombare S. V., Marshall A. F., McIntyre P. C. Kinetics of Ge NW growth by the vapor-solid-solid mechanism with a Ni-based catalyst // APL Materials. 2013. V. 1. P. 061101.
- Князева М.В., Настовьяк А.Г., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л. Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. Вып. 1. С. 63-70. 11. Козенков О.Д., Болдырева Я.А., Санников В.Г., Бакланов И.О., Сычев И.В. Модель роста, лимитируемого гетерогенной химической реакцией, наноразмерных нитевидных кристаллов кремния при высокой плотности их расположения на подложке // Вестник ВГУ. Серия: Физика. Математика. 2023. №3. С.5-17. 12. Persson A.I., Larsson M.W., Stengstrom S., Ohlsson B.J., Samuelson L., Wallenberg L.R. Solid-phase diffusion mechanism for GaAs nanowire growth // Nature Materials. 2004. V.3. N.10. P. 677–681. 13. Sivakov V., Heyroth F., Falk F., Andra G., Christiansen S. Silicon nanowire growth by electron beam evaporation: Kinetic and energetic contributions to the growth morphology // Journal of Crystal Growth. 2007. V.300. P. 288–293. 14. Seifert W., Borgstrom M., Deppert K., Dick K.A., Johansson J., Larsson M.W., Martensson T., Skold N., Svensson C. P., Wacaser B.A., Wallenberg L.R., Samuelson L. Growth of one-dimensional nanostructures in MOVPE // Journal of Crystal Growth. 2004. V. 272. P. 211-220. 15. Nebol’sin V. A., Yur’ev V. A., Swaikat N., Vorob’ev A. Yu., Samofalova A. S. Effect of Temperature on the Growth Rate of Semiconductor Nanowires // Inorganic Materials, 2022. V. 58. N. 12. Р. 1235–1241.
- Xu H., Guo Y., Sun W., Liao Z., Burgess T., Lu H., Gao Q., Tan H. H., Jagadish C., Zou J. Quantitative study of GaAs nanowires catalyzed by Au film of different thicknesses // Nanoscale Research Letters. 2012. V.7. N.1. P.589-595. 17. Jacobsson D., Panciera F., Tersoff J., Reuter M.C., Lehmann S., Hofmann S., Dick K.A., Ross F.M. Dynamics and crystal phase switching in GaAs nanowires // Nature. 2016.V.351. P. 317-338.
- Hauge H.I.T., Verheijen M.A., Conesa-Boj S., Etzelstorfer T., Watzinger M., Kriegner D., Zardo I., Fasolato C., Capitani F., Postorino P., Kolling S., Li A., Assali S., Stang J., Bakkers E.P.A.M. Hexagonal Silicon Realized // Nano Letters. 2015. V. 15. N. 9. P. 5855-5860. 19. Fröberg L. E., Seifert W., Johansson J. Diameter-dependent growth rate of InAs nanowires // Physics Review B. 2007.V.76. P. 153401. 20. Nebol’sin V. A, Dolgachev A.A., Dunaev A.I., Zavalishin M.A. On the general regularities of the growth of micro- and nanoscale Si whiskers // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2008. V.72. N.9. P.1217-1220. 21. Panciera F., Baraissov Z., Patriarche G., Dubrovskii V. G., Glas F., Travers L., Mirsaidov U., Harmand J.-C. Phase selection in self-catalyzed GaAs nanоwires // Nano Letters. 2020. V. 20. N. 3. P.1669-1675. 22. Nebol’sin V.A., Shchetinin A.A. A Mechanism of Quasi-one-dimensional Vapor Phase Growth Of Si And GaP Whiskers // Inorganic Materials. 2008. V. 44. N.10. P. 1033-1040. 23. Nebol’sin V.A., Swaikat N. About Some Fundamental Aspects of the Growth MechanismVapor-Liquid-Solid Nanowires // Journal of Nanotechnology. 2023. Р. 7906045. 24. Небольсин В.А., Щетинин А.А., Даринский Б.М., Попова Е.Е. О зонах питания нитевидных кристаллов кремния, растущих из газовой фазы // Известия вузов. Физика. 1989. Т.32. №6. С.115-116. 25. Zangwill A. Physics at surfaces. Cambridge University Press, Cambridge. 1988. Р. 136.
- Joyce H., Gao Q., Hoe Tan H., Jagadish C. Process to grow nanowires controls key properties // https://spie.org/news/1776-process-to-grow-nanowires-controls-key-properties
- Chou Y.-C., Panciera F., Reuter M. C., Stacha E. A., Ross F. M. Nanowire growth kinetics in aberration corrected environmental transmission electron microscopy // Chemical Communication. 2016. V. 52. P. 5686-5689.
