Структурные особенности токовых слоев, формируемых в плазме в трехмерных магнитных конфигурациях с Xлинией (Обзор) (2021)
Представлен обзор экспериментальных результатов по изучению особенностей структуры и эволюции плазменных токовых слоев, которые формируются в трехмерных (3D) магнитных конфигурациях с Xлинией, в присутствии продольной компоненты магнитного поля, направленной вдоль Xлинии. Показано, что в процессе развития плазменного токового слоя происходит усиление продольной компоненты в пределах слоя. Избыточное продольное поле поддерживается токами плазмы, которые протекают в поперечной плоскости по отношению к основному току в слое, в результате структура токов становится трехмерной. При увеличении начального значения продольной компоненты уменьшается степень сжатия в слой, как электрического тока, так и плазмы, что обусловлено изменением баланса давлений в слое при появлении в нем избыточного продольного поля. Деформация плазменных токовых слоев, а именно, появление в 3D магнитных конфигурациях асимметричных и изогнутых слоев, возникает при возбуждении токов Холла и их взаимодействии с продольной компонентой магнитного поля. Показано, что формирование токовых слоев в 3D магнитных конфигурациях с X–линией возможно в достаточно широком, но ограниченном диапазоне начальных условий.
A review is presented on experimental results related to investigation of distinctive features of the structure and evolution of plasma current sheets formed in three-dimensional (3D) mag-netic configurations with an X line, in the presence of a longitudinal magnetic field component (guide field) directed along the X line. It is shown that formation of a plasma current sheet results in enhancement of the guide field within the sheet. The excessive guide field is maintained by plasma currents that flow in the transverse plane relative to the main current in the sheet. As a result, the structure of the currents becomes three-dimensional. Increasing the initial value of the guide field brings about a decrease of compression into the sheet of both the electric current and plasma. This effect is caused by changing the pressure balance in the sheet when an excessive guide field appears in it. Deformation of plasma current sheets in 3D magnetic configurations, namely, an appearance of asymmetric and tilted sheets, re-sults from excitation of the Hall currents and their interaction with the guide field. It is shown that the formation of current sheets in 3D magnetic configurations with an X line is possible in a relatively wide, but limited range of initial conditions.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/2307-4469-2021-9-6-464-478
- eLIBRARY ID
- 47365751
В настоящем обзоре представлены результаты экспериментальных исследований, посвященных эволюции и структуре токовых слоев, которые могут формироваться в трехмерных (3D) магнитных конфигурациях с особой линией Xтипа, в присутствии достаточно сильной продольной компоненты магнитного поля, направленной вдоль Xлинии. Такие исследования привлекают особый интерес, поскольку магнитные конфигурации с Xлинией широко распространены в природе, а также в установках для нагрева и удержания горячей плазмы. Возможности формирования токовых слоев и их свойства определяют особенности процессов магнитного пересоединения и трансформации магнитной энергии, запасенной в окрестности токового слоя, в тепловую и кинетическую энергию плазмы, в потоки ускоренных частиц и излучений.
Несмотря на внешнее сходство токовых слоев, формируемых в 3D и в 2D магнитных конфигурациях, они имеют существенные различия по целому ряду параметров. Формирование токового слоя в 3D магнитной кон-фигурации с продольной компонентой магнитного поля, направленной вдоль Xлинии, приводит к захвату этой компоненты течениями плазмы и, в конечном итоге, к усилению продольной компоненты в пределах токового слоя по сравнению с её значением вне слоя.
Один их результатов этого процесса состоит в появлении токов, которые поддерживают усиленное продольное поле и протекают в поперечной плоскости по отношению к основному току в слое. Это приводит к усложнению структуры токов в слое, которая становится трехмерной и значительно отличается от плоского «ленточного» тока, характерного для токовых слоев, развивающихся в 2D магнитных конфигурациях с нулевой линией.
