Работы автора

Электрофизические параметры материалов группы нитридов и анализ методов их расчета (2020)

В работе исследованы методы определения концентрации и подвижности носителей заряда в материалах группы нитридов р- и n-типа проводимости, предложены выражения для определения коэффициента Холла и подвижности носителей заряда в образцах нестандартной формы, а также поправочные коэффициенты, уменьшающие погрешность измерений. Определены концентрации и подвижности в образцах на основе группы нитридов р- и n-типа проводимости методом Холла и методом Ван-дер-Пау для образцов разной геометрии с контактами различной формы.

Издание: Успехи прикладной физики
Выпуск: том 8 № 3 (2020)
Автор(ы): Улькаров Вадим Айратович, Яковлева Наталья, Никонов Антон Викторович
Сохранить в закладках
Применение полировальных суспензий на основе поликристаллического алмаза детонационного синтеза в высокопрецизионных процессах обработки соединения кадмий-цинк-теллур (2022)

Приведены результаты исследования поверхности образца кадмий-цинк-теллур после обработки различными суспензиями детонационных алмазных порошков. Показано, что применение полировальных суспензий на основе поликристаллического алмаза детонационного синтеза отечественного производства в части получения качества полированной поверхности не уступает импортным аналогам.

Издание: Успехи прикладной физики
Выпуск: том 10 № 5 (2022)
Автор(ы): Трофимов Александр, Денисов Игорь Андреевич, Косякова Анастасия Михайловна, Малыгин Владислав Анатольевич, Улькаров Вадим Айратович, Ухабин Олег Александрович, Смирнов Александр Сергеевич, Курепин Сергей Александрович
Сохранить в закладках
Моделирование деформации пластины InSb диаметром 50,8 мм при обработке методом одностороннего шлифования свободным абразивом (2024)

Исследуется моделирование деформации пластин InSb диаметром 50,8 мм, возникающей при шлифовании и полировании односторонним методом. Прогнозирование прогиба пластины положительно сказывается на разработке схемы процесса и позволяет корректировать технологические условия для достижения требуемых параметров BOW и WARP пластины для соответствия требованиям молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что обработка подложек InSb с учетом предложенной модели позволяет достигать требуемых геометрических параметров пластины с точностью до 1 мкм.

Издание: Успехи прикладной физики
Выпуск: том 12 №5 (2024)
Автор(ы): Улькаров Вадим Айратович, Трофимов Александр, Павлова Олеся Сергеевна, Новиков Иван Валерьевич, Саркисов Никита Андреевич, Кузин Владислав Олегович
Сохранить в закладках