Зависимость пространственного разрешения матричного фотоприемного устройства на основе антимонида индия от толщины фоточувствительного слоя (2020)
Выпуск:
№ 1 (2020)
Исследована фотоэлектрическая взаимосвязь матричных фотоприемных устройств средневолнового ИК-диапазона форматов 320256 элементов с шагом 30 мкм и 640512 элементов с шагом 15 мкм на основе антимонида индия. Определена зависимость величины взаимосвязи от толщины объемной структуры утоньшенного антимонида индия. Взаимосвязь элементов МФПУ на основе эпитаксиального антимонида индия существенно меньше, чем взаимосвязь на основе объемного антимонида индия.
Распределение чувствительности по площади пикселя матричного фотоприемника, ограниченной дифракционным пределом сканирующей маски (2021)
Выпуск:
№ 5 (2021)
Исследовано распределение чувствительности по площади пикселя матричного фотоприемника на основе антимонида индия с помощью неразрушающего метода сканирующей маски на основе открытой зондовой установки ускоренного тестирования.