Статья: Фоторезисторы с кодом Грея из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe на спектральный диапазон 2—11 мкм с термоэлектрическим охлаждением

Приведены результаты разработки фоторезисторов с термоэлектрическим охлаждением фоточувствительных элементов в топологии пятиразрядного кода Грея из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией и предназначенных для регистрации импульсного лазерного излучения на длине волны 10,6 мкм. Исследованы зависимости отношения сигнал/шум от состава узкозонного рабочего слоя эпитаксиальной структуры и конструкции фоторезистора.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
2307-4469
EISSN
2949-5636
Журнал
Успехи прикладной физики
Год публикации
2015
Автор(ы)
Филатов А. В., Карпов В. В., Сусов Е. В., Грибанов А. А., Кузнецов Н. С., Петренко В. И.
Каталог SCI
Физика