Обзор содержит краткую информацию об основных научных и производственных центрах России, ведущих исследования и разработки в области полупроводниковых инжекционных лазеров. Представлены современные направления фундаментальных и прикладных работ, в частности в области создания инжекционных лазеров на основе наноструктур и квантовых ям, а также лазеров с напряженными гетерослоями. Рассмотрен ряд работ, направленных на получение генерации в новых спектральных диапазонах, повышение мощности в одномодовом режиме, создание линеек инжекционных лазеров для накачки твердотельных активных сред и получение ультракоротких импульсов света. Приведена справочная информация о номенклатуре выпускаемых промышленностью инжекционных лазеров (ИЛ), излучающих оптических модулей и мощных светоизлучающих диодов
Исследована возможность увеличения длительности генерации эксимерного KrF-лазера за счет использования режима накачки активной среды с периодически затухающим напряжением на разрядном промежутке. Для KrF-лазера с максимальной выходной энергией до 30 мДж диапазон изменения длительности импульсов излучения составил 16—45 нс.
Приведены результаты разработки микросборки сверхширокополосного электрооптического модулятора с интегрированным источником излучения для использования в волоконно-оптических системах передачи аналогового сигнала на длине волны оптической несущей 1,31 мкм. Микросборка выполнена на основе полупроводникового кристалла электроабсорбционного модулятора с встроенным лазером. Максимальная мощность излучения лазера превышает 10 мВт при токе потребления 90 мА, диапазон рабочих частот модулятора составляет от 100 кГц до 20 ГГц.