Статья: Влияние режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления n-p-n биполярных транзисторов (2025)

Читать онлайн

Проведено исследование режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления по току биполярных транзисторов n-p-n типа. Показано, что при использовании контактных систем Si-Al требуемые значения коэффициента усиления достигаются при температурах отжига более 400 С, в то время как для системы Si-Ti-Al необходим отжиг при температуре не менее 520 С. Полученные результаты объясняются переходом подслоя Ti в соединения с последующим образованием на поверхности кремния слоя, обогащенного алюминием

A study of annealing modes of Si-Al and Si-Ti-Al contact systems for current gain of n-p-n type bipolar transistors is carried out. It is shown that when using Si-Al contact systems, the required gain values are achieved at annealing temperatures of more than 400 C, while for the Si-Ti-Al system, annealing at a temperature of at least 520 C is required

Автор (ы): Попов Константин Алексеевич
Соавтор (ы): Антонова Валерия Евгеньевна , Родина Алёна Максимовна, Климанов Евгений Алексеевич, Ляликов Алексей Владимирович
Журнал: Прикладная физика

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621. Общее машиностроение. Ядерная техника. Электротехника. Технология машиностроения в целом
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2025-3-19-24
Для цитирования:
ПОПОВ К. А., АНТОНОВА В. Е., РОДИНА А. М., КЛИМАНОВ Е. А., ЛЯЛИКОВ А. В. ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ОТЖИГА КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ SI-AL И SI-TI-AL НА КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ N-P-N БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2025. № 3
Текстовый фрагмент статьи