Сравнение токовых слоев, которые развивались в конфигурациях с Xлинией при различной напряженности продольной компоненты магнитного поля, либо в её отсутствие, обнаруживает значительные различия как в распределениях основного тока в слое, так и в распределениях плотности плазмы. В целом ряде экспериментов было установлено, что с увеличением продольной компоненты происходит уменьшение эффективности сжатия в слой электрического тока и плазмы. Это обусловлено усилением в слое продольной компоненты магнитного поля по сравнению с её величиной вне слоя, что приводит к изменению баланса давлений за счет появления в слое избыточного продольного поля.
В присутствии продольной компоненты магнитного поля, направленной вдоль Xлинии, периферийные области токовых слоев испытывают разнонаправленные отклонения от его средней плоскости, так что слой становится изогнутым и асимметричным. Эти отклонения проявляются в пространственных распределениях протекающего в слое тока и сосредоточенной в нем плазмы. Отклонения максимальны на ранней стадии эволюции слоя и со временем уменьшаются, а знак отклонения изменяется при изменении направления продольной компоненты. Установлено, что обнаруженная асимметрия токовых слоев возникает в результате возбуждения токов Холла и появления дополнительных динамических эффектов при взаимодействии токов Холла с продольной компонентой магнитного поля. При этом имеется удовлетворительная корреляция между распределениями плотности тока и плотности плазмы в асимметричных токовых слоях. Отсюда следует, что токи Холла оказывают значительное влияние на структуру токовых слоев, которые формируются в 3D магнитных конфигурациях с Xлинией и продольной компонентой магнитного поля.
Установлено, что формирование токовых слоев в 3D магнитных конфигурациях с Xлинией возможно в достаточно широком, но ограниченном диапазоне начальных условий. При этом наиболее существенный параметр, который определяет возможность образования токового слоя – это градиент поперечного магнитного поля h, который должен превышать некоторую критическую величину.
Список литературы
- Syrovatskii S. I. // Annu. Rev. Astron. & Astrophys. 1981. Vol. 19. P. 163.
- Biscamp D. Magnetic Reconnection in Plasmas. – Cambridge Univ. Press, 2005.
- Priest E. R., Forbes T. Magnetic reconnection. MHD theory and applications. – Cambridge Univ. Press, 2000.
- Кадомцев Б. Б. // УФН. 1987. Т. 151. № 1. С. 3.
- Frank A. G. // Plasma Phys. & Contr. Fusion. 1999. Vol. 41. № 3A. P. A687.
- Богданов С. Ю., Кирий Н. П., Марков В. С., Франк А. Г. // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 71. № 2. С. 72.
- Frank A. G., Bogdanov S. Yu. // Earth, Planets & Space (EPS). 2001. Vol. 53. P. 531.
- Богданов С. Ю., Марков В. С., Франк А. Г., Дрейден Г. В., Комиссарова И. И., Островская Г. В., Шедова Е. Н. // Физика плазмы. 2002. Т. 28. № 7. С. 594.
- Frank A. G., Bogdanov S. Yu., Kyrie N. P., Markov V. S. // in: “Plasmas in the Laboratory and in the Universe, New Insights and New Challenges”, ed. G. Bertin, D. Farina, and R. Pozzoli, AIP Conference Proc., Melville, N.Y. 2004. Vol. 703. P. 431.
- Frank A. G., Bogdanov S. Yu., Markov V. S., Dreiden G. V., Ostrovskaya G. V. // Phys. Plasmas. 2005. Vol. 12. № 5. P. 052316.
- Богданов С. Ю., Бурилина В. Б., Франк А. Г. // ЖЭТФ. 1998. Т. 114. С. 1202.
- Франк А. Г. // УФН. 2010. Т. 180. № 9. C. 982.
- Богданов С. Ю., Бугров С. Г., Грицына В. П., Зверев О. В., Карпов Г. В., Марков В. С., Репин Д. В., Франк А. Г. // Физика плазмы. 2007. Т. 33. № 6. С. 483.
- Frank A. G., Bugrov S. G., Markov V. S. // Phys. Plasmas. 2008. Vol. 15. № 9. P. 092102.
- Frank A. G., Bugrov S. G., Markov V. S. // Phys. Lett. A. 2009. Vol. 373. № 16. P. 1460.
- Франк А. Г., Сатунин С. Н. // Физика плазмы. 2011. Т. 37. № 10. С. 889.
