Статья: Радиационные эффекты в монокристаллах TlGaSe2
Изучено влияние γ-облучения на диэлектрические свойства и ac-проводимость поперек слоев монокристаллов TlGaSe2 из разных технологических партий в частотной области 5⋅104 — 3,5⋅107 Гц. Показано, что γ-облучение монокристаллов TlGaSe2 дозами 3⋅104 и 2,25⋅106 рад приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости, а также изменяет природу диэлектрических потерь. В γ-облученных монокристаллах TlGaSe2 установлен прыжковый характер ac-проводимости вблизи уровня Ферми и оценены плотность и энергетический разброс локализованных в окрестности уровня Ферми состояний, а также среднее время и расстояние прыжков.
Информация о документе
- Формат документа
- Кол-во страниц
- 1 страница
- Загрузил(а)
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем
Информация о статье
- ISSN
- 1996-0948
- EISSN
- 2949-561X
- Журнал
- Прикладная физика
- Год публикации
- 2012
- Каталог SCI
- Физика
- УДК
- 53. Физика
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.