Показана возможность использования времяпролетных катодолюминесцентных измерений для оценки коэффициента диффузии и подвижности экситонов в одиночных квантовых ямах прямозонных полупроводниковых гетероструктур. Приведены результаты экспериментальных исследований перспективной для практического использования гетероструктуры ZnMgO/ZnO с ZnО‐квантовой ямой. На основе анализа температурной зависимости подвижности экситонов (4,8—180 К) сделаны предположения о механизмах рассеяния, характерных для воздействия гетероперехода на границе квантовой ямы.
Представлен метод расчета поправки на поглощение рентгеновского характеристического излучения при количественном рентгеноспектральном микроанализе, основанный на новом методе расчета функции распределения по глубине рентгеновского характеристического излучении φ(ρz).