Книга: Поверхностные радиационные эффекты в ИМС
Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик-полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл - диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем. Рассмотрены физические модели, которые можно использовать при проектировании и создании интегральных микросхем, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излучения. Проведен анализ источников излучений и обосновано применение моделирующих установок для исследования радиационных параметров интегральных микросхем.
Для научных работников, инженеров, аспирантов и студентов старших курсов, занимающихся разработкой и применением высокостабильных интегральных микросхем.
Информация о документе
- Формат документа
- PDF, DJVU
- Кол-во страниц
- 256 страниц
- Загрузил(а)
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем
Информация о книге
Статистика просмотров
Статистика просмотров книги за 2026 год.