Статья: Повышение качества 100 мм Ge-подложек при серийном производстве многопереходных фотоэлектрических преобразователей

Проведены исследования отечественных Ge-подложек диаметром 100 мм и толщиной 140 мкм, что позволило по результатам скорректировать технологический производственный процесс и привело к увеличению эффективности фотопреобразования серийно изготавливаемых с применением метода МОС-гидридной эпитаксии каскадных солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge – достигнутый КПД составляет 29 %, что находится на уровне мировых аналогов.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
2307-4469
EISSN
2949-5636
Журнал
Успехи прикладной физики
Год публикации
2026
Автор(ы)
Кулаковская Т. В., Топаков Д. В., Трофимов А. А., Косякова А. М., Гончаров А. Е., Малыгин В. А., Гладышева К. А., Антонова В. Е., Суханова А. С.
Каталог SCI
Физика