- Франк А. Г., Сатунин С. Н. // Письма в ЖЭТФ. 2014. Т. 100. № 2. С. 83.
- Богданов С. Ю., Дрейден Г. В., Марков В. С., Островская Г. В., Франк А. Г. // Физика плазмы. 2006. Т. 32. № 12. С. 1121.
- Frank A. G., Bogdanov S. Yu., Dreiden G. V., Markov V. S., Ostrovskaya G. V. // Phys. Lett. A. 2006. Vol. 348. № 3-6. P. 318.
- Богданов С. Ю., Дрейден Г. В., Марков В. С., Островская Г. В., Франк А. Г. // Физика плазмы. 2007. Т. 33. № 11. С. 1014.
- Островская Г. В., Франк А. Г. // Физика плаз-мы. 2014. Т. 40. № 1. С. 24.
- Воронов Г. С., Кирий Н. П., Марков В. С., Ост-ровская Г. В., Франк А. Г. // Физика плазмы. 2008. Т. 34. № 12. С. 1080.
- Frank A. G., Kyrie N. P., Satunin S. N. // Phys. Plasmas. 2011. Vol. 18. № 11. P. 111209.
- Кирий Н. П., Марков В. С., Франк А. Г., Василь-ков Д. Г., Воронова Е. В. // Физика плазмы. 2016. Т. 42. № 6. С. 563.
- Сыроватский С. И., Франк А. Г., Ходжаев А. З. // Письма в ЖЭТФ. 1972. Т. 15. С. 138.
- Франк А. Г., Сатунин С. Н. // Физика плазмы. 2018. Т. 44. № 2. С. 144.
- Богданов С. Ю., Дрейден Г. В., Кирий Н. П., Коммисарова И. И., Марков В. С., Островская Г. В., Островский Ю. И., Филиппов В. Н., Франк А. Г., Ходжа-ев А. З., Шедова Е. Н. // Физика плазмы. 1992. Т. 18. С. 1269.
- Богданов С. Ю., Бондарь Ю. Ф., Бурилина В. Б., Кирий Н. П., Марков В. С., Мхеидзе Г. П., Савин А. А., Франк А. Г. // ЖТФ. 1994. Т. 64. № 9. С. 30.
- Frank A. G., Bogdanov S. Yu., Burilina V. B., Kyr-ie N. P., Markov V. S. // Contributions to Plasma Phys. 2000. Vol. 40. № 1-2. P. 106.
- Франк А. Г., Артемьев А. В., Зелёный Л. М. // ЖЭТФ. 2016. Т. 150. № 2. С. 807.
- Франк А. Г., Островская Г. В., Юшков Е. В., Артемьев А. В., Сатунин С. Н. // Космические исследования. 2017. Т. 55. № 1. С. 48.
- Юшков Е. В., Франк А. Г., Артемьев А. В., Петрукович А. А., Накамура Р. // Физика плазмы. 2018. Т. 44. № 12. С. 1126.
- Франк А. Г., Сатунин С. Н. // Краткие сообщения по физике ФИАН. 2020. № 2. С. 28.
- Франк А. Г., Сатунин С. Н. // Письма в ЖЭТФ. 2020. Т. 112. № 10. С. 667.
- Frank A., Kyrie N., Satunin S. N., Savinov S. // Universe. 2021. Vol. 7. P. 400.
- Франк А. Г., Сатунин С. Н. // Физика плазмы. 2022. Т. 48. № 1. С. 12.
- S. I. Syrovatskii, Annu. Rev. Astron. & Astrophys 19, 163 (1981).
- D. Biscamp, Magnetic Reconnection in Plasmas. (Cambridge Univ. Press, 2005).
- E. R. Priest and T. Forbes, Magnetic reconnection. MHD theory and applications. (Cambridge Univ. Press, 2000).
- B. B. Kadomtsev, Phys.-Usp. 151 (1), 3 (1987).
- A. G. Frank, Plasma Phys. & Contr. Fusion. 41 (3A), A687 (1999).
- S. Y. Bogdanov, N. P. Kyrie, V. S. Markov, and A. G. Frank, JETP Lett. 71 (2), 55 (2000).
