Публикации автора

Применение метода самораспространяющегося высокотемпературного синтеза при получении шихты для производства объемных монокристаллов карбида кремния (2020)

С целью создания условий для промышленного производства современных отечественных полупроводниковых материалов для нужд силовой и микроэлектроники методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза получена шихта, необходимая для роста объемных монокристаллов карбида кремния 4Н-политипа диаметром 100 мм (150 мм – в перспективе). Синтез шихты реализован на промышленных установках ростовых систем BaSiC-T (PVATepla) с использованием ряда конструкционных элементов их тепловой зоны. Проведен анализ гранулометрического, фазового и политипного состава дисперсных порошков SiC-шихты, полученных при различных условиях синтеза.

Издание: Прикладная физика
Выпуск: № 4 (2020)
Автор(ы): Неверов Вячеслав Александрович, Скворцов Денис Александрович, Мамин Бари Фяттяхович, Сидоров Роман Игоревич
Сохранить в закладках
Применение метода самораспространяющегося высокотемпературного синтеза при получении шихты для производства объемных монокристаллов карбида кремния (2020)

С целью создания условий для промышленного производства современных отечественных полупроводниковых материалов для нужд силовой и микроэлектроники методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза получена шихта, необходимая для роста объемных монокристаллов карбида кремния 4Н-политипа диаметром 100 мм (150 мм – в перспективе). Синтез шихты реализован на промышленных установках ростовых систем BaSiC-T (PVATepla) с использованием ряда конструкционных элементов их тепловой зоны. Проведен анализ гранулометрического, фазового и политипного состава дисперсных порошков SiC-шихты, полученных при различных условиях синтеза.

Издание: Прикладная физика
Выпуск: № 4 (2020)
Автор(ы): Неверов Вячеслав Александрович, Скворцов Денис Александрович, Мамин Бари Фяттяхович, Сидоров Роман Игоревич
Сохранить в закладках
Свойства высокочистой шихты для производства объёмных монокристаллов карбида кремния (2022)

Исследованы гранулометрические и теплофизические характеристики порошков SiC-шихты, а также ультрачистого порошка (GMF-CVD, Japan). Шихта получена методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. Показано, что отечественный SiC дисперсный материал по ряду характеристик не уступает зарубежным аналогам и может с успехом применяться для промышленного производства монокристаллического SiC. По результатам исследований разработан процесс, на основе которого из синтезированных порошков выращен объемный монокристалл SiC диаметром 100 мм.

Издание: Прикладная физика
Выпуск: № 6 (2022)
Автор(ы): Скворцов Денис Александрович
Сохранить в закладках