Статья: Влияние температуры осаждения индия на морфологию наноразмерных гетероструктур InAs/GaAs, полученных капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии

Исследовано влияние температуры разложения триметила индия на геометрию и морфологию массива квантовых точек InAs, выращиваемых капельным методом на поверхности подложки GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Подтверждены теоретические расчеты по степени разложения триметила индия при температуре ниже 300 оС.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье