Архив статей журнала

Матричное фотоприемное устройство средневолнового ИК диапазона спектра с nBn-архитектурой из CdHgTe с барьерным слоем на основе сверхрешетки (2025)
Выпуск: №1 (2025)
Авторы: Болтарь Константин, Бурлаков Игорь Дмитриевич, Яковлева Наталья, Седнев Михаил Васильевич, Трухачев Антон Владимирович, Лопухин Алексей Алексеевич, Пермикина Елена Вячеславовна, Войцеховский Александр Васильевич, Михайлов Николай, Горн Дмитрий Игоревич

Исследовано матричное фотоприемное устройство (МФПУ) средневолнового ИК диапазона спектра с nBn-архитектурой CdHgTe с барьерным слоем на основе сверхрешетки. МФПУ состоит из матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) формата 6464 с шагом 40 мкм, гибридизированной с кремниевой БИС считывания. Фоточувствительная сборка из МФЧЭ и БИС считывания исследовалась в вакуумном технологическом криостате с заливкой жидким азотом. Исследованы спектральные
и фотоэлектрические характеристики МФПУ на основе nBn-гетероструктур из n-слоев CdHgTe со сверхрешетками при оптимальном напряжении смещения. Среднее значение обнаружительной способности составило D*  71010 смВт-1Гц1/2, среднее значение вольтовой чувствительности Su составило Su  6107 В/Вт.

Сохранить в закладках
Фурье-анализ спектральных характеристик матричного фотоприемника в частотной и временной области (2021)
Выпуск: № 3 (2021)
Авторы: Зиенко Станислав Иванович, Жбанова Вера Леонидовна

Целью работы является исследование частотных и временных характеристик фотоприемника с помощью прямого и обратного преобразования Фурье. В качестве объекта исследования выбраны спектральные характеристики матричного фотоприемника. Для каналов преобразователя установлено, что частотный спектр состоит из двух элементарных полос в форме кривых Гаусса. Выявлено, что спектры обладают сверхширокополосными свойствами. Импульсная (временная) характеристика спек-тров описывается уравнением в аналитическом виде, которая хорошо согласуется с расчетом. Время нарастания переходной характеристики составляет 1,8–2,9 фс.

На процесс поглощения света заметное влияние оказывает влияние диэлектрическая релаксация заряда. Полученные результаты позволяют получить важную информацию о свойствах фотоприемника в частотной и временной области.

Сохранить в закладках
Исследование спектральных характеристик QWIP-фотоприёмников (2023)
Выпуск: № 6 (2023)
Авторы: Давлетшин Ренат Валиевич, Болтарь Константин

Проведено исследование спектральных характеристик фотоприёмных устройств на основе многослойных гетероэпитаксиальных QWIP-структур AlGaAs/GaAs. Измерения проводились на Фурье-спектрометре Bruker Vertex-70 с аналоговым входом для подключения внешних фотоприемников. Максимум спектральной характеристики фоточувствительности для измеренных МФПУ находится в диапазоне длин волн  = 8,2–8,6 мкм, что соответствует предварительным оценкам при моделировании гетероструктур

Сохранить в закладках