Книга: Поверхностные радиационные эффекты в ИМС

Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик-полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл - диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем. Рассмотрены физические модели, которые можно использовать при проектировании и создании интегральных микросхем, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излучения. Проведен анализ источников излучений и обосновано применение моделирующих установок для исследования радиационных параметров интегральных микросхем.

Для научных работников, инженеров, аспирантов и студентов старших курсов, занимающихся разработкой и применением высокостабильных интегральных микросхем.

Информация о документе

Формат документа
PDF, DJVU
Кол-во страниц
256 страниц
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о книге

ISBN
5283029425
Издательство
Энергоатомиздат
Год публикации
1988
Автор(ы)
Вячеслав Сергеевич Першенков, Виктор Дмитриевич Попов, Александр Всеволодович Шальнов
Библиографическая запись

Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. — М.: Энергоатомиздат, 1988. — 256 с. —

ISBN 5-283-02942-5

Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров книги за 2026 год.