Выпуск
Другие статьи выпуска
Статья посвящена юбилею со дня рождения Федина Александра Андреевича
В статье подробно описана методика определения морозостойкости щебня методом многократного попеременного замораживания и оттаивания, а также ускоренным методом путем погружения материала в раствор сульфата натрия и последующим высушиванием. Проведено исследование морозостойкости щебня из песчаника ускоренным способом, а также выполнена оценка данного показателя для щебня Обуховского (Тульская область) и Апанасовского (Ростовская область) месторождений. Полученные экспериментальные данные показали, что песчаник обладает высокими показателями и может быть использован в качестве крупного заполнителя в бетонных и железобетонных конструкциях, не подверженных многократному замораживанию и оттаиванию, а также применяться при возведении временных дорог и строений, для которых долгосрочная устойчивость материала не является основным требованием.
Перспективным методом улучшения характеристик бетона, железобетона, а также цементного раствора является применение послеспиртовой барды – побочного продукта дистилляции этилового спирта. Детальное изучение состава барды, состава добавки, в которую предполагается включить данный материал, поможет в разработке новых методов переработки данного отхода спиртовой промышленности, повысить качество и уменьшить стоимость изготовления бетонных изделий. В ходе анализа проведен литературный обзор научных материалов, посвященных изучению влияния послеспиртовой барды на бетон, а также зависимости данного влияния от состава добавки. Проведенные исследования подтверждают актуальность направления исследования влияния добавки барды в состав бетона, а также могут служить основой для выбора направления дальнейших исследований по данному вопросу.
Исследованы возможности микроволновой химии в части активации реакций растворения кислотоупорных компонентов при переработке минерального сырья. Выявлены и разграничены два альтернативных режима обработки гетерогенных реакционных смесей сверхвысокочастотным (СВЧ) электромагнитным полем. При этом, с одной стороны, необходимо приведение частоты активирующего микроволнового поля в соответствие с гранулометрическим составом гетерогенной реакционной смеси, а с другой стороны, целесообразно вовлечение в реакционный процесс сильнодиэлектрических веществ, обладающих большими диэлектрическими потерями. Обозначенный подход послужил отправной точкой для разработки технологических схем извлечения осмия и золота. Для извлечения осмия предложена двухступенчатая схема СВЧ обработки сырья, позволяющая обеспечить продуцирование атомарного кислорода в жидкой фазе пульпы, а в конечном итоге – интенсивное окисление еѐ твѐрдой фазы. При этом для улавливания летучего оксида OsO4 осмийсодержащие возгоны следует пропускать через термостатированный при температуре 295 298 K раствор олефина в инертном органическом растворителе. Для извлечения тонкого (ультрадисперсного) золота предложен метод гидратного хлорирования. При его осуществлении решающее значение имеет контролируемое нагнетание углекислого газа, стабилизирующее кислотность реакционной смеси и тем самым обеспечивающее автоколебательный характер результирующего процесса растворения золота с образованием тетрахлороаурат(III)-анионов [AuCl4]–
Данная статья является логическим продолжением серии публикаций по проблеме создания эффективных самовосстанавливающихся цементных композитов. В ней рассматриваются методы получения и основные характеристики автономного самовосстановления цементных композитов по капсульной и сосудистой технологиям. Автономные методы самовосстановления показали лучшую эффективность при «заживлении» трещин, чем большинство аутогенных методов. Самовосстанавливающиеся цементные бетоны с биомиметическими свойствами, полученные с применением макро- и микрокапсулирования, сосудистых сетей является на сегодняшний день наиболее исследуемым предметом в области строительного материаловедения.
Устойчивое развитие строительных материалов требует создания цементных композитов с эффектом самовосстановления, обладающих встроенной способностью «заживления» трещин. Эта статья рассматривает методы получения и основные характеристики неавтономного (аутогенного) самовосстановления цементных композитов. К аутогенным «заживляющим» модификаторам цементных систем можно отнести минеральные добавки, волокна, наночастицы, наполнители и отвердители. Технологии их применения доказали свою эффективность для частичного и для полного ремонта трещин. Однако, эти методы самовосстановления, ограничиваются «заживлением» трещин шириной менее 150 мкм. Технология самовосстановления обеспечивает цементным композитам, способность адаптироваться и реагировать на окружающую среду, демонстрируя большой потенциал для облегчения создание широкого спектра устойчивых материалов и конструкций на основе цементного бетона.
В этой статье дается обзор научно-технической литературы по механизмам самовосстановления современных композитов. Рассмотрены основные способы получения полимерных, керамических и металлических композитов, перечислены и описаны механизмы их самовосстановления, а также области их применения. Показано, что изучение механизмов самовосстановления современных композитов открывает перед инженерами перспективы для создания более долговечных и надежных конструкций и изделий.
Издательство
- Издательство
- ВГТУ
- Регион
- Россия, Воронеж
- Почтовый адрес
- 394006, Воронежская область, город Воронеж, ул. 20-летия Октября, д. 84
- Юр. адрес
- 394006, Воронежская область, город Воронеж, ул. 20-летия Октября, д. 84
- ФИО
- Проскурин Дмитрий Константинович (РЕКТОР)
- E-mail адрес
- rector@vorstu.ru
- Контактный телефон
- +_ (___) _______
- Сайт
- https://cchgeu.ru/