- A. G. Frank and S. Yu. Bogdanov, Earth, Planets & Space (EPS) 53, 531 (2001).
- S. Yu. Bogdanov, V. S. Markov, A. G. Frank, G. V. Dreiden, I. I. Komissarova, G. V. Ostrovskaya, and E. N. Shedova, Plasma Phys. Rep. 28 (7), 549 (2002).
- A. G. Frank, S. Yu. Bogdanov, N. P. Kyrie, and V. S. Markov, in: “Plasmas in the Laboratory and in the Universe, New Insights and New Challenges”, ed. G. Bertin, D. Farina, and R. Pozzoli, AIP Conference Proc., Melville, N.Y. 2004. Vol. 703. P. 431.
- A. G. Frank, S. Yu. Bogdanov, V. S. Markov, G. V. Dreiden, and G. V. Ostrovskaya, Phys. Plasmas 12 (5), 052316 (2005).
- S. Yu. Bogdanov, V. B. Burilina, and A. G. Frank, JETP 87, 655 (1998).
- A. G. Frank, Phys.-Usp. 180 (9), 941 (2010).
- S. Yu. Bogdanov, S. G. Bugrov, V. P. Gritsyna, O. V. Zverev, G. V. Karpov, V. S. Markov, D. V. Repin, and A. G. Frank, Plasma Phys. Rep. 33 (6), 435 (2007).
- A. G. Frank, S. G. Bugrov, and V. S. Markov, Phys. Plasmas 15 (9), 092102 (2008).
- A. G. Frank, S. G. Bugrov, and V. S. Markov, Phys. Lett. A 373 (16), 1460 (2009).
- A. G. Frank and S. N. Satunin, Plasma Phys. Rep. 37, 829 (2011).
- A. G. Frank and S. N. Satunin, JETP Lett. 100 (2), 75 (2014).
- S. Yu. Bogdanov, G. V. Dreiden, V. S. Markov, G. V. Ostrovskaya, and A. G. Frank, Plasma Phys. Rep. 32 (12), 1034 (2006).
- A. G. Frank, S. Yu. Bogdanov, G. V. Dreiden, V. S. Markov, and G. V. Ostrovskaya, Phys. Lett. A 348 (3-6), 318 (2006).
- S. Yu. Bogdanov, G. V. Dreiden, N. P. Kyrie, V. S. Markov, G. V. Ostrovskaya, and A. G. Frank, Plasma Phys. Rep. 33 (11), 930 (2007).
- G. V. Ostrovskaya and A. G. Frank, Plasma Phys. Rep. 40 (1), 21 (2014).
- G. S. Voronov, N. P. Kyrie, V. S. Markov, G. V. Ostrovskaya, and A. G. Frank, Plasma Phys. Rep. 34, 999 (2008).
- A. G. Frank, N. P. Kyrie, and S. N. Satunin, Phys. Plasmas 18 (11), 111209 (2011).
- N. P. Kyrie, V. S. Markov, A. G. Frank, D. G. Vasilkov, and E. V. Voronova, Plasma Phys. Rep. 42 (6), 563 (2016).
- S. I. Syrovatskii, A. G. Frank, and A. Z. Khodzhaev, JETP Lett. 15, 138 (1972).
- A. G. Frank and S. N. Satunin, Plasma Phys. Rep. 44 (2), 190 (2018).
- S. Yu. Bogdanov, G. V. Dreiden, N. P. Kyrie, I. I. Komissarova, V. S. Markov, G. V. Ostrovskaya, Yu. I. Ostrovskii, V. N. Philippov, A. G. Frank, A. Z. Khodzhaev, and E. N. Shedova, Sov. J. Plasma Phys. 18 (12), 1269 (1992).
- S. Yu. Bogdanov, Yu. F. Bondar, V. B. Burilina, N. P. Kyrie, V. S. Markov, G. P. Mkheidze, A. A. Savin, and A. G. Frank, Tech. Phys. 64 (9), 30 (1994).
- A. G. Frank, S. Yu. Bogdanov, V. B. Burilina, N. P. Kyrie, and V. S. Markov, Contributions to Plasma Phys. 40 (1-2), 106 (2000).
- A. G. Frank, A. V. Artemyev, and L. M. Zelenyi, JETP 123 (4), 697 (2016).
- A. G. Frank, G. V. Ostrovskaya, E. V. Yushkov, A. V. Artemyev, and S. N. Satunin, Cosmic Research 55 (1), 46 (2017).
- E. V. Yushkov, A. G. Frank, A. V. Artemyev, A. A. Petrukovich, and R. Nakamura, Plasma Phys. Rep. 44 (12), 1126 (2018).
- A. G. Frank and S. N. Satunin, Bull. Lebedev Phys. Inst. 47 (2), 54 (2020).
- A. G. Frank and S. N. Satunin, JETP Lett. 112 (10), 623 (2020).
- A. G. Frank, N. P. Kyrie, S. N. Satunin, and S. A. Sa-vinov, Universe 7, 400 (2021).
- A. G. Frank and S. N. Satunin, Plasma Phys. Rep. 48 (1), 10 (2022).
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Иванов В. А., Коныжев М. Е., Камолова Т. И., Дорофеюк А. А.
Характер распространения микроплазменных разрядов по поверхности титана, покрытого тонкой оксидной пленкой 449
Франк А. Г.
Структурные особенности токовых слоев, формируемых в плазме в трехмерных магнитных конфигурациях с Xлинией (Обзор) 464
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Болтарь К. О., Бурлаков И. Д., Яковлева Н. И., Полесский А. В., Кузнецов П. А., Лазарев П. С., Рудневский В. С., Седнев М. В.
Фотосенсорика коротковолнового ИК-диапазона спектра 479
Кульчицкий Н. А., Наумов А. В., Старцев В. В., Демьяненко М. А.
Современное состояние и перспективы детекторов в терагерцовом диапазоне. Часть 2. Гетеродинное детектирование терагерцового излучения 499
Болтарь К. О., Лопухин А. А., Власов П. В., Яковлева Н. И.
Мезаструктуры и фотоприемные устройства на основе эпитаксиальных слоев InSb 513
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Кондратенко В. С., Сагателян Г. Р., Шишлов А. В., Былинкин М. Н.
Обеспечение равномерной толщины токопроводящего покрытия на внутренней поверхности полусферического резонатора магнетронным напылением 523
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
V. A. Ivanov, M. E. Konyzhev, T. I. Kamolova, and A. A. Dorofeyuk
The characteristics of microplasma discharge propagation over the titanium surface covered with a thin oxide film 449
A. G. Frank
Distinctive features of the structure of current sheets formed in plasma in three-dimensional magnetic configurations with an X line (a review) 464
PHOTOELECTRONICS
K. O. Boltar, I. D. Burlakov, N. I. Iakovleva, A. V. Polessky, P. А. Kuznetsov, P. S. La-zarev, V. S. Rudnevsky, and М. V. Sednev
SWIR Photosensory 479
N. A. Kulchitsky, A. V. Naumov, V. V. Startsev, and M. A. Dem’yanenko
Current state and prospects of detectors in the terahertz range. Part 2. Heterodyne detection of terahertz radiation 499
K. O. Boltar, A. A. Lopuhin, P. V. Vlasov, and N. I. Iakovleva
Mesa-structures and Focal Plane Arrays based on epitaxially grown InSb layers 513
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
V. S. Kondratenko, G. R. Sagatelyan, A. V. Shishlov, and M. N. Bilinkin
Ensuring uniform thickness of the conductive coating on the inner surface of the hemispherical resonator by magnetron sputtering 523
Другие статьи выпуска
Рассмотрены возможности технологического обеспечения равномерности распределения толщины тонкоплёночного металлического покрытия, наносимого методом магнетронного напыления на внутреннюю поверхность тонкостенного кварцевого резонатора, выполненного в форме полусферы. Показана возможность минимизации разнотолщинности покрытия оптимизацией диаметра кольцевой зоны эмиссии магнетрона в сочетании с расстоянием от резонатора до мишени и из напыляемого материала. Дальнейшее повышение равнотолщинности покрытия возможно на основе применения неподвижного экрана с отверстием, форма и расположение которого рассчитываются аналитически, а окончательная конфигурация контура уточняется эмпирически.
Изложены аспекты выращивания эпитаксиальных слоев антимонида индия (InSb) на подложках InSb (InSb-on-InSb) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и изготовления фотоприемных устройств (ФПУ) на основе полученных эпитаксиальных структур (ЭС). Применение эпитаксиального выращивания позволяет создавать сложные структуры на основе InSb и управлять интенсивностью генерации-рекомбинации носителей заряда в фоточувствительных элементах (ФЧЭ) при обычных и повышенных температурах. Исследования характеристик ФПУ формата 320256 элементов с шагом 30 мкм и ФПУ формата 640512 элементов с шагом 15 мкм на основе структур InSb-on-InSb средневолнового ИК диапазона спектра показали достижение высоких фотоэлектрических параметров, так среднее по ФЧЭ значение обнаружительной способности при Т = 77 К превысило 21011 смВт-1Гц1/2, а среднее значение эквивалентной шуму разности температур (ЭШРТ) по элементам ФПУ с холодной диафрагмой 60о при Т = 77 К составило 10,5 мК. В ре-жиме реального масштаба времени получены тепловизионные изображения повышенного пространственного разрешения по сравнению с ФПУ на объемном InSb.
Продолжено обсуждение проблем, связанных с развитием технологии детекторов излучения терагерцового диапазона. Продолжено рассмотрение основных физических явлений и недавний прогресс в различных методах детектирования терагерцевого излучения – прямого детектирования (в ч. 1) и гетеродинного детектирования (в ч. 2). Обсуждаются преимущества и недостатки сенсоров прямого детектирования и сенсоров с гетеродинным детектированием.
Представлены достижения в области создания высокочувствительных фотоприемных устройств (ФПУ) на основе гетероструктур InGaAs с широкозонным барьерным слоем InAlAs коротковолнового инфракрасного диапазона спектра. Предложены конструктивных решения построения ФПУ спектрального диапазона 0,9–1,7 мкм с малой неоднородностью параметров и дефектностью пикселей менее 0,5 %. Рассмотрены возможности расширения спектрального диапазона в коротковолновую до 0,5 мкм и в длинноволновую до 2,2 мкм области спектра ФПУ на основе гетероструктур InGaAs.
Изложены принципы конструирования активно-импульсных систем, использующих ФПУ на основе InGaAs формата 320256 элементов с шагом 30 мкм, измеряющих расстояние до цели в спектральном диапазоне 0,9–1,7 мкм. Исследованы параметры матричного инфракрасного дальномера на основе ФПУ формата 320256 элемен-тов с шагом 30 мкм, обеспечивающего разрешение по дальности до 0,6 м.
Экспериментально исследованы распространение и структура микроплазменного разряда, инициируемого в вакууме импульсным потоком плазмы с плотностью 1013 см–3 на поверхности титанового образца, покрытого тонкой сплошной диэлектрической оксидной пленкой титана толщиной 2–6 нм, при изменении электрического тока разряда от 50 А до 400 А. Интегральное свечение микроплазменного разряда в макромасштабе представляет собой разветвленную структуру типа дендрита, которая в микромасштабе состоит из большого количества ярко светящихся «точечных» образований – локализованных на поверхности металла катодных пятен. Возникающая при этом эрозионная структура на поверхности титана «идентична» структуре свечения разряда и состоит из большого количества отдельных неперекрывающихся микрократеров с характерными размерами 0,1–3 мкм, которые образуются в местах локализации катодных пятен на расстояниях до 20 мкм друг от друга. Распространение одиночного микроплазменного разряда по поверхности титана происходит со средней скоростью 15–70 м/с при токах разряда 50–400 А. Распространение микроплазменного разряда в микромасштабе имеет «прыжковый» характер: плазма «неподвижных» горящих катодных пятен, в течение времени их жизни 1 мкс, инициирует возбуждение новых микро-разрядов, которые создают новые катодные пятна на расстояниях локализации от 1 мкм до 20 мкм от первичных катодных пятен. Такой процесс повторяется многократно в течение импульса микроплазменного разряда длительностью от 0,1 мс до 20 мс.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400