Статья: Исследование влияния светового отжига на свойства матричных фотоприемных структур на основе антимонида индия

Скачать

Исследовано влияние светового отжига на напряжение пробоя фотодиодов на пластинах InSb, объемную диффузионную длину неосновных носителей заряда и одноточечную дефектность матричных фотоприемников (МФП) на основе InSb, изготовленных из различных слитков. Обнаружено, что объемная диффузионная длина неосновных носителей заряда в среднем меньше для светового отжига по сравнению со стандартным отжигом в печи для всех исследованных слитков InSb. Установлено отсутствие ухудшения величины напряжения пробоя на пластинах InSb, прошедших световой отжиг, по сравнению с отжигом в печи. Тот факт, что разброс одноточечной дефектности МФП оказался больше разницы средних значений дефектности при различных методах отжига свидетельствует о том, что дефектность фотодиодов не связана с методом отжига.

Информация о документе

Формат документа: PDF
Кол-во страниц: 1 страница
Загрузил(а): Лопухин Алексей
Лицензия: —
Доступ: Всем

Информация о статье

ISSN: 1996-0948
EISSN: 2949-561X
Журнал: Прикладная физика
Год публикации: 2014
Автор(ы): Лопухин А. А., Степанюк В. Е., Таубкин И. И., Фадеев В. В.
Ключевые фразы: матричное фотоприемное устройство, антимонид индия, дефектность, чувствительность
Каталог SCI: Физика
УДК: 621.315.5. Проводники и полупроводники по виду материала
621.383. Фотоэлектроника

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2026 год.

Ранее вы смотрели (5)

01. Книга: Трактат о вдохновенье, рождающем великие изобретения

02. Статья: Автоматизированный стенд для измерения основных параметров МФПУ на основе InGaAs

03. Статья: Влияние разброса размеров наноостровков на темновой ток фотоприемников с квантовыми точками

04. Статья: Применение индия для формирования низкоомных микроконтактов к контактным слоям арсенида галлия гетероэпитаксиальных QWIP-структур

05. Статья: Генерация однородной эмиссионной плазмы в разрядной системе с протяженным полым катодом форвакуумного плазменного источника ленточного пучка электронов

Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.

Создать тему для обсуждения

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – Сайт) представляет собой платформу, на которой пользователи самостоятельно добавляют и публикуют метаинформацию о материалах разных видов (названия, обложки, аннотации, данные об авторах и т.п.). Администрация Сайта не занимается самостоятельным сбором или первоначальной публикацией этих сведений.

Модерация контента

На Сайте действует постмодерация. Это означает, что материалы, добавляемые пользователями, становятся общедоступными сразу после публикации и проверяются Администрацией Сайта постфактум в разумные сроки.

Использование информации

Администрация Сайта не использует метаданные и обложки документов в коммерческих или рекламных целях для продвижения товаров или услуг и не заявляет о каких-либо правах на представленные объекты интеллектуальной собственности. Все права на документы и сопутствующие материалы принадлежат их законным правообладателям.

Отказ от гарантий

Администрация Сайта не гарантирует точность, полноту и достоверность метаинформации, размещенной пользователями, поскольку не осуществляет ее предварительную проверку.

Ответственность

Сайт носит исключительно информационно-справочный характер. Администрация Сайта не несет ответственности за содержание и достоверность информации, добавленной пользователями, а также за любые убытки, возникшие в связи с использованием или невозможностью использования Сайта и размещенной на нем информации.