Плазмохимический синтез тонких пленок оксида галлия, окси-да цинка и халькогенидов систем As(S,Se,Te) и As-Se-Te

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.
Актуальность темы исследования и степень ее разработанности. Оксид-ные неорганические полупроводниковые материалы, в частности оксиды группы (III) Периодической системы (или, так называемые «сесквиоксиды», Е2О3), вызы-вают огромный интерес, и, по сути, были повторно открыты как новый класс ши-рокозонных полупроводников. Одним из наиболее перспективных представителей этого класса соединений является оксид галлия (Ga2O3), обладающий уникальными электрофизическими свойствами [1]. Еще одним ярким представителем современ-ных оксидных полупроводниковых материалов является оксид цинка [2]. Возмож-ности оксида цинка были открыты в полной мере только после того, как появились первые возможности получения новых нанообъектов на основе ZnO с самой разно-образной морфологией, таких как наночастицы и наностержни в дисперсном со-стоянии. Кроме этого, были разработаны способы формирования слоев из наноча-стиц и наностержней на различных подложках. Данные структуры, в свою очередь, показали свою перспективность для возможного использования при создании лю-минесцентных устройств, солнечных элементов и газовых сенсоров. Среди бес-кислородных материалов халькогенидные тонкие пленки по-прежнему являются объектами интенсивных научных исследований [3]. Халькогенидные слои облада-ют высокой чувствительностью в диапазоне спектра - от УФ до дальнего ИК и ши-роко используются в качестве сенсорных элементов тепловизоров, приборов ноч-ного видения, в инфракрасной оптоэлектронике, а также для изготовления лазеров и светодиодов, работающих в среднем и дальнем ИК - диапазонах. Важным их свойством также является возможность получения поверхностных рельефов как с химической обработкой после, так и непосредственно в процессе экспонирования. Запись на слоях халькогенидных стекол с использованием явления фотокристалли-зации начинает использоваться в современных оптических носителях информации. Другим направлением использования сформированных плазмохимическим осажде-нием халькогенидных структур является